據(jù)EETimes報道,歐洲研發(fā)機(jī)構(gòu)IMEC首席運(yùn)營官Luc Van den Hove表示,IMEC將在2010年上半年制成預(yù)投產(chǎn)EUV(極紫外)光刻設(shè)備。
按照目前的進(jìn)程,該設(shè)備將于2012年在IMEC的300mm生產(chǎn)線上投產(chǎn)。盡管對于EUV在商業(yè)制造中的合理性尚存疑問,然而IMEC認(rèn)為光學(xué)光刻無法滿足22nm制程。因此,EUV是唯一的選擇。
2006年8月IMEC從ASML處獲得一臺原型設(shè)備,并在這臺原型設(shè)備上開發(fā)EUV設(shè)備。2007年4月完成首次曝光,2007年9月制成首款圖形。
IMEC在該設(shè)備上開展了許多工作,并與Intel和Samsung合作。32nm SRAM是目前獲得的最高水平產(chǎn)品。
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