[導(dǎo)讀]隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體器件和集成電路事業(yè)恰逢?yáng)|風(fēng),日新月異。我國(guó)在該領(lǐng)域的研究逐步邁入世界先進(jìn)行列,具有一定的發(fā)展優(yōu)勢(shì)及規(guī)模。劉忠立教授作為國(guó)內(nèi)該學(xué)科研究的領(lǐng)軍人物之一,為半導(dǎo)體器件技術(shù)的國(guó)產(chǎn)
隨著信息產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,半導(dǎo)體器件和集成電路事業(yè)恰逢?yáng)|風(fēng),日新月異。我國(guó)在該領(lǐng)域的研究逐步邁入世界先進(jìn)行列,具有一定的發(fā)展優(yōu)勢(shì)及規(guī)模。劉忠立教授作為國(guó)內(nèi)該學(xué)科研究的領(lǐng)軍人物之一,為半導(dǎo)體器件技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化做出了卓越的貢獻(xiàn)。
劉忠立畢業(yè)于清華大學(xué)無線電電子學(xué)系半導(dǎo)體材料及器件專業(yè)。歷任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所微電子研究及發(fā)展中心主任、傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室副主任?,F(xiàn)任中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、博士生導(dǎo)師、創(chuàng)新重大項(xiàng)目“特種半導(dǎo)體器件及電路”負(fù)責(zé)人;兼任傳感技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室學(xué)術(shù)委員會(huì)委員、973國(guó)家重大基礎(chǔ)研究項(xiàng)目“面向功能重組結(jié)構(gòu)的DSP&CPU芯片及其軟件的基礎(chǔ)研究”專家委員會(huì)委員、中國(guó)電子學(xué)會(huì)核輻射電磁脈沖專委會(huì)委員、中國(guó)電子學(xué)會(huì)半導(dǎo)體與集成技術(shù)分會(huì)ICCAD專委會(huì)委員、科技部經(jīng)濟(jì)專家委員會(huì)專家、中國(guó)國(guó)際工程咨詢公司項(xiàng)目評(píng)估專家等職。這成串的職位背后蘊(yùn)涵著劉忠立無盡的拼搏與奮進(jìn)。
上世紀(jì)60年代中期,劉忠立和研究小組成員沖破重重障礙,試制成功MOSFET及低噪音JFET等器件,其后,在國(guó)內(nèi)率先建立了鈍化柵Si02中鈉離子的PSG(磷硅玻璃)方法、摻HCL高質(zhì)量柵Si02生長(zhǎng)等多項(xiàng)新工藝。由他主持的CMOS指針式電子手表電路研究,榮獲北京市科技二等獎(jiǎng)。
創(chuàng)新的理念激勵(lì)著他不斷前進(jìn),1980-1982年,他作為訪問學(xué)者在德國(guó)多特蒙德大學(xué)電子系從事新CMOS器件研究,首創(chuàng)性地提出并負(fù)責(zé)完成離子注入氮形成隱埋Si3N4的CMOS/SOI研究課題,得到國(guó)際同行的認(rèn)可。劉忠立憑借他精湛的專業(yè)理論知識(shí),先進(jìn)的創(chuàng)造性思維觀念,以及他特有的執(zhí)著與頑強(qiáng)向世人證明了中國(guó)半導(dǎo)體器件事業(yè)的發(fā)展實(shí)力?;貒?guó)后他又投入到抗輻射CMOS/SOS集成電路研究中,使CMOS/SOS電路的抗輻射指標(biāo)達(dá)到國(guó)際上相應(yīng)電路的最好水平,獲中科院科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。1987年承擔(dān)東Ⅱ(甲)長(zhǎng)壽命衛(wèi)星5個(gè)品種抗輻射CMOS/SOS電路研制,發(fā)明的專利填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)空白,被中科院授予科技進(jìn)步二等獎(jiǎng)。
1990-1991年受聘于德國(guó)著名的HMI研究所從事MOS器件抗輻射研究,成果顯著。在此期間完成專著一本,被高校選作參考教材。1992年負(fù)責(zé)的抗輻射加固COMS/SOS電路研制工作順利完成,標(biāo)志這一高難度技術(shù)在我國(guó)進(jìn)入成熟及實(shí)用階段。突出的成績(jī)使他榮獲光華基金個(gè)人二等獎(jiǎng)。
“八五”及“九五”期間,他負(fù)責(zé)多項(xiàng)國(guó)家重大預(yù)研課題,均已通過驗(yàn)收。同中科院微電子所合作完成64K抗輻射CMOS/SOISRAM院重點(diǎn)創(chuàng)新項(xiàng)目,目前正在開展更大規(guī)模的同類電路研究。同時(shí),他繼續(xù)開展SiGe/SOS、SiGe/SOIRF及寬帶隙(SiC)等器件研究,已取得國(guó)內(nèi)一流的研究成果,研制成高反壓SiC二極管、SiC肖特基二極管、SiCMOS管等。出色的科研工作使劉忠立研究員在國(guó)內(nèi)建立了一個(gè)抗輻射CMOS/SOS及CMOS/SOI研究基地,培養(yǎng)了眾多科研領(lǐng)域的中堅(jiān)力量。多年來,他把自己的創(chuàng)造性思維與研究心得凝結(jié)成文字,發(fā)表著作多部,重要論文80余篇。
獲得的榮耀激勵(lì)著劉忠立教授一如既往的在半導(dǎo)體器件領(lǐng)域不斷開拓進(jìn)取。
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北京2026年3月20日 /美通社/ -- 當(dāng)前,人工智能正以前所未有的速度重塑各行各業(yè),教育領(lǐng)域也迎來從知識(shí)灌輸?shù)剿仞B(yǎng)培育的深刻變革。如何培養(yǎng)適應(yīng)并引領(lǐng)未來的青少年,成為全社會(huì)共同關(guān)注的教育命題。 近日,中科院實(shí)驗(yàn)室...
