據(jù)EETimes報(bào)道,歐洲研發(fā)機(jī)構(gòu)IMEC首席運(yùn)營(yíng)官Luc Van den Hove表示,IMEC將在2010年上半年制成預(yù)投產(chǎn)EUV(極紫外)光刻設(shè)備。
按照目前的進(jìn)程,該設(shè)備將于2012年在IMEC的300mm生產(chǎn)線上投產(chǎn)。盡管對(duì)于EUV在商業(yè)制造中的合理性尚存疑問(wèn),然而IMEC認(rèn)為光學(xué)光刻無(wú)法滿足22nm制程。因此,EUV是唯一的選擇。
2006年8月IMEC從ASML處獲得一臺(tái)原型設(shè)備,并在這臺(tái)原型設(shè)備上開(kāi)發(fā)EUV設(shè)備。2007年4月完成首次曝光,2007年9月制成首款圖形。
IMEC在該設(shè)備上開(kāi)展了許多工作,并與Intel和Samsung合作。32nm SRAM是目前獲得的最高水平產(chǎn)品。
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