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  • 剖析驍龍840/845基于臺積電7nm打造的可能性

     臺積電當前的10nm工藝尚處于拉抬良率過程中，已經(jīng)開始急急高調(diào)宣傳7nm工藝，并且傳聞指高通可能回歸采用其7nm工藝生產(chǎn)下一代高端芯片驍龍 845 / 840，對于這個筆者認為很可能是又一個謊言! 臺積電7nm工藝能否按時量產(chǎn)存疑 自16nm FinFET工藝以來，臺積電一直都落后于三星。三星于2015年初量產(chǎn)14nm FinFET工藝，臺積電的16nm FinFET工藝則到同年三季度才量產(chǎn);前者于去年10月量產(chǎn)10nm工藝，臺積電方面雖然說今年初量產(chǎn)10nm工藝，但是采用該工藝的聯(lián)發(fā)科helio X30遲遲未能上市，讓人對其10nm工藝的規(guī)模量產(chǎn)存有較大疑問。 當前臺積電同時開發(fā)16nmFinFET的改進工藝12nm FinFET，10nm工藝良率還需要改善，目前已將大量精力投入采用10nm工藝生產(chǎn)蘋果的A11處理器，這一切都給它推進7nm工藝的研發(fā)造成干擾。 高通與三星的合作日益密切 2015年三星采用自己14nm FinFET工藝的Exynos 7420處理器性能和功耗表現(xiàn)卓越。臺積電的16nm FinFET工藝量產(chǎn)時間太晚導致高通不得不采用20nm工藝生產(chǎn)其高端芯片驍龍810，由于臺積電在20nm工藝上優(yōu)先照顧蘋果的A8處理器導致高通的驍龍810量產(chǎn)時間太晚缺乏足夠的時間進行優(yōu)化導致驍龍810出現(xiàn)發(fā)熱問題，進而導致2015年高通的高端芯片出貨量大跌六成，而讓三星的Exynos 7420獨霸這一年的Android市場。 受此影響，高通一怒之下離開臺積電，將其高端芯片轉(zhuǎn)由三星制造。2015年底的驍龍820、今年的驍龍835分別由三星的14nm FinFET、10nm工藝制造，性能和功耗都表現(xiàn)優(yōu)秀。作為對比的是，華為海思選用臺積電的16nm FinFET生產(chǎn)的麒麟950、聯(lián)發(fā)科采用其10nm工藝生產(chǎn)的helio X30俱出現(xiàn)量產(chǎn)時間延遲的問題。 去年高通的中端芯片驍龍625、近期的中高端芯片驍龍660都采用三星的14nmFinFET工藝，而這兩款芯片的上一代產(chǎn)品俱是采用臺積電的28nm工藝。從高端到中端芯片，高通正將更多的芯片訂單轉(zhuǎn)到三星，雙方的合作關(guān)系不斷加深。 臺積電的產(chǎn)能難以滿足高通和蘋果 高通和蘋果都是全球手機芯片的領導者，前者是全球最大的手機芯片企業(yè)，后者憑借iPhone、iPad等產(chǎn)品的熱銷每年消耗自家的A系處理器達到3億片左右，對先進制造工藝產(chǎn)能需求很大。 從臺積電獲得蘋果的A8處理器訂單開始，其每年都將其最先進工藝的產(chǎn)能優(yōu)先提供給蘋果，確保其A系處理器的規(guī)模量產(chǎn)，而其他芯片企業(yè)包括高通都因此受到影響，可見臺積電每年的先進工藝產(chǎn)能難以同時滿足高通和蘋果這兩個全球領先的芯片企業(yè)。 假如臺積電能如期在明年初量產(chǎn)其7nm工藝，初期由于良率較低恐怕難以同時滿足高通、華為海思、聯(lián)發(fā)科等的需求，而到了二季度又要將大量產(chǎn)能用于生產(chǎn)蘋果的A12處理器，這自然不得不讓高通思考轉(zhuǎn)用其7nm工藝所面臨的產(chǎn)能困擾。 相反，從三星之兩代先進工藝直都領先于臺積電量產(chǎn)來看，筆者認為其很可能再次在7nm工藝上取得領先。由于高通是三星7nm工藝的最大客戶，后者自然愿意提供最好的服務和更優(yōu)惠的價格，此前在與臺積電爭奪蘋果A系處理器的訂單時三星就顯示出更進取的態(tài)度，兩廂比較之下顯然高通選擇三星會比臺積電更合適。 其實在高通的驍龍835確定采用三星的10nm工藝生產(chǎn)之前，臺媒方面就一再傳出消息指高通會回歸結(jié)果被證實是謊言，如今高通回歸臺積電采用其7nm工藝可能是又一個謊言!

