據(jù)韓國媒體報道，韓美兩國聯(lián)合科研組成功開發(fā)了將半導體電路堆疊，使半導體集成度得到提高的同時，減少批量生產(chǎn)成本的三維集成電路（3D-IC）商用化技術。
納米綜合Fab中心、美國風險企業(yè)BeSang和斯坦福納米Fab（SNF）11日下午在首爾洲際大酒店召開記者會表示，通過三維單一芯片集成電路，開發(fā)了可代替互補性氧化金屬半導體（CMOS）技術的3D-IC商用化技術。
在平面硅板形成電路的二維半導體，因小型化所致的成本上升及技術問題等，無法進一步實現(xiàn)小型化，因此半導體業(yè)界一直在研究三維半導體技術。
但三維半導體制造技術，需要高溫制造環(huán)境，且半導體層之間易出現(xiàn)缺陷，因此至今未能實現(xiàn)商用化。
但韓美研究組以180納米技術和8英寸硅半導體晶片，在400攝氏度以下低溫環(huán)境形成了三維集成電路。
研究組當天公開了利用新技術在180納米級8英寸硅晶片堆疊1.28億個立式半導體器件（兩層）的三位集成電路。
納米綜合Fab中心表示：“3D-IC技術形成立式半導體電路，這不僅提高單位面積上的集成度，還進行了堆疊，使集成度達到普通半導體的數(shù)十倍。”
該中心還表示：“此項技術將徹底改變截至目前的二維半導體集成電路生產(chǎn)體系，它不僅能夠顯著降低半導體生產(chǎn)成本，還將影響未來的幾代技術?！?nbsp;
納米綜合Fab中心、美國風險企業(yè)BeSang和斯坦福納米Fab（SNF）11日下午在首爾洲際大酒店召開記者會表示，通過三維單一芯片集成電路，開發(fā)了可代替互補性氧化金屬半導體（CMOS）技術的3D-IC商用化技術。
在平面硅板形成電路的二維半導體，因小型化所致的成本上升及技術問題等，無法進一步實現(xiàn)小型化，因此半導體業(yè)界一直在研究三維半導體技術。
但三維半導體制造技術，需要高溫制造環(huán)境，且半導體層之間易出現(xiàn)缺陷，因此至今未能實現(xiàn)商用化。
但韓美研究組以180納米技術和8英寸硅半導體晶片，在400攝氏度以下低溫環(huán)境形成了三維集成電路。
研究組當天公開了利用新技術在180納米級8英寸硅晶片堆疊1.28億個立式半導體器件（兩層）的三位集成電路。
納米綜合Fab中心表示：“3D-IC技術形成立式半導體電路，這不僅提高單位面積上的集成度，還進行了堆疊，使集成度達到普通半導體的數(shù)十倍。”
該中心還表示：“此項技術將徹底改變截至目前的二維半導體集成電路生產(chǎn)體系，它不僅能夠顯著降低半導體生產(chǎn)成本，還將影響未來的幾代技術?！?nbsp;
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