低功耗DDR2動態(tài)存儲控制器（ARM）
ARM公司近日發(fā)布了ARM® PrimeCell® 低功耗 DDR2 （LPDDR2）動態(tài)存儲控制器（PL342），該存儲控制器為LPDDR2存儲系統(tǒng)提供高性能接口，提供比LPDDR存儲系統(tǒng)高兩倍以上的帶寬，并提供比標(biāo)準(zhǔn)DDR2存儲器高得多的功耗效率。
PL342存儲控制器補(bǔ)充了ARM現(xiàn)有的范圍廣泛的存儲控制器和物理IP，它將幫助SoC設(shè)計(jì)師充分利用LPDDR2，尤其在應(yīng)用程序方面，例如移動多媒體、網(wǎng)絡(luò)和消費(fèi)者應(yīng)用等，這些都要求高帶寬低功耗，并且有要求訪問共享存儲器的多重總線控制。LPDDR2存儲器正作為面向下一代移動設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的重要解決方案逐漸興起，而ARM也一直是定義LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC委員會中的積極參與者。
ARM PL342動態(tài)存儲控制器為AMBA® 3AXI™ 協(xié)議和LPDDR2存儲器提供了一個(gè)高度可配置的接口，使得存儲器接口能夠提供突破性的效率，通過仲裁和調(diào)度管理命令執(zhí)行，提供服務(wù)質(zhì)量（QoS）支持，并通過將存取器讀取時(shí)間最小化實(shí)現(xiàn)SoC性能的最大化。另外PL342存儲控制器具有大量的節(jié)能功能，包括在不影響數(shù)據(jù)流的前提下部分和全部關(guān)閉電源和提前給存儲器充電。
PL342存儲控制器的模塊化設(shè)計(jì)使它能夠通過改造來滿足多種動態(tài)存儲器的使用需求。未來的產(chǎn)品中還會加入對新的存儲器種類的支持，從而為現(xiàn)有的和計(jì)劃中的CPU和GPU核提供最佳的解決方案。
PL342存儲控制器是ARM存儲控制器系列新產(chǎn)品中的一個(gè)。其他新產(chǎn)品包括：
• 廣受歡迎的PL340 DDR/LPDDR動態(tài)存儲控制器的新版本，提供對LPDDR-NVM的支持
• PL341 DDR2動態(tài)存儲控制器的新版本，提供對ECC（錯誤更正碼)的支持——這對汽車和網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用來說至關(guān)重要。
ARM Fabric IP副總裁Keith Clarke表示：“由于對LPDDR2的使用越來越廣泛，設(shè)計(jì)師需要新的方法來填補(bǔ)外部存儲器和SoC處理器在性能表現(xiàn)方面的差距，從而充分利用先進(jìn)的低功耗存儲器系統(tǒng)。ARM PL342動態(tài)存儲控制器能夠幫助實(shí)現(xiàn)存儲器接口效率的最大化，恢復(fù)時(shí)間的最小化，確保QoS，同時(shí)將功耗最小化。ARM致力于內(nèi)部互連和外設(shè)IP方面的不斷創(chuàng)新，從而為主芯片板（backplane）提供整合的、優(yōu)化的解決方案?！?
PL342存儲控制器補(bǔ)充了ARM現(xiàn)有的范圍廣泛的存儲控制器和物理IP，它將幫助SoC設(shè)計(jì)師充分利用LPDDR2，尤其在應(yīng)用程序方面，例如移動多媒體、網(wǎng)絡(luò)和消費(fèi)者應(yīng)用等，這些都要求高帶寬低功耗，并且有要求訪問共享存儲器的多重總線控制。LPDDR2存儲器正作為面向下一代移動設(shè)備和嵌入式應(yīng)用的重要解決方案逐漸興起，而ARM也一直是定義LPDDR2標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC委員會中的積極參與者。
ARM PL342動態(tài)存儲控制器為AMBA® 3AXI™ 協(xié)議和LPDDR2存儲器提供了一個(gè)高度可配置的接口，使得存儲器接口能夠提供突破性的效率，通過仲裁和調(diào)度管理命令執(zhí)行，提供服務(wù)質(zhì)量（QoS）支持，并通過將存取器讀取時(shí)間最小化實(shí)現(xiàn)SoC性能的最大化。另外PL342存儲控制器具有大量的節(jié)能功能，包括在不影響數(shù)據(jù)流的前提下部分和全部關(guān)閉電源和提前給存儲器充電。
PL342存儲控制器的模塊化設(shè)計(jì)使它能夠通過改造來滿足多種動態(tài)存儲器的使用需求。未來的產(chǎn)品中還會加入對新的存儲器種類的支持，從而為現(xiàn)有的和計(jì)劃中的CPU和GPU核提供最佳的解決方案。
PL342存儲控制器是ARM存儲控制器系列新產(chǎn)品中的一個(gè)。其他新產(chǎn)品包括：
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