日本的SiC功率半導(dǎo)體元件（以下簡稱功率元件）業(yè)務(wù)開始全面啟動(dòng)。集結(jié)產(chǎn)官學(xué)力量，使日本獲得該領(lǐng)域主導(dǎo)權(quán)的舉動(dòng)越來越活躍。

SiC是繼現(xiàn)有硅之后的新一代功率半導(dǎo)體的一種。特點(diǎn)是與硅功率元件相比，可以大幅削減逆變器和轉(zhuǎn)換器等功率轉(zhuǎn)換器的功率損耗。因此，全球都在積極研發(fā)SiC功率半導(dǎo)體元件。

在日本企業(yè)中，羅姆對SiC業(yè)務(wù)比較積極。該公司在日本企業(yè)中率先開始量產(chǎn)SiC功率元件，已從2010年4月下旬開始量產(chǎn)供貨耐壓為600V、輸出電流為10A的SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS110A系列”。迄今為止，世界上已有德國英飛凌科技（InfineonTechnologiesAG）、意法合資的意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics）以及美國Cree等歐美企業(yè)投產(chǎn)了SiC功率元件。

羅姆以外的日本企業(yè)也在計(jì)劃開展SiC功率元件業(yè)務(wù)。例如，新日本無線和三菱電機(jī)分別計(jì)劃在2010年10月前后和2011年度內(nèi)量產(chǎn)SiC制SBD。東芝和富士電機(jī)元件科技等正在快速推進(jìn)旨在使SiC功率元件實(shí)現(xiàn)實(shí)用化的研發(fā)工作。

對于制造SiC功率元件時(shí)不可缺少的SiC底板，日本企業(yè)也在積極對應(yīng)。例如，新日本制鐵已從2009年4月開始投產(chǎn)口徑為4英寸的SiC底板。羅姆在2009年收購了德國SiC底板廠商SiCrystal，穩(wěn)定采購底板已有眉目。此前SiC底板一直由歐美企業(yè)壟斷，尤其是美國Cree公司。

不僅是日本企業(yè)，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省也陸續(xù)出臺(tái)了扶持SiC業(yè)務(wù)發(fā)展的政策。例如，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省將從2010年度起開展“旨在實(shí)現(xiàn)低碳社會(huì)的新材料功率半導(dǎo)體項(xiàng)目”活動(dòng)。這是一個(gè)為期五年的項(xiàng)目，第一年度的預(yù)算為20億日元。此外，還成立了旨在廣泛集結(jié)與SiC相關(guān)企業(yè)和大學(xué)等機(jī)構(gòu)的“SiC聯(lián)盟”組織。該聯(lián)盟的目的是統(tǒng)管產(chǎn)官學(xué)各自進(jìn)行的所有SiC研發(fā)活動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)相互合作。

日本產(chǎn)官學(xué)的團(tuán)結(jié)一致是否可以使日本掌握SiC功率元件領(lǐng)域的主導(dǎo)權(quán)？2010年到2011年推出的各項(xiàng)措施將成為實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的關(guān)鍵。

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