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化學(xué)氣相沉積鍺銻碲化物相變存儲器的商業(yè)化取得重大進(jìn)展

時間：2010-09-06 09:22:34

關(guān)鍵字：存儲器 ATM PCM DRAM

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[導(dǎo)讀]ATMI公司(NASDAQ:ATMI)和Ovonyx公司今日宣布，雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)方面取得突破性進(jìn)展。兩家企業(yè)正在合作開發(fā)的項目獲得重大進(jìn)步，該化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)的基于鍺

ATMI公司(NASDAQ:ATMI)和Ovonyx公司今日宣布，雙方在采用化學(xué)氣相沉積(CVD)工藝商業(yè)化生產(chǎn)基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)方面取得突破性進(jìn)展。兩家企業(yè)正在合作開發(fā)的項目獲得重大進(jìn)步，該化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)的基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)不僅能夠?qū)崿F(xiàn)按比例縮小，而且是一種具有成本競爭力的存儲器技術(shù)。由于具有獨特的性能，相變存儲器(PCM)是存儲器體系中的新生代產(chǎn)品，且是NOR型閃存的替代性產(chǎn)品;PCM還能擠占相當(dāng)大部分先進(jìn)技術(shù)節(jié)點的DRAM的市場。

此項研究在高長寬比的相變存儲器單元中實現(xiàn)了均勻沉積，與在可比的器件結(jié)構(gòu)上濺射沉積GST 225相比，顯示出了良好的電學(xué)特性。結(jié)果包括各種CVD合金的沉積，設(shè)定速度低于50納秒(ns)，典型耐受時間為108到1010個周期，100°C以上時數(shù)據(jù)保留時間為10年。最新合作研究的成果將作為同行評審的技術(shù)論文發(fā)表在九月份的《Electron Device Letters》上，重點介紹器件的電學(xué)性能。ATMI還將在歐洲\相變與Ovonics研討會(E/PCOS)上宣讀一篇關(guān)于化學(xué)氣相沉積工藝的論文。

“基于鍺銻碲化物的相變存儲器(PCM)仍然顯示出顯著的商業(yè)化潛力，是NOR型閃存和部分DRAM市場的一項替代性存儲器技術(shù)，”ATMI的執(zhí)行副總裁與微電子事業(yè)部總經(jīng)理Tod Higinbotham表示，“不過，在實現(xiàn)更快速地按比例縮小的道路上存在的挑戰(zhàn)之一，便是缺乏能夠生產(chǎn)可進(jìn)一步調(diào)低復(fù)位電流的完全密閉單元。降低復(fù)位電流可降低存儲器的耗電量，延長電池壽命和提高數(shù)據(jù)帶寬，這對于當(dāng)前以數(shù)據(jù)為中心的、高度便攜式的消費設(shè)備來說都是很重要的特征。”

兩家公司計劃向半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)授權(quán)這些技術(shù)，ATMI將提供相關(guān)的前驅(qū)材料和沉積技術(shù)，進(jìn)一步推動和促進(jìn)PCM高性能存儲應(yīng)用的商業(yè)化。ATMI將于2010年第四季度在300mm晶圓上展示CVD GST技術(shù)。

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