Intel很快便要推出其新款處理器，代號(hào)Westmere的32nm制程處理器。這款處理器在內(nèi)部架構(gòu)方面與現(xiàn)有的Nehalem近似。不過(guò)在制程方面 Intel則邁出了一大步，進(jìn)化到了32nm制程。在Intel的32nm制程技術(shù)中，他們將使用其第二代HKMG(High-k金屬門(mén))技術(shù)。而相比之 下，其它的廠商的第一代HKMG技術(shù)都還沒(méi)有付諸實(shí)用。那么，Intel在新一輪的32nm制程競(jìng)賽中的領(lǐng)先程度有多大呢?以下我們便為讀者進(jìn)行分析。

首先，我們把Intel和其最大的對(duì)手AMD，以及另一家代工企業(yè)臺(tái)積電放在一起比較一下。需要說(shuō)明的是由于臺(tái)積電只是一家代工廠商，因此我們?cè)谶M(jìn)行對(duì)比時(shí)，使用了臺(tái)積電為一家設(shè)計(jì)公司制作的FPGA芯片的技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r來(lái)進(jìn)行比對(duì)。另外需要說(shuō)明的是，由于無(wú)法得到確切的可靠數(shù)據(jù)，因此我們沒(méi)有將IBM/Common技術(shù)聯(lián)盟的制程技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r引入這次對(duì)比。

表一顯示了三家廠商開(kāi)始啟用90/65/45/32nm級(jí)別制程工藝的時(shí)間點(diǎn)。表中可見(jiàn)，Intel公司總是會(huì)以?xún)赡陼r(shí)間為間隔，在年初推出新的制程工藝，推出新制程的步伐與Intel元老戈登摩爾的摩爾定律非常符合。根據(jù)這種規(guī)律，我們可以預(yù)計(jì)下一代22nm制程將會(huì)于2012年初推出。

有趣的是AMD的制程發(fā)展規(guī)律也與摩爾定律相契合，他們總是會(huì)在Intel推出新制程技術(shù)的同年晚些時(shí)候推出自己的新制程技術(shù)。不過(guò)，在從45nm進(jìn)化到32nm制程的過(guò)程中，AMD似乎遇到了一點(diǎn)麻煩，兩者的時(shí)間間隔達(dá)到了3年，當(dāng)然AMD近年曾遭遇分拆GlobalFoundries的風(fēng)波，所以出現(xiàn)這種延遲現(xiàn)象也是情有可原，但這次拖延依然令人們意識(shí)到向32nm級(jí)以上級(jí)別制程攀登的過(guò)程是相當(dāng)艱苦的。

而臺(tái)積電的制程進(jìn)化過(guò)程則相比之下缺乏一定的規(guī)律性，主要是跟隨設(shè)計(jì)方的產(chǎn)品規(guī)劃而有所變化。比如90nm制程與65nm制程之間的時(shí)間間隔達(dá)到了3年，而從65nm進(jìn)化到45/40nm制程則只花了15個(gè)月的時(shí)間。同時(shí)他們還采用在45nm與32nm節(jié)點(diǎn)之間設(shè)立中間制程點(diǎn)的策略，實(shí)現(xiàn)了每年更新一次制程技術(shù)的目標(biāo)。

關(guān)于摩爾定律：

根據(jù)摩爾定律，集成電路技術(shù)每經(jīng)歷一次制程更新，電路尺寸便會(huì)縮小70%。除了晶體管的門(mén)極寬度尺寸之外，其中最令人感興趣的一個(gè)關(guān)鍵尺寸便是互連線(xiàn)彼此之間的間距尺寸。這個(gè)尺寸決定了電路中邏輯門(mén)電路的密度以及芯片中所能容納的晶體管數(shù)量。根據(jù)我們繪制的互連線(xiàn)間距尺寸發(fā)展圖，三家廠商的制程技術(shù)在這方面的進(jìn)展可謂不相上下，可見(jiàn)摩爾定律依然適用。

有趣的是，臺(tái)積電公司的互連線(xiàn)間距尺寸似乎要比其它兩家公司要更小一些，這大概是由于這家廠商主要面向SOC芯片，GPU/FPGA等產(chǎn)品的代工使然。盡管臺(tái)積電的制程技術(shù)制作出來(lái)的晶體管其運(yùn)行速度可能不及Intel或AMD，但其芯片產(chǎn)品內(nèi)部卻能集成數(shù)量超過(guò)10億支的大量晶體管。

新制程除了帶來(lái)電路關(guān)鍵尺寸的進(jìn)一步縮小之外，還衍生了很多新的制程技術(shù)。其中兩項(xiàng)具有重大意義的新技術(shù)便是漏源極嵌入硅鍺技術(shù) (eSiGe) 和high-k金屬門(mén)(HKMG)技術(shù)。eSiGe技術(shù)能增強(qiáng)PMOS晶體管的性能，而HKMG技術(shù)則有助于晶體管開(kāi)關(guān)速度的提升，并可減小門(mén)極的漏電流。

上表二顯示了三家廠商啟用這兩項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)的時(shí)間表。表中可見(jiàn)，Intel在采用這兩項(xiàng)新技術(shù)方面明顯領(lǐng)先于其它兩家廠商，他們?cè)?004年推出的90nm制程中便開(kāi)始啟用eSiGe技術(shù)，而在45nm制程中開(kāi)始使用HKMG技術(shù);而AMD則到65nm制程時(shí)才開(kāi)始使用eSiGe技術(shù)，而且需要在32nm制程中才能開(kāi)始使用HKMG技術(shù)，正好比Intel落后1代;臺(tái)積電則在eSiGe/HKMG方面落后了整整兩代制程。

這里需要說(shuō)明的是，由于IBM/AMD的SOI制程技術(shù)并沒(méi)有像傳統(tǒng)的體硅制程(Bulk CMOS)那樣，具有較為廣泛的流行性，因此我們?cè)谶@里并不會(huì)比對(duì)各家廠商在SOI制程技術(shù)方面的發(fā)展?fàn)顩r。

最后，需要說(shuō)明的是，采用最好的制程技術(shù)并不一定能生產(chǎn)出最好的產(chǎn)品。過(guò)去，AMD便曾經(jīng)憑借采用較低級(jí)制程生產(chǎn)出來(lái)的，具備內(nèi)置內(nèi)存控制器和更短流水線(xiàn)設(shè)計(jì)的K8系列處理器打敗了Intel的產(chǎn)品;而Intel在顯卡，超低功耗產(chǎn)品等市場(chǎng)上的作為也十分有限。不過(guò)，在雙方設(shè)計(jì)能力相當(dāng)?shù)臈l件下，Intel在制程工藝方面的領(lǐng)先無(wú)疑將幫助他們立于不敗之地。