意法半導體宣布取得兩項重大技術進展，促使市場成功的STM32系列微控制器的性能和功耗獲得進一步提升，這兩項進展分別是：內(nèi)嵌90納米制程閃存的微控制器問世；推出業(yè)內(nèi)首款針對工業(yè)標準的ARM® Cortex™-M3內(nèi)核優(yōu)化的自適應實時（ART）存儲器加速器。
意法半導體的首批采用90nm嵌入式閃存制程生產(chǎn)的STM32微控制器的運行速度更快，功耗更低，外設集成度更高，片上存儲密度更大。90nm嵌入式閃存技術的性能已經(jīng)在智能卡和汽車電子IC上得到實證。意法半導體已于2009年發(fā)布了內(nèi)嵌90nm 閃存的微控制器的樣片。
由于ARM Cortex-M3的性能高于閃存技術，在運行頻率較高時，處理器必須等待閃存，意法半導體獨有的ART存儲器加速器可平衡這一固有的性能差距?，F(xiàn)在，在運行頻率達到120MHz時，CPU無需等待閃存，提高系統(tǒng)的總體速度和能效。
為了在這個頻率上釋放處理器的150 DMIPS的全部性能，加速器實現(xiàn)了指令預取隊列和分支緩存，從閃存執(zhí)行程序的速度達到120MHz，零等待狀態(tài)。其它品牌的Cortex-M3微控制器的性能只有在120MHz頻率以上才能超越，但是高頻率換來高功耗和高散熱量。
現(xiàn)在有了這種性能，開發(fā)人員可以在微控制器上執(zhí)行更多的系統(tǒng)功能，無需使用更加昂貴的微控制器或伴隨DSP芯片。例如，在多媒體應用中，客戶將能夠實現(xiàn)音頻編解碼、視頻處理、數(shù)據(jù)加密、數(shù)字過濾和多協(xié)議網(wǎng)關，剩余的資源足以處理其它任務。
最新采用90nm制程和ART存儲器加速器的多款STM32產(chǎn)品已通過“嵌入式微處理器測試基準協(xié)會”的CoreMark™ 測試。CoreMark測試結果證明，在時鐘速度100MHz時，STM32的執(zhí)行速度比Cortex-M競爭產(chǎn)品快8%。性能優(yōu)勢能夠保持在120MHz。CoreMark分析報告證實，STM32的動態(tài)功耗僅為188µA/MHz （98µA/CoreMark）。這相當于在120MHz時消耗 22.5mA電流（從閃存執(zhí)行代碼，ART加速器開啟，所有外設關閉）。
目前大客戶正在測試新的內(nèi)置ART存儲器加速器的90nm微控制器樣片。意法半導體將在今年下半年公布產(chǎn)品細節(jié)。
下載文檔今天，小編將在這篇文章中為大家?guī)鞰CU微控制器的有關報道，通過閱讀這篇文章，大家可以對MCU微控制器具備清晰的認識，主要內(nèi)容如下。
關鍵字： MCU 微控制器 物聯(lián)網(wǎng)
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