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  • 面對三星追趕,緊壓英特爾加速發(fā)展芯片業(yè)務

     IC Insights預計今年二季度Intel的營收為144億美元，三星則可能高達149億美元，這將是三星首次在半導體市場超過Intel奪得全球老大的位置。面對巨大的壓力，一直在存儲芯片業(yè)務上搖擺的Intel將需要在擴建大連工廠或收購美光上盡快做出抉擇，以確保自己在半導體市場的競爭優(yōu)勢。 Intel搖擺的存儲芯片業(yè)務戰(zhàn)略 面對三星的步步緊逼，Intel當然看在眼里，早在2012年存儲巨頭之一的爾必達倒閉，媒體報道指Intel開始大量招聘爾必達的工程師。發(fā)展存儲芯片業(yè)務除了對抗三星外，當時Intel的計劃是將內(nèi)存整合到處理器中，這樣可以大幅度提升整機的性能，增強Intel的處理器業(yè)務競爭力，畢竟隨著制造工藝的提升越來越困難，處理器的頻率提升受到功耗和目前硅材料的限制也有極限。 Intel是PC和服務器芯片市場的霸主，占有PC市場處理器約八成的市場份額，在服務器芯片市場更是占據(jù)超過九成的市場份額。近幾年P(guān)C市場的發(fā)展出現(xiàn)停滯跡象，ARM陣營推出的平板電腦侵占了部分PC市場，主要采用ARM架構(gòu)處理器的chromebook已在教育市場迅猛發(fā)展，這迫使Intel將希望放在依然擁有壟斷性優(yōu)勢的服務器芯片市場。 Intel占有競爭優(yōu)勢的服務器芯片市場也面臨著ARM陣營的進攻，高通、AMD都已開發(fā)出ARM架構(gòu)的服務器芯片，全球第四大服務器供應商華為也是中國最強大的手機芯片企業(yè)已針對服務器市場獲取ARM的授權(quán)開發(fā)自主架構(gòu)服務器芯片，面對著競爭對手的進攻如何強化自己的服務器芯片優(yōu)勢就成為Intel的重中之重，而發(fā)展存儲芯片業(yè)務如上述恰可以增強其服務器芯片的整體性能。 Intel發(fā)展存儲芯片業(yè)務的戰(zhàn)略卻一再搖擺，2015年底Intel宣布在中國大連投資55億美元生產(chǎn)存儲芯片，但是到去年7月卻又暫停了擴建大連工廠的計劃，消息指它有可能收購或控股美光，時至今日這兩個計劃都沒有明確的消息，如今面對三星的趕超將迫使它做出抉擇，到底要如何發(fā)展自己的存儲芯片業(yè)務。 發(fā)展存儲芯片業(yè)務有助于Intel加快工藝研發(fā) Intel同時擁有芯片設計和半導體制造業(yè)務。早幾年其通過Tick-Tock戰(zhàn)略成功壓制AMD的發(fā)展，即是第一年升級半導體制造工藝次年升級微架構(gòu)，由于AMD缺乏足夠的資金同時進行這兩項研發(fā)工作，迫使后者出售了半導體制造業(yè)務并衰落至今天的地位。 ARM陣營則與Intel不同，當前全球領先的兩大半導體制造企業(yè)三星和臺積電專注于半導體制造，ARM負責核心架構(gòu)研發(fā)，高通、蘋果、華為海思、三星等芯片設計企業(yè)負責設計芯片，形成一條完整的芯片設計制造鏈條，通過這種共同協(xié)作的方式與Intel的模式競爭，從目前來看ARM陣營的這種模式是相當有效的。 Intel則由于PC市場的衰落，導致這幾年在半導體工藝研發(fā)方面有逐漸落后于三星和臺積電的危險(當前Intel的14nmFinFET工藝其實與三星和臺積電目前最先進的10nm工藝相當)，預計明年后兩者量產(chǎn)7nm工藝后將有可能真正實現(xiàn)在工藝方面超越Intel，如果在半導體制造工藝方面被超越，ARM陣營對Intel的進攻將會更猛。 當前ARM陣營的蘋果開發(fā)的A10X處理器性能有望達到Intel的酷睿i水平，該芯片采用的正是臺積電的10nm工藝，由此可以推測蘋果的A11X處理器如果采用臺積電更先進的7nm工藝將有多么可怕的性能。 在這樣的情況下Intel急需加快其半導體制造工藝的研發(fā)，而發(fā)展存儲芯片業(yè)務恰恰有利于Intel加快工藝研發(fā)進度。三星作為全球最大的存儲芯片企業(yè)正是通過存儲芯片業(yè)務來錘煉自家的半導體制造工藝，而其在存儲芯片市場所獲得的豐厚利潤也為它研發(fā)半導體制造工藝提供了資金，幫助它成功趕超第一大半導體代工企業(yè)臺積電。 因此，筆者認為Intel有很大可能會加快其存儲芯片業(yè)務的發(fā)展，以應對三星和ARM陣營的挑戰(zhàn)，只不過目前不知道它會采取與美光合作還是收購后者的方式進行。對于美光來說其實也非常需要Intel的支持，它在存儲芯片業(yè)務方面與三星、東芝、SK海力士的競爭中已處于劣勢。

