松下電工與東京農(nóng)工大學(xué)研究生院工學(xué)院使用5nm以下的硅元件,試制出向氙氣中放射電子從而得到可視光的發(fā)光元件。由于無需放電,可輕松提高發(fā)光效率。理論上能夠?qū)崿F(xiàn)150lm/W以上的發(fā)光效率。另一特點(diǎn)是:與熒光燈不同,不需要使用水銀。
該試制品向“納米硅電子源”施加電壓、產(chǎn)生高能量電子。利用了硅進(jìn)行納米級(jí)加工可放出電子的特性。通過向氙氣中放射該電子來直接激發(fā)氙氣分子。將產(chǎn)生波長(zhǎng)200nm以下的“真空紫外光”,照射到熒光體上就會(huì)變成可視光。
該技術(shù)有望應(yīng)用于高效、高亮度的照明器具。今后,還將通過弄清發(fā)光機(jī)理、優(yōu)化元件結(jié)構(gòu)來提高特性。
該技術(shù)的詳細(xì)內(nèi)容預(yù)定在08年7月13日~17日于波蘭舉辦的“The 21ST International Vacuum Nanoelectronics Conference”上發(fā)表。
編輯: 荒原
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