東芝、閃迪今天同時(shí)宣布了世界上最先進(jìn)的15nm NAND閃存工藝，很快就都會(huì)投入量產(chǎn)。

東芝會(huì)在4月底搶先開始批量生產(chǎn)15nm工藝的閃存顆粒，地點(diǎn)在位于日本三重縣四日市業(yè)務(wù)部的Fab 5。

這是東芝最先進(jìn)的閃存晶圓廠，目前擁有業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的第二代19nm工藝，但很快就會(huì)被新的15nm所取代。

Fab 5工廠的二期工程也正在建設(shè)中，將來也會(huì)用于生產(chǎn)15nm閃存。

東芝表示，15nm工藝除了縮小芯片尺寸之外，還改進(jìn)了外圍電路技術(shù)，能夠獲得和第二代19nm工藝相同的寫入速度，同時(shí)借助新的高速接口，數(shù)據(jù)傳輸率提高了30％，達(dá)到533Mbps。

東芝首批量產(chǎn)的15nm工藝閃存顆粒是2bpc MLC 128Gb(16GB)，還在研究用于3bpc TLC顆粒，最晚6月份量產(chǎn)，配套的主控芯片也在開發(fā)之中，可用于智能手機(jī)、平板機(jī)、筆記本。

閃迪的量產(chǎn)時(shí)間稍晚一些，而且比較模糊，只說是今年下半年，可同時(shí)用于MLC、TLC閃存。

閃迪沒說量產(chǎn)的具體地方，但是考慮到Fab 5其實(shí)是東芝、閃迪合資興建的，估計(jì)也會(huì)在那里進(jìn)行。

新工藝依然搭配了閃迪的All-Bit-Line(ABL)架構(gòu)技術(shù)，擁有專利的變成算法、多級(jí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)管理機(jī)制。

不過關(guān)于壽命問題，兩家都完全沒有提及。我們知道，閃存顆粒工藝越先進(jìn)，就要付出擦寫周期越少的代價(jià)，不知道在15nm工藝上表現(xiàn)如何？又怎樣解決這一矛盾？