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  • AMD壓力山大！NV新顯卡又領先一整代

    近日，GPU技術(shù)大會正式拉開序幕，期間包括多達600場的主題演講。 昨天，我們認為AMD有望借此機會公布Vega的性能，但現(xiàn)在看來，事情推遲到了16日的專門活動中。 不過在日程中，依然有老朋友出現(xiàn)，NVIDIA CEO黃仁勛。 按計劃，周三，他將登臺演說，其中一個重要的議題就是NVIDIA的下一代GPU架構(gòu)，代號“Volta(伏特)”。 不過，也許他并不會談及消費級產(chǎn)品的進展，因為此次的Volta主要是服務IBM Power9高性能服務器的，后者支持NVlink 2，預計明年底發(fā)布。 目前，NV已經(jīng)宣布了多個集成Volta GPU的產(chǎn)品，包括人工智能超算SoC Xaiver。 現(xiàn)在已知的Volta核心規(guī)格并不多，包括HBM2顯存、12nm工藝等。 可能AMD被Ryzen轉(zhuǎn)移走太多資源，顯卡這塊的步伐明顯沒有NV快了。

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  • 臺積電產(chǎn)A11處理器 預估7月下旬量產(chǎn)交貨

     蘋果啟動新一代手機零組件備貨，臺積電以10奈米為蘋果生產(chǎn)A11處理器下月正式放量投片，預估7月下旬量產(chǎn)交貨，等于宣告蘋果新機iPhone 8將于7月密集備貨，讓整個蘋果供應鏈動起來。 臺積電預定在年底前為蘋果備貨1億顆的A11處理器，顥示蘋果仍看好十周年新機銷售，仍可締造歷年來最佳銷售紀錄。 法人看好，臺積電下半年營收成長動能強勁，買盤持續(xù)敲進，本周股價有機會挑戰(zhàn)站上200元，帶領臺股再攻萬點，其股價、市值將再改寫歷史新高紀錄。 臺積電上季法說會時曾釋出本季因主要客戶處于新舊產(chǎn)品交替或進行庫存調(diào)整，預估本季合并營收將季減8~9%，營收將介于2，130億元至2，160億元;毛利率略降至50.5%~52.5%;營業(yè)利益率約小幅下滑至39%~41%，預估4月合并營收將會明顯下滑，但法人認為利空已逐步消散，隨10奈米制程下半年量產(chǎn)，臺積電營收仍可展現(xiàn)強勁成長力道。 臺積電的10奈米制程是繼16奈米制程后的另一技術(shù)重要里程碑，雖然后來只導入聯(lián)發(fā)科、海思和蘋果三家公司的手機芯片，其余客戶決定大舉導入7奈米，但10奈米制程，幾乎是為蘋果新一代處理器A11量身打造的制程，因此何時放量投片，也成為全球關(guān)注蘋果啟動新手機備貨的重要指針。 