[導讀]松下電工與東京農工大學研究生院工學院使用5nm以下的硅元件，試制出向氙氣中放射電子從而得到可視光的發(fā)光元件。由于無需放電，可輕松提高發(fā)光效率。理論上能夠實現(xiàn)150lm/W以上的發(fā)光效率。另一特點是：與熒光燈不同
松下電工與東京農工大學研究生院工學院使用5nm以下的硅元件，試制出向氙氣中放射電子從而得到可視光的發(fā)光元件。由于無需放電，可輕松提高發(fā)光效率。理論上能夠實現(xiàn)150lm/W以上的發(fā)光效率。另一特點是：與熒光燈不同，不需要使用水銀。
該試制品向“納米硅電子源”施加電壓、產生高能量電子。利用了硅進行納米級加工可放出電子的特性。通過向氙氣中放射該電子來直接激發(fā)氙氣分子。將產生波長200nm以下的“真空紫外光”，照射到熒光體上就會變成可視光。
該技術有望應用于高效、高亮度的照明器具。今后，還將通過弄清發(fā)光機理、優(yōu)化元件結構來提高特性。
該技術的詳細內容預定在08年7月13日～17日于波蘭舉辦的“The 21ST International Vacuum Nanoelectronics Conference”上發(fā)表。
編輯： 荒原
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