美國加利福尼亞州弗里蒙特市——全球領(lǐng)先的半導體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團(納斯達克股票代碼：LRCX)今天宣布推出一種用于沉積低氟填充鎢薄膜的新型原子層沉積 (ALD) 工藝，標志著其業(yè)界領(lǐng)先的 ALTUS® 產(chǎn)品系列又添新成員。通過業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的低氟鎢(LFW) ALD 工藝，ALTUS Max E 系列能夠幫助存儲器芯片制造商應(yīng)對當前所面臨的諸多關(guān)鍵挑戰(zhàn)，從而推動3D NAND 及 DRAM 器件尺寸持續(xù)縮小。這一基于泛林業(yè)界領(lǐng)先的存儲器制造產(chǎn)品組合的全新系統(tǒng)正逐步吸引全球市場的關(guān)注，在推出后已被全球主要3D NAND和DRAM生產(chǎn)商投入使用，并且被用于許多新技術(shù)和產(chǎn)品的研發(fā)。

泛林集團首席運營官Tim Archer表示：“隨著消費者對電子設(shè)備性能要求的不斷提高，我們需要容量更大、性能更佳的存儲器，而沉積和刻蝕工藝技術(shù)正是生產(chǎn)先進存儲芯片的關(guān)鍵。此次發(fā)布的ALTUS Max E系列產(chǎn)品使進一步擴大了我們用于存儲器制造的產(chǎn)品組合，能夠幫助客戶牢牢把握下一波行業(yè)浪潮所帶來的機遇。在過去的十二個月里，3D NAND技術(shù)取得了快速發(fā)展，而我們的相應(yīng)設(shè)備交貨量也隨之翻了一番，從而使我們在3D NAND沉積和刻蝕設(shè)備市場占有了最大的份額。”

由于芯片制造商不斷增加3D NAND中的存儲單元層數(shù)，對于字線填充應(yīng)用中的鎢沉積工藝，有兩大問題日益突顯。首先，從鎢薄膜擴散到電介質(zhì)層的氟會導致多種物理缺陷;其次，對數(shù)超過 48 的器件中積累應(yīng)力較高，這將導致器件過度彎曲變形。這些缺陷和變形會影響產(chǎn)品良率，致使器件電氣性能和可靠性下降。上述問題要求我們必須大幅降低用于3D NAND中的鎢薄膜的氟含量和內(nèi)應(yīng)力。此外，隨著關(guān)鍵尺寸的不斷縮小，對于 DRAM 掩埋字線以及邏輯元件中的金屬柵極/金屬觸點應(yīng)用，降低電阻將變得更具挑戰(zhàn)。

泛林集團沉積產(chǎn)品事業(yè)部副總裁SeshaVaradarajan表示：“隨著存儲器芯片制造商不斷邁向更小的工藝節(jié)點，需要填充的器件結(jié)構(gòu)不斷變窄，深寬比不斷變大，結(jié)構(gòu)本身也日益復雜。泛林全新的低氟鎢原子層沉積解決方案在保持鎢填充性能和生產(chǎn)效率的前提下，利用一種受控的表面反應(yīng)來調(diào)節(jié)應(yīng)力和氟含量，并有效降低電阻。與傳統(tǒng)化學氣相沉積 (CVD)的鎢填充相比，ALTUS Max E 系列產(chǎn)品工藝可使檢測到的氟減少 100 倍、內(nèi)應(yīng)力降低10倍、薄膜電阻率降低 30%。這將幫助我們客戶應(yīng)對其當前在器件的尺寸縮小和系統(tǒng)集成上所面臨的最關(guān)鍵的挑戰(zhàn)。”

采用 LFW ALD 技術(shù)的 ALTUS Max E 系列產(chǎn)品可提供獨特的全 ALD 沉積工藝，在生產(chǎn)中使用了超過 1000 種的不同工藝模塊，并能充分利用泛林的PNL®(脈沖形核層)技術(shù)——這一技術(shù)已連續(xù)領(lǐng)先行業(yè)15年，被視作鎢原子層沉積的行業(yè)標桿。泛林憑借這一技術(shù)引領(lǐng)了化學氣相沉積鎢成核向原子層氣相沉積鎢成核的轉(zhuǎn)化，并依靠其推出的ALTUS® Max with PNLxT™, ALTUS® Max with LRWxT™, 以及ALTUS® Max ExtremeFill™等一系列產(chǎn)品，在提高填充性能的同時，進一步推動了低電阻鎢解決方案的發(fā)展，延續(xù)了泛林在這一領(lǐng)域的領(lǐng)導地位。

此外，ALTUS系列產(chǎn)品使用了泛林四站模塊 (QSM) 架構(gòu)，可以有效降低氟含量、應(yīng)力和電阻，實現(xiàn)鎢成核及鎢填充的各站優(yōu)化。同時，由于站溫可獨立設(shè)置，在實現(xiàn)上述優(yōu)化的同時不會犧牲填充性能。通過為每個系統(tǒng)提供多達 12 個基座，QSM 的配置還可最大限度地提高全 ALD 工藝的生產(chǎn)效率，進而實現(xiàn)當前業(yè)內(nèi)最高的器件生產(chǎn)效率。