臺積電供應鏈透露，臺積電原訂6月4日開始放量投片A11處理器，但時期延后一周至6月10日，雖凸顯10奈米制程遭遇難度比先前的16奈米還大，但在臺積電全力投入下，仍如期在6月初啟動放量投片，7月大量交貨。 臺積電預估，將在7月底為蘋果新機備貨5，000萬顆，凸顯臺積電10奈米制程正放量投片，以制程預估50天的周期計算，估計7月下旬密集交貨，等于宣告蘋果新機iPhone 8將于7月密集備貨，讓整個蘋果供應鏈動起來。 蘋果啟動新一代手機零組件備貨，臺積電以十奈米為蘋果代工A 11處理器下月正式放量投片，預估七月下旬量產(chǎn)交貨，意謂整個蘋果供應鏈將動起來。 臺積電預定在年底前為蘋果備貨一億元的A 11處理器，反應蘋果仍看好十周年新機銷售，仍可締造歷年來最佳銷售紀錄。 法人看好臺積電下半年營收成長動能強勁，買盤持續(xù)敲進，本周股價有機會挑戰(zhàn)站上兩百元，臺積電股價、市值將再改寫歷史新高。 臺積電的十奈米制程，是繼十六奈米制程后的另一技術(shù)重要里程碑，雖然后來只導入聯(lián)發(fā)科、海思和蘋果三家公司的手機芯片，其余客戶決定大舉導入七奈米，但十奈米制程，幾乎是為蘋果新一代處理器A 11量身打造的制程，因此何時放量投片，也成為全球關(guān)注蘋果啟動新手機備貨的重要指針。 臺積電供應鏈透露，臺積電原訂六月四日放量投片A 11處理器，但延后一周至六月十日，雖凸顯十奈米制程遭遇難度比十六奈米大，但臺積電全力投入下，仍如期在六月初啟動放量投片，七月大量交貨。 臺積電預估將在七月底為蘋果新機備貨五千萬顆，顯示臺積電十奈米制程正放量投片，以制程預估五十天的周期計算，估計七月下旬密集交貨，等于宣告蘋果新機iPhone 8將于七月密集備貨，讓整個蘋果供應鏈動起來。 臺積電除了以十奈米為蘋果打造全新的A 11處理器外，也以新一代的整合型扇形封裝(InFO)提供封測服務，臺積電預估今年十奈米制程占全年營收約可達一成，以全年合并營收超越兆元的規(guī)模計算，估計可締造千億元的銷售金額;至于高階封測InFO，到今年第四季營收也可達一億美元。 臺積電除以10奈米為蘋果打造全新的A11處理器外，也以新一代的整合型扇形封裝(InFO)提供封測服務，預估今年10奈米制程占全年營收約可達10%，以全年合并營收超越兆元的規(guī)模計算，估計可締造千億元的銷售金額;至于高階封測InFO，到今年第4季，單季營收也可達1億美元，估計創(chuàng)造30多億元營收。 臺積電在本季也持續(xù)擴充28奈米產(chǎn)能，法人預估，下半年在10奈米/16奈米及28奈米制程同步增產(chǎn)下，臺積電全年營收和獲利仍可再創(chuàng)新猷。

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  • 驍龍835疑似出問題導致手機出現(xiàn)自動重開機的情況