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中科院
AI
AI技術(shù)
BSP
MOS管作為電壓控制型功率半導(dǎo)體器件,憑借高頻開關(guān)特性廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、逆變器等電力電子電路。在理想工況下,MOS管應(yīng)在導(dǎo)通與關(guān)斷狀態(tài)間瞬時(shí)切換,但實(shí)際應(yīng)用中,關(guān)斷緩慢導(dǎo)致器件長(zhǎng)時(shí)間停留于恒流區(qū)與夾斷區(qū)臨界點(diǎn)...
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半導(dǎo)體器件
電壓控制型
高頻
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管(JFET)作為單極型半導(dǎo)體器件,憑借輸入阻抗高、噪聲低、熱穩(wěn)定性好的優(yōu)勢(shì),在模擬電路、精密測(cè)量電路中應(yīng)用廣泛。其三個(gè)電極(柵極G、漏極D、源極S)的連接方式?jīng)Q定了工作特性,其中漏極與源極短接(D-S短接)的...
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結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
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VisIC Technologies宣布完成由全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者領(lǐng)投的2,600萬美元B輪融資,Hyundai Motor Company和Kia(統(tǒng)稱"HKMC")作為戰(zhàn)略投資者參投 以色列內(nèi)斯齊奧...
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現(xiàn)代汽車
SIC
VI
GAN
新竹2025年12月17日 /美通社/ -- 全球客制化存儲(chǔ)芯片解決方案設(shè)計(jì)公司愛普科技今日宣布,S-SiCapTM(Stack Silicon Capacitor)產(chǎn)品線持續(xù)深化技術(shù)布局,聚焦AI服務(wù)器與高性能計(jì)算(H...
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電動(dòng)汽車
長(zhǎng)沙2025年11月28日 /美通社/ -- 近日,三安光電旗下的湖南三安半導(dǎo)體有限責(zé)任公司(以下簡(jiǎn)稱"湖南三安")在長(zhǎng)沙隆重舉行以"全‘芯'力量,共赴理想"為主題的三安碳化硅芯片...
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SIC
深圳2025年11月12日 /美通社/ -- 11月7日至10日,中國(guó)電源領(lǐng)域規(guī)模最大、影響力最廣的行業(yè)盛會(huì)——CPEEC & CPSSC 2025在深圳寶安國(guó)際會(huì)展中心舉辦。三安光電旗下湖南三安半導(dǎo)體...
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半導(dǎo)體
PS
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寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體器件主要指基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料的器件。相較于傳統(tǒng)的硅(Si)基器件,它們具有諸多卓越的性能。例如,寬帶隙器件擁有更高的擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度,能夠承受更高的電壓;具備高電子遷移率,這使得...
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7月15日消息,近日,中國(guó)科學(xué)院發(fā)布重大科研成果:研發(fā)團(tuán)隊(duì)成功制備出一種新型納米涂層材料——“高熵鎧甲”。
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可控硅,即晶閘管,作為一種功率半導(dǎo)體器件,憑借其能夠在高電壓、大電流條件下實(shí)現(xiàn)電能控制的特性,被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子等眾多領(lǐng)域。在交流電路中,可控硅可用于調(diào)壓、整流、變頻等多種功能。然而,要實(shí)現(xiàn)精確的電能控制,不...
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可控硅
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半導(dǎo)體器件
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芯片
6月11日消息,深海探測(cè)對(duì)電池要求嚴(yán)苛,需在極端高壓、有限載重下攜更大電量。
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鋰電池
5月6日消息,中國(guó)科學(xué)院電工研究所日前宣布,該所王秋良院士團(tuán)隊(duì)成功研制出大口徑高場(chǎng)通用超導(dǎo)磁體。
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中科院
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常州2025年3月28日 /美通社/ -- 近日,位于天合光能的光伏科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室再次宣布,其研發(fā)的210大尺寸鈣鈦礦/晶體硅兩端疊層電池組件(面積3.1 m2),經(jīng)過TÜV南德意志集團(tuán)(T...
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BSP
中科院
在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域,三極管作為一種極為重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于信號(hào)放大、開關(guān)控制、振蕩電路等多種電路中。它能夠?qū)崿F(xiàn)電流的放大和信號(hào)的轉(zhuǎn)換,是構(gòu)建復(fù)雜電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)元件之一。然而,要充分發(fā)揮三極管的性能優(yōu)勢(shì),確保電路穩(wěn)...
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在電子電路領(lǐng)域,三極管和 MOS 管作為兩種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各類電路設(shè)計(jì)中。它們?cè)趯?shí)現(xiàn)電路功能時(shí)發(fā)揮著關(guān)鍵作用,但在控制方式上存在諸多明顯區(qū)別。深入了解這些區(qū)別,對(duì)于工程師進(jìn)行合理的電路設(shè)計(jì)、優(yōu)化電路性能以及...
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釋放8千崗位,吸引超1萬名碩博人才 上海2024年10月28日 /美通社/ -- 又到一年"金九銀十"求職季。10月23日,2024上海首屆千...
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中科院
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傳感器
半導(dǎo)體器件