當前位置：首頁 > EDA > 電子設(shè)計自動化

爾必達40納米制程正式對戰(zhàn)美光

時間：2010-01-07 09:22:34

關(guān)鍵字：美光爾必達 40納米 DRAM

手機看文章

掃描二維碼
隨時隨地手機看文章

[導讀]一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后，爾必達2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)

一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達狀況更顯得困窘，在經(jīng)過近1年臥薪嘗膽后，爾必達2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)，良率水平優(yōu)于預期，確定2010年可一舉進入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺幣120億元，就可將旗下8萬片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營對戰(zhàn)煙硝味濃厚。

DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術(shù)難度外，1臺動輒逾新臺幣10億元的機臺設(shè)備，更讓甫從金融風暴深淵爬出來的 DRAM廠傻眼，2009年真正轉(zhuǎn)進50納米制程的DRAM廠，僅有三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，美光2010年才要大量轉(zhuǎn)進，全球4大DRAM陣營中，只有爾必達沒有打算轉(zhuǎn)進50納米制程。

存儲器業(yè)者指出，其實爾必達2009年就向設(shè)備廠預訂機臺，但因資金缺乏而一路延宕，最后爾必達決定跳過50納米，一舉轉(zhuǎn)進40納米制程，才有勝過競爭對手的機會，經(jīng)過近1年臥薪嘗膽，爾必達2010年開春終于宣布，40納米制程技術(shù)于2009年底在廣島廠試產(chǎn)相當順利，良率優(yōu)于預期，確定2010年可一舉進入40納米世代，大吐一口悶氣。

爾必達旗下子公司瑞晶亦把40納米制程列為2010年積極導入重點，瑞晶旗下12寸晶圓廠全數(shù)將轉(zhuǎn)到 40納米制程，預計資本支出約新臺幣120億元。瑞晶總經(jīng)理陳正坤表示，窮人家小孩有自己生存之道，母公司給一筆錢協(xié)助公司成立后，其它營運花費都要自己想辦法，因此，必須將現(xiàn)有產(chǎn)能和設(shè)備效益極大化。

隨著爾必達40納米制程2010年量產(chǎn)，與正大量轉(zhuǎn)進50納米制程的美光陣營，煙硝味越來越濃厚，尤其2陣營2009年在全球DRAM市占率差距僅幾個百分點，競爭相當激烈，下世代制程技術(shù)攸關(guān)整個陣營勝負關(guān)鍵。

DRAM 業(yè)者認為，美光50納米制程已準備多時，2010年上半便可逐漸量產(chǎn)，在時間點上可搶得先機，而南亞科和華亞科除要由70納米轉(zhuǎn)至50納米制程，還面臨溝槽式轉(zhuǎn)至堆疊式制程挑戰(zhàn)，在轉(zhuǎn)換制程過程中，花費自然會增加，不過，美光陣營40納米技術(shù)將緊接著量產(chǎn)，屆時與50奈制程同時量產(chǎn)，可擁有最佳成本效益的優(yōu)勢。

本站聲明：本文章由作者或相關(guān)機構(gòu)授權(quán)發(fā)布，目的在于傳遞更多信息，并不代表本站贊同其觀點，本站亦不保證或承諾內(nèi)容真實性等。需要轉(zhuǎn)載請聯(lián)系該專欄作者，如若文章內(nèi)容侵犯您的權(quán)益，請及時聯(lián)系本站刪除。

換一批