     高通的Snapdragon 835芯片組疑似又出現(xiàn)問題，導致三星電子(Samsung)的Galaxy S8、小米的小米6手機都出現(xiàn)自動重開機的情況。 由于重開機不是出現(xiàn)在為手機充電時，就是出現(xiàn)在插入MicroSD記憶卡時，因此業(yè)界推測，這次事件的根源可能與電源管理的設計有關(guān)。 所幸這個問題不大，業(yè)界認為應可透過更新軟件來解決。 近來許多Galaxy S8及小米6手機用戶都在網(wǎng)站上留言表示，自己的智能型手機經(jīng)常會無故自動重開機。 其中，用戶最常遇到的問題是手機會在充電時自動重開機。 但也有Galaxy S8用戶發(fā)現(xiàn)，只要停用SD記憶卡，重開機的情況就能改善許多。 綜合網(wǎng)絡上用戶所描述的情況，芯片設計業(yè)內(nèi)人士認為，出問題的環(huán)節(jié)應該與電源管理的設計有關(guān)。 由于小米6和出問題的Galaxy S8，均采用高通Snapdragon 835處理器，因此與該處理器搭配，同樣由高通提供的電源管理芯片，很可能是造成問題的主因。 據(jù)了解，由于處理器芯片制程日益先進，電壓衰退(IR Drop)對處理器運作的影響變得更加明顯，只要電源管理芯片供應給處理器的電壓稍微衰退，就會讓處理器的時序(TIming)大幅飄移而無法正常運作，導致系統(tǒng)重開機。 事實上，除了Snapdragon 835，Snapdragon 820處理器也曾經(jīng)出現(xiàn)過類似問題。 后來業(yè)者透過修改韌體，提高電源管理芯片的輸出電壓，問題便獲得解決。 因此，這次用戶所遭遇到的問題，最后應該也會用類似的方法處理。 提高電源管理芯片的輸出電壓，會帶來電池續(xù)航力縮短、芯片溫度上升等副作用，但至少能讓手機維持正常運作。

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  • 北航大與微電子所成功制備國內(nèi)首個80納米磁隨機存儲器芯片器件

     近日，北京航空航天大學與微電子所聯(lián)合成功制備國內(nèi)首個80納米自旋轉(zhuǎn)移矩——磁隨機存儲器芯片(STT-MRAM)器件。 STT-MRAM是一種極具應用潛力的下一代新型存儲器解決方案。由于采用了大量的新材料、新結(jié)構(gòu)，加工制備難度極大。當前，美韓日三國在該項技術(shù)上全面領先，很有可能在繼硬盤、DRAM及閃存等存儲芯片之后再次實現(xiàn)對我國100%的壟斷。 微電子所集成電路先導工藝研發(fā)中心研究員趙超與北京航空航天大學教授趙巍勝的聯(lián)合團隊通過3年的艱苦攻關(guān)，在STT-MRAM關(guān)鍵工藝技術(shù)研究上實現(xiàn)了重要突破，在國內(nèi)首次采用可兼容CMOS工藝成功制備出直徑80nm磁隧道結(jié)，器件性能良好，其中器件核心參數(shù)包括隧穿磁阻效應達到92%，可實現(xiàn)純電流翻轉(zhuǎn)且電流密度達到國際領先水平。 在北京市科委的大力支持下，該工作完全采用了可兼容傳統(tǒng)CMOS集成電路的工藝方法和流程，具備向產(chǎn)品化、產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的條件，對我國存儲器產(chǎn)業(yè)的技術(shù)突破形成了具有實際意義的推動作用。 圖1． STT－MRAM存儲芯片器件原理圖 圖2． 直徑80nm MTJ器件俯視圖 圖3． 直徑80nm MTJ器件 圖4． TMR效應測試結(jié)果 圖5． STT效應測試結(jié)果

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  • 世強總裁肖慶：成為優(yōu)秀的員工要有三個特質(zhì)

