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升級(jí)到22nm Intel新晶圓廠首次破例參觀[多圖]

時(shí)間：2010-10-29 13:50:54

關(guān)鍵字：晶圓廠 Intel BSP FAB

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[導(dǎo)讀]　　Intel公司今天宣布，將在美國(guó)境內(nèi)投資60到80億美元，升級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)，并在俄勒岡州興建一座新的晶圓廠。　　根據(jù)該計(jì)劃，Intel將在美國(guó)俄勒岡州建立名為Fab D1X的新晶圓廠，預(yù)計(jì)該廠將于2013年投入研發(fā)工作，

　　Intel公司今天宣布，將在美國(guó)境內(nèi)投資60到80億美元，升級(jí)半導(dǎo)體制造技術(shù)，并在俄勒岡州興建一座新的晶圓廠。

　　根據(jù)該計(jì)劃，Intel將在美國(guó)俄勒岡州建立名為Fab D1X的新晶圓廠，預(yù)計(jì)該廠將于2013年投入研發(fā)工作，具體投產(chǎn)日期還未確定。同時(shí)，Intel位于美國(guó)亞利桑那州的Fab 12、Fab 32，以及位于俄勒岡州的Fab D1C和Fab D1D也將借助這筆投資，升級(jí)到22nm制程工藝。預(yù)計(jì)該項(xiàng)投資將能夠制造6000到8000個(gè)建筑工業(yè)崗位，并在完成后再制造800到1000個(gè)永久性高技術(shù)工作崗位。

　　Intel表示，目前公司制造處理器的速度相當(dāng)于每秒鐘100億個(gè)晶體管。但相比PC行業(yè)今年達(dá)到的每天100萬(wàn)臺(tái)的銷(xiāo)售速度，其產(chǎn)能仍然無(wú)法滿(mǎn)足需求，因此需要進(jìn)一步的投資來(lái)升級(jí)技術(shù)，擴(kuò)充產(chǎn)能。據(jù)稱(chēng)，新的Fab D1X未來(lái)將有能力升級(jí)制造450mm晶圓，相比目前最大的300mm晶圓進(jìn)一步提高產(chǎn)量降低成本。不過(guò)，該升級(jí)計(jì)劃目前還沒(méi)有具體時(shí)間表。

　　根據(jù)Intel的“Tick-Tock”技術(shù)升級(jí)路線(xiàn)圖，下一個(gè)“Tick”將是代號(hào)為Ivy Bridge的22nm工藝產(chǎn)品。預(yù)計(jì)該系列處理器將于2011年下半年投產(chǎn)，2012年初零售上市，此次四座工廠的制程升級(jí)很可能就是為這次換代做準(zhǔn)備。

　　Fab D1X設(shè)計(jì)圖，位于美國(guó)俄勒岡州Hillsboro，Intel Ronler Acres 園區(qū)

　　Fab D1C，位于美國(guó)俄勒岡州Hillsboro

　　Fab D1D，位于美國(guó)俄勒岡州Hillsboro

　　Fab 32，位于美國(guó)亞利桑那州Chandler

　　Intel、美光合資閃存制造企業(yè)IM Flash Technologies， LLC（IMFT）宣布已經(jīng)開(kāi)始試制25bn工藝NAND閃存芯片。除了紙面宣布外，他們實(shí)際上還邀請(qǐng)了多家媒體到IMFT位于美國(guó)猶他州Lehi的25nm工藝晶圓廠進(jìn)行參觀。

　　位于雪山腳下的IMFT工廠

　　工廠結(jié)構(gòu)，制造半導(dǎo)體產(chǎn)品最關(guān)鍵的無(wú)塵室位于第三層，加壓吊頂形成由上向下的氣流，設(shè)備維護(hù)工作則在二層的“SubFab”層完成。

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　　進(jìn)入無(wú)塵室之前的“打包”過(guò)程。（由于無(wú)塵室內(nèi)部的嚴(yán)格要求，實(shí)際上以下內(nèi)部照片均來(lái)自IMFT官方）

　　晶圓廠內(nèi)走廊，頂端的自動(dòng)運(yùn)輸系統(tǒng)（AMHS）正在以每小時(shí)13公里的速度將晶圓在各個(gè)制造環(huán)節(jié)間運(yùn)輸，24小時(shí)不停歇。每個(gè)運(yùn)載器都打在了一個(gè)FOUP（前端開(kāi)口片盒），其中可裝載最多25片300mm晶圓。

　　廠內(nèi)地面全部打孔，保證空氣從上向下流通，將落塵可能減到最小。

　　FOUP片盒掛接在一個(gè)制造階段設(shè)備上，后面的那個(gè)正在被AMHS吊起。

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　　幾乎所有制造過(guò)程均為自動(dòng)完成，因此廠內(nèi)大部分工人的工作就是保證這些設(shè)備正常運(yùn)行。

　　化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）車(chē)間

　　照明受限的光刻車(chē)間

　　一塊光刻掩膜，光刻過(guò)程簡(jiǎn)單的說(shuō)就是將這塊掩膜上圖案“縮印”到晶圓上。

　　光刻過(guò)程中的“校準(zhǔn)”

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　　實(shí)時(shí)缺陷監(jiān)測(cè)（RDA）

　　FOUP片盒中的300mm晶圓

　　PCper記者手持一片25nm工藝300mm晶圓，總?cè)萘砍^(guò)2TB。

　　300mm晶圓

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　　每片閃存顆粒die容量為8GB（每格2GB），面積167平方毫米。

　　Intel副總裁，NAND閃存業(yè)務(wù)總經(jīng)理Tom Rampone手持25nm顆粒

　　尺寸對(duì)比

　　從左到右分別是：

　　2003年130nm工藝128MB，2005年90nm工藝512MB，2007年50nm工藝1GB，2009年34nm工藝4GB以及現(xiàn)在的25nm工藝8GB閃存。最右側(cè)是標(biāo)準(zhǔn)的TSOP閃存封裝尺寸。

　　使用25nm工藝閃存，只需要單die芯片即可造出Class 10級(jí)SD卡。Intel計(jì)劃，今年將基于該閃存造出最大600GB的固態(tài)硬盤(pán)，而美光甚至計(jì)劃最大推出1TB SSD。

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