新罕布什爾州，納舒厄，2013年7月8日—GT Advanced Technologies(納斯達(dá)克：GTAT)今天推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產(chǎn)爐。 SiClone100采用升華生長技術(shù)，能生產(chǎn)出高品質(zhì)的半導(dǎo)體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經(jīng)擁有熱場、合格的晶體塊生產(chǎn)配方及正準(zhǔn)備開始量產(chǎn)的客戶。

GT的總裁兼首席執(zhí)行官Tom Gutierrez表示：“GT新推出的SiClone100爐將解決電力電子行業(yè)對更高品質(zhì)SiC材料的需求，這些材料將用于生產(chǎn)先進(jìn)的高功率及高頻設(shè)備。 SiClone100為我們的SiC產(chǎn)品藍(lán)圖奠定堅實基礎(chǔ)，根據(jù)藍(lán)圖我們預(yù)計在未來向客戶提供可生產(chǎn)八英寸SiC芯片的完整生產(chǎn)環(huán)境，包括配方、熱場及耗材?！?/p>

GT利用其在晶體生長技術(shù)領(lǐng)域深入的專業(yè)知識，為正在尋求“從實驗室向工廠轉(zhuǎn)化”的客戶提供高度可靠及經(jīng)驗證的平臺，幫助客戶開始量產(chǎn)SiC晶體塊。 SiClone100爐裝備有最先進(jìn)的控制系統(tǒng)，通過將爐電子與人機(jī)界面(HMI)相結(jié)合，實現(xiàn)生長過程的自動化。 SiClone100采用底部灌裝設(shè)計，從而令熱場灌裝變得簡單。 控制系統(tǒng)為用戶帶來更大的靈活性，用戶可根據(jù)需要制定過程配方及控制生產(chǎn)參數(shù)，例如溫度、剖面、斜度及氣流，從而改善持續(xù)運行的控制重復(fù)性，最終降低制造成本。 GT的現(xiàn)場工程師及支援團(tuán)隊將幫助客戶快速啟動量產(chǎn)。

本公司繼續(xù)預(yù)計SiC爐的銷售情況將僅占其2013歷年收入的1%以下，并預(yù)計2014年及之后的SiC爐收入情況將會逐步好轉(zhuǎn)，原因是新電力設(shè)備有關(guān)的設(shè)計周期較長。