     “我們自己的未來包括我的未來、包括市場的未來全都靠自己奮斗出來的。” 在2017年4月世強的一次內(nèi)部表彰大會中，世強總裁肖慶總結(jié)了優(yōu)秀員工需要的三個特質(zhì)，以此來“敲打”員工。以下為講話實錄。 一、善于改變，是優(yōu)秀員工的第一個核心特質(zhì) 世界一直在變，過去五年的變化比以往十年、二十年的變化還要多，我們?nèi)绻蛔兙丸F定會成為衰落的組織。 世強有一批非常優(yōu)秀的員工，在過去的一年，驅(qū)動著公司各個方面的改變，包括業(yè)務模式、管理流程、服務模式、甚至我們整個系統(tǒng)都在改變。對于世強而言，最大的改變就是擁抱互聯(lián)網(wǎng)。 互聯(lián)網(wǎng)給這個世界帶來了非常巨大的改變，每個人都可以感受到，但是我們作為傳統(tǒng)企業(yè)，不是每個人都跟進了這些改變，好在我們當中還是有一部分同事，一部分楷模，已經(jīng)在開始擁抱互聯(lián)網(wǎng)，這才有了我們現(xiàn)在的世強元件電商電商，并讓其保持一個高速發(fā)展的狀態(tài)。 二，持續(xù)改進，是優(yōu)秀員工的第二個必備特質(zhì)。 優(yōu)秀員工還有一種特質(zhì)就是持續(xù)改進，讓自己成為改變的一部分。 有一個常見的場景，在公司里我們偶爾會看到一些抱怨，抱怨其他部門有一些流程沒有及時處理，抱怨其他人下單下晚了等等，來給自己的拖延或者工作沒有按時完成找理由……但是優(yōu)秀的員工，他們面對這些不會抱怨，而是自己驅(qū)動改變。 公司不是一個虛無的概念，是真正由大家所組成的，所有的流程、規(guī)定、系統(tǒng)、基礎設施，所有我們所抱怨的或者我們所喜歡的都是我們自己做出來的。只有我們自己驅(qū)動改變，把自己變成改變的一部分，才能解決問題，促進公司和自我的快速發(fā)展。 三、積極奮斗，是優(yōu)秀員工的第三個特質(zhì) 在世強，我們很多日常工作的KPI考核設置核心目的都是基于為客戶創(chuàng)造價值，如果一個公司不能給客戶創(chuàng)造價值，那這個公司沒有存在的意義，希望世強的員工可以通過服務創(chuàng)新，不斷的為客戶創(chuàng)造價值。 世強現(xiàn)在的文化就是積極和奮斗，我們必須比我們想得到的還要積極非常非常多。我始終認為，我們自己的美好未來一定是靠自己奮斗出來的，而不是靠在旁邊羨慕別人出來的，也不是靠所謂天天跳槽跳出來的，我們自己的未來包括我的未來、包括市場的未來全都靠我們自己奮斗出來的。我希望大家仔細思考這個。 中國的傳統(tǒng)文化里有個理念就是“槍打出頭鳥”，這讓員工變得比較消極，被動，即便我們心里想著應該要積極，但我們做的時候往往會受影響。這是需要大家調(diào)整的。 13年世強談調(diào)整，現(xiàn)在三年過去了，我們在談改變。世強從建立到現(xiàn)在已經(jīng)20多年，我們經(jīng)歷過很多煎熬，也通過大家卓越而持續(xù)的努力，讓世強進入到一個非常好的階段。我們已經(jīng)可以預見到，未來的五到十年，無論是傳統(tǒng)分銷和世強元件電商這一線上業(yè)務都會有一個非常大的飛速發(fā)展，這是毫無疑問的，而這個飛速發(fā)展我希望大家都成為其中的一部分。也希望通過大家的共同努力，讓世強成為每個人心目中理想的“世強”。

    半導體 互聯(lián)網(wǎng) 世強

  • Vishay公布2017年新“Super 12”明星產(chǎn)品

    日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，公布2017年的“Super 12”明星產(chǎn)品。每一年，Vishay都會精選出12個采用新技術(shù)或改進技術(shù)，能夠顯著提高終端產(chǎn)品和系統(tǒng)性能的重要半導體和無源元器件。Vishay的“Super 12”精選產(chǎn)品彰顯了公司在半導體和無源元件領域的領先實力，是Vishay廣泛產(chǎn)品組合的集中體現(xiàn)。 2017年Super 12產(chǎn)品如下： Vishay Siliconix SQJQ480E 80V N溝道 TrenchFET® 功率MOSFET - 這顆汽車級MOSFET采用厚度1.9mm的小尺寸PowerPAK® 8x8L封裝，導通電阻低至3mΩ，可減小傳導損耗和功率損耗，提高效率，而且可以在+175℃高溫下工作。 Vishay T59系列vPolyTanTM多陽極聚合物表面貼裝片式電容器 - T59系列采用聚合物鉭技術(shù)和Vