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[導(dǎo)讀]1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位,顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示,造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一

1Gb DDR2/DDR3內(nèi)存芯片的現(xiàn)貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位,顯示目前內(nèi)存芯片市場仍處于供不應(yīng)求的緊張局面。據(jù)消息來源表示,造成這種局面 的原因主要是內(nèi)存芯片廠商目前都在實施轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3芯片的動作;另外一方面,由于PC廠商事先預(yù)計到了這種狀況,因此這些廠商事先都采取了較大量訂貨的策 略,而這則進(jìn)一步加劇了這種危機。

據(jù)DRAMeXchange統(tǒng)計,3月18日,打標(biāo)和eTT(即經(jīng)過芯片廠商完全測試,但沒有打上原廠激光標(biāo)記的芯片)1Gb DDR2芯片的價格分別上升了3.97%和4.39%,達(dá)到2.72/2.71美元的水平。

于此同時,打標(biāo)1Gb DDR3內(nèi)存芯片的價格則上升了0.54%,達(dá)到2.93美元,而eTT 1Gb DDR3內(nèi)存芯片的價格則上漲了2.14%,達(dá)到2.86美元的水平。

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周四美股交易時段,受到“臺積電預(yù)期明年半導(dǎo)體行業(yè)可能衰退”的消息影響,包括英偉達(dá)、英特爾、阿斯麥等頭部公司均以大跌開盤,但在隨后兩個小時內(nèi)紛紛暴力拉漲,多家千億美元市值的巨頭較開盤低點向上漲幅竟能達(dá)到10%。

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在需求不振和出口受限等多重因素的影響下,全球半導(dǎo)體廠商正在經(jīng)歷行業(yè)低迷期。主要芯片廠商和設(shè)備供應(yīng)商今年以來股價集體腰斬。

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在半導(dǎo)體制造中,《國際器件和系統(tǒng)路線圖》將5nm工藝定義為繼7nm節(jié)點之后的MOSFET 技術(shù)節(jié)點。截至2019年,三星電子和臺積電已開始5nm節(jié)點的有限風(fēng)險生產(chǎn),并計劃在2020年開始批量生產(chǎn)。

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