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新型納機電開關(guān)存儲器問世，將與晶體管開關(guān)硅存儲器相抗衡

時間：2008-06-30 09:08:00
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劍橋大學Gehan Amaratunga教授領(lǐng)導(dǎo)科研組已開發(fā)出一種新穎的存儲器件，這種技術(shù)可與基于晶體管開關(guān)硅技術(shù)的傳統(tǒng)存儲器相媲美。

傳統(tǒng)的存儲芯片由晶體管、電阻和電容組成，通過光刻、刻蝕等工藝構(gòu)建在多層硅晶圓上。如今該技術(shù)已進步到了可在一塊小如針頭的硅芯片上集成數(shù)百萬個晶體管的水平，但許多研究人員斷言，這一形式的存儲器已發(fā)展到了極限。

業(yè)界研究人員一直在嘗試以機電驅(qū)動開關(guān)取代晶體管開關(guān)的存儲器。不同于晶體管，機電驅(qū)動開關(guān)包含了許多移動部件。機電驅(qū)動開關(guān)不僅具有出色的ON-OFF比和快速切換的優(yōu)點，而且開關(guān)和電容的物理分離意味著可大大減少數(shù)據(jù)泄漏問題。不過，這種技術(shù)涉及到的單元尺寸較大，制造工藝也更復(fù)雜，故迄今都還無法取代硅技術(shù)。

而Amaratunga教授與其開發(fā)團隊基于垂直排列的多壁碳納米管(CNT)創(chuàng)建了一種新穎的納機電(NEM)開關(guān)電容，能夠解決了上述問題。

NEW開關(guān)的制作步驟如下：1、金屬多壁碳納米管在電子束光刻定義的催化劑點上生長。2、利用氮化硅絕緣層涂敷納米管。3、濺射鉻，形成源極電容。4、濕法蝕刻形成漏極，這是該開關(guān)的移動部分。

盡管基于碳納米管的納機電開關(guān)以前也見報導(dǎo)，但這是首次研究人員能夠在大面積范圍內(nèi)以集成電路生產(chǎn)所需的精度控制納米管的數(shù)目和空間位置。

來源：EEFOCUS

作者：fengfeng

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