2010年,半導(dǎo)體封裝業(yè)界,以銅引線鍵合為代表的低成本封裝技術(shù)吸引了眾多目光。雖然將來有望出現(xiàn)基于TSV(硅貫通孔)的三維積層等創(chuàng)新技術(shù),但目前的通貨緊縮對策成為最重要的課題。
2010年1月,SEMI公布了關(guān)于銅引線鍵合的調(diào)查結(jié)果。調(diào)查結(jié)果顯示,有41%的半導(dǎo)體廠商使用銅引線鍵合。封裝技術(shù)相關(guān)展會“NEPCONJAPAN2010”,也指出了以銅引線鍵合為首的低成本封裝技術(shù)的重要性。
走在此類低成本封裝技術(shù)前列的,是日本國外的后工藝專業(yè)廠商。例如,在銅引線鍵合的購買比例中,臺灣占到全球的39%,菲律賓占到全球的18%,日本僅占3%。先行者——臺灣日月光集團(tuán)(ASEGroup)表示,“采用銅引線鍵合的封裝供貨量截至2010年9月累計達(dá)到了10億個,實現(xiàn)了不亞于金線的質(zhì)量”。另外,臺灣日月光集團(tuán)預(yù)計2010年底的累計供貨量將達(dá)到20億個,年底之前將購買4000臺銅引線鍵合裝置。
日本也在推進(jìn)銅引線鍵合的開發(fā)工作。例如,富士通半導(dǎo)體已經(jīng)開始量產(chǎn)銅線產(chǎn)品,今后還準(zhǔn)備擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模。不過,難以實現(xiàn)如同金線產(chǎn)品那樣的穩(wěn)定生產(chǎn),因此富士通半導(dǎo)體表示“估計銅線產(chǎn)品的比例在2012年也只有幾十個百分比的水平”。
TSV及三維技術(shù)也取得進(jìn)展
另外,關(guān)于采用TSV的三維積層等前瞻技術(shù),其技術(shù)開發(fā)工作也正在穩(wěn)步推進(jìn)中。例如,爾必達(dá)存儲器為了量產(chǎn)采用TSV的新一代DRAM,正加速進(jìn)行技術(shù)開發(fā)(參閱本站報道3)。爾必達(dá)存儲器有兩大目的。一個是通過積層多個DRAM內(nèi)核來實現(xiàn)“超大容量DRAM”,另一個是實現(xiàn)以高帶寬連接邏輯LSI和DRAM的“超寬I/O”。
關(guān)于后者,爾必達(dá)存儲器已宣布將與臺灣力成科技(Powertech Technology,PTI)和臺灣聯(lián)華電子(United Microelectronics,UMC)合作(參閱本站報道4)。此外,TSV開發(fā)方面的相關(guān)合作動向也引人注目,例如住友精密和法國CEA-Leti將就新一代TSV的技術(shù)開發(fā)合作等。
使用無線方式而非TSV連接積層間芯片的技術(shù)也廣受關(guān)注。日本慶應(yīng)義塾大學(xué)教授黑田忠廣等人的研究小組,開發(fā)出了可以三維積層129個半導(dǎo)體芯片的磁場耦合技術(shù)。將該項技術(shù)用于內(nèi)存卡的研究也正在進(jìn)行之中。
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