眾所周知，目前國內(nèi)也有一些公司研發(fā)了用于特定行業(yè)的閃存芯片，比如兆易創(chuàng)新的NOR閃存，其他還有一些嵌入式閃存。上海華虹半導(dǎo)體今天宣布其第三代90 納米嵌入式閃存(90nm eFlash)工藝平臺已成功實現(xiàn)量產(chǎn)。

根據(jù)華虹資料，華虹半導(dǎo)體一直深耕嵌入式非揮發(fā)性存儲器技術(shù)領(lǐng)域，通過不斷的技術(shù)創(chuàng)新，第三代90納米嵌入式閃存工藝平臺的Flash元胞尺寸較第二代工藝縮小近40%，再創(chuàng)全球晶圓代工廠90納米工藝節(jié)點嵌入式閃存技術(shù)的最小尺寸紀(jì)錄。Flash IP具有更明顯的面積優(yōu)勢，使得芯片整體面積進(jìn)一步減小，從而在單片晶圓上獲得更多裸芯片數(shù)量。與此同時，光罩層數(shù)也隨之進(jìn)一步減少，有效縮短了流片周期。而可靠性指標(biāo)繼續(xù)保持著高水準(zhǔn)，可達(dá)到10萬次擦寫及25年數(shù)據(jù)保持能力。

近年來，華虹半導(dǎo)體在90納米工藝節(jié)點連續(xù)成功推出三代閃存工藝平臺，在保持技術(shù)優(yōu)勢的同時，不斷探求更高性價比的解決方案。第三代工藝平臺的大規(guī)模穩(wěn)定量產(chǎn)，為電信卡、Ukey、交通卡等智能卡和安全芯片產(chǎn)品以及微控制器(MCU)等多元化產(chǎn)品提供持續(xù)穩(wěn)定的支持和解決方案。

華虹半導(dǎo)體執(zhí)行副總裁孔蔚然博士表示：“華虹半導(dǎo)體是嵌入式非易失性存儲器技術(shù)的領(lǐng)航者，未來將繼續(xù)聚焦200mm差異化技術(shù)的研發(fā)創(chuàng)新，面向高密度智能卡與高端微控制器市場，同時不斷致力于在功耗和面積方面提供顯著的優(yōu)化，將200mm現(xiàn)有的技術(shù)優(yōu)勢向300mm延伸，更好地服務(wù)國內(nèi)外半導(dǎo)體芯片設(shè)計公司，滿足市場需求。”

中國每年進(jìn)口價值1000億美元的存儲芯片，NAND閃存及DRAM內(nèi)存都要依賴進(jìn)口，目前國產(chǎn)閃存芯片的希望就是紫光集團(tuán)在武漢及成都兩處各自投資240億美元的存儲器基地了，不過真正規(guī)模量產(chǎn)還需要一年甚至更長時間。