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[導(dǎo)讀]Synopsys 5月19日宣布開(kāi)始提供用于中芯國(guó)際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進(jìn)IC產(chǎn)品市場(chǎng)主導(dǎo)的今天,中芯的這一舉

Synopsys 5月19日宣布開(kāi)始提供用于中芯國(guó)際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進(jìn)IC產(chǎn)品市場(chǎng)主導(dǎo)的今天,中芯的這一舉措有助于其進(jìn)一步拓展65nm產(chǎn)品線,快速量產(chǎn)65納米低漏電工藝,加快客戶的產(chǎn)品上市時(shí)間。

DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專(zhuān)為各種高市場(chǎng)容量移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的,這些應(yīng)用的關(guān)鍵要求包括要實(shí)現(xiàn)面積最小、低動(dòng)態(tài)和泄漏功耗等特性。此外,DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP內(nèi)建了調(diào)整電路,可支持快速的、芯片加工后的調(diào)整,以應(yīng)對(duì)意外的芯片/電路板寄生或工藝變化,而無(wú)需用戶對(duì)現(xiàn)有設(shè)計(jì)進(jìn)行修改。這一特性使得設(shè)計(jì)人員能夠提高良品率,并最大限度地降低昂貴的芯片改版成本。

“新思科技經(jīng)過(guò)硅驗(yàn)證的DesignWare USB2.0 nanoPHY IP與中芯國(guó)際低漏電65nm工藝技術(shù)相互融合,使得我們雙方的客戶能夠容易地將先進(jìn)功能集成到可幫助他們滿足低功耗要求、實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵上市時(shí)間目標(biāo)和快速投入量產(chǎn)的工藝中,”中芯國(guó)際高級(jí)副總裁兼首席業(yè)務(wù)官季克非表示,“近來(lái),客戶充分利用中芯國(guó)際65納米低漏電工藝和新思科技USB2.0 nanoPHY IP在硅晶片領(lǐng)域大獲成功,這讓我們信心倍增。我們將加強(qiáng)與新思科技的戰(zhàn)略和協(xié)同關(guān)系,利用我們業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的集成、功率效率和性價(jià)比,為我們的客戶提供明顯領(lǐng)先的優(yōu)勢(shì)。我們期待著與新思科技一如既往地開(kāi)展持續(xù)合作,并向更先進(jìn)的工藝制程邁進(jìn)。”

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