4Mb并口非易失性F-RAM存儲(chǔ)器（Ramtron）
Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲(chǔ)器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM，具有高訪問速度、幾乎無(wú)限的讀/寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容，并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng)，以及許多以SRAM為基礎(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。此外，Ramtron 亦提供采用44 腳 TSOP封裝的4Mb并口F-RAM產(chǎn)品。
Ramtron 市場(chǎng)拓展經(jīng)理Duncan Bennett解釋道：“FM22LD16 可讓系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員以相同的占位面積提供多四倍的 F-RAM 容量，這種新型 4Mb FBGA封裝選擇對(duì)于電路板空間受限的 RAID 控制器和工業(yè) PC制造商別具吸引力。而 FM22LD16 無(wú)需電池，和具有更小的存儲(chǔ)器占位面積，是市場(chǎng)上空間效率最高的非易失性RAM產(chǎn)品。
產(chǎn)品特點(diǎn)
FM22LD16 是256K×16 的非易失性存儲(chǔ)器，采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)并行接口實(shí)現(xiàn)存取，存取的時(shí)間為55ns，而周期為110ns。該器件以 “無(wú)延遲” (No Delay) 寫入的總線速度進(jìn)行讀寫操作，耐久性至少為1E14 (100萬(wàn)億) 次寫入并提供10年的數(shù)據(jù)保存能力。
這種4Mb FRAM 是標(biāo)準(zhǔn)異步 SRAM 完全替代器件，但其性能卻優(yōu)越很多，因?yàn)樗谶M(jìn)行數(shù)據(jù)備份時(shí)不需電池，而且還具有單個(gè)芯片方式的固有高可靠性。FM22LD16是真正的表面安裝解決方案，與電池供電的SRAM不同，它無(wú)需電池連接的返工步驟，而且具有很高的耐潮濕、抗沖擊和振動(dòng)特性。
另外，F(xiàn)M22LD16 備有便于與現(xiàn)今高性能微處理器相連的接口，兼具高速頁(yè)面模式，能以高達(dá)40MHz的速度進(jìn)行4字節(jié) Burst讀/寫操作，這比其它非易失性存儲(chǔ)器的總線速度高出很多。該器件的工作電流更低于類似密度的其它非易失性存儲(chǔ)器，讀/寫操作時(shí)為8mA，而在待機(jī)模式下僅為90µA。FM22LD16在整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi) (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V電壓工作。
價(jià)格和供貨
Ramtron 現(xiàn)已提供FM22LD16的工程樣件，采用符合RoHS要求的48腳BGA封裝，小批量訂購(gòu)的起價(jià)為23美元。
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關(guān)鍵字： 隨機(jī)存儲(chǔ)器 指數(shù) 存儲(chǔ)器上海2022年9月14日 /美通社/ -- 生活質(zhì)量服務(wù)的全球領(lǐng)軍企業(yè)索迪斯亮相2022·IFMA中國(guó)全球碳中和峰會(huì)，并榮獲年度最佳設(shè)施管理戰(zhàn)略獎(jiǎng)，彰顯了其設(shè)施管理計(jì)劃促進(jìn)設(shè)施成功產(chǎn)生卓越積極影響并在推動(dòng)設(shè)...
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