據(jù)韓國(guó)媒體報(bào)道,首爾東部支檢刑事6部3日表示,三星電子的半導(dǎo)體核心技術(shù)先后6年期間經(jīng)由合作企業(yè),被泄露到海力士半導(dǎo)體。
首爾東部支檢刑事6部3日表示,對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備企業(yè)A公司副社長(zhǎng)郭某(47歲)和A公司韓國(guó)法人公司部長(zhǎng)金某(41歲)進(jìn)行了拘留起訴,對(duì)其他7名職員進(jìn)行了非拘留起訴。上述這些人涉嫌將三星電子半導(dǎo)體制作技術(shù)和營(yíng)業(yè)機(jī)密泄露至海力士,涉嫌違背有關(guān)防止不正當(dāng)競(jìng)爭(zhēng)和保護(hù)營(yíng)業(yè)機(jī)密的法律。
檢方同時(shí)還對(duì)接受營(yíng)業(yè)機(jī)密的海力士專務(wù)韓某(51歲)也進(jìn)行了拘留起訴,并對(duì)涉案的三星電子科長(zhǎng)南某(37歲)和其他8名職員進(jìn)行了不拘留起訴。對(duì)泄露機(jī)密的原三星電子任首席研究員羅某(現(xiàn)在A公司就職)發(fā)布了通緝令。
檢方介紹說(shuō),郭某和職員金某等人合謀,從2005年3月開(kāi)始,共偷取95件有關(guān)三星電子DREAM和存儲(chǔ)器制作工程的營(yíng)業(yè)機(jī)密,并將其中的13件轉(zhuǎn)交給海力士??偣?strong>海力士半導(dǎo)體制作的韓某涉嫌接收9件偷取的相關(guān)營(yíng)業(yè)機(jī)密。三星電子科長(zhǎng)南某涉嫌于2008年4月在美國(guó)硅谷將三星電子DREAM和NAND閃存以及下一代半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)計(jì)劃等泄露給對(duì)方。
這次技術(shù)泄露事件給三星電子造成了數(shù)千億韓元(推測(cè)值)的直接損失,而間接損失將達(dá)到數(shù)萬(wàn)億韓元。
編輯: 馮耀元
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