因改造有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)機臺為雙流式，創(chuàng)造了高效率藍色發(fā)光二極體，改變了照明及輕薄顯示器的未來，而被贊譽為“藍光之父”的諾貝爾物理學獎得主中村修二博士，于2017年2月份前往臺灣中央研究院演講，以“The Invention of High Efficient Blue LEDs and Future Solid State Lighting”為題。

演說中，中村教授表示持續(xù)在研究如何制造更高演色性及更高外部量子效率(EQE)的發(fā)光二極體，提高演色性，可以提升照明應用或是顯示器的顏色表現(xiàn);而更高的外部量子效率，可以提升器件的發(fā)光效率。當然意料之中的，中村教授也談了一些有關激光照明的優(yōu)勢。

先回顧一下藍光的歷史，時間來到1980年代，當時對于藍光器件有兩種材料選擇，一種是ZnSe;另一種就是GaN，從Cross section TEM可以觀察到在ZnSe做成長時有好的品質，因為在GaN/Sapphire可以看到有一條一條黑色的線就是在半導體器件中常談論的缺陷，他是影響器件效率很大的兇手之一。在1989年代時，ZnSe on GaAs substrate具有高品質的結晶特性，同時有超過99%的研究者從事相關的研究工作，中村教授偏偏選擇了少于1%的人關注的GaN on Sapphire substrates，當時許多人都說GaN沒有未來，紛紛改投ZnSe的懷抱，中村的選擇可說是“背道而馳”。

至于之后中村修二如何離經(jīng)叛道，用GaN逆轉勝，就是大家耳熟能詳?shù)墓适铝恕?/p>

演講的內容也談到許多人擔心的藍害，但中村修二這次沒有忽視主流的聲音，在加利福尼亞大學圣塔芭芭拉分校的團隊從事開發(fā)Blue-free的LED，用來解決藍害的問題，演講中中村表示主要是將主發(fā)光層移到UV的區(qū)段，一般LED是成長在藍寶石基板(有些公司研發(fā)的技術是利用SiC基板與Si基板)，然而為了減少晶格不匹配而產(chǎn)生的應力效應會造成內部量子效率或外部量子效率的下降，中村的研發(fā)團隊則專心研究使用GaN基板，用以提升晶格匹配程度，其結晶品質相較于Sapphire或SiC基板都要來得高。

而中村修二成立公司Soraa， 亦往UV-LED的方向走，為了做到這一點，他們將GaN LED的發(fā)光峰值設計在在410nm～420nm之間的紫光，并搭配多磷光體混合物，使整個白光光譜覆蓋至700nm，這表示整個白光的頻譜將涵蓋人眼可視波長范圍(一般來說，人眼可是范圍約為400nm～700nm)，從紫光(400nm)到深紅色(700nm)連續(xù)且完整，這樣的好處是，使用者可以看到較為真實的白色。

在演講中，中村教授也提到，用LED當作白光是很棒的，但是若用激光則是更棒的一個想法，因為現(xiàn)行的LED結構若要發(fā)光60W的白幟燈，用現(xiàn)行的LED排列需要約28mm^2的面積，而目前他們研究的產(chǎn)品激光產(chǎn)品若要發(fā)光60W的白幟燈則需要大約0.3mm^2的面積，面積是大幅的縮小。

同時若使用激光器件后在增加電流密度后，外部量子效率竟然不會下降太多啊!這是多么厲害的一件事啊(這邊推薦大家去閱讀世界第一簡單的半導體原理 老葉科普堂(五))，因為從半導體器件物理可以知道LED或LD在增加電流密度后，雖然會越來越亮，但是會造成發(fā)光峰值紅移及外部量子效率下降，這是因為受到晶格震蕩的熱效應而造成的下降，因此在平板顯示或是照明的用途會更多元。

演講中，無線光通訊技術“Li-Fi”也是中村修二看重的技術，Li-Fi是使用發(fā)光二極體器件或激光器件作為資料傳輸?shù)膩碓?。因此想像一件事，燈具就是通訊的基地臺，將訊號投射到各處和橋接訊號，讓電腦、家電、手機等上網(wǎng)。中村修二也提及若使用發(fā)光二極體器件的Li-Fi，將會比Wi-Fi傳輸資料快上10倍以上，而激光器件的Li-Fi更快。不過也令人想到，如果下班關燈，那就沒有網(wǎng)路啦!所以時間到就不能辦公。

在演講結束后中村教授提及，在平板顯示科技應用上，LED跟OLED還是可以保持競爭的，并特別提及u-LED是可能的技術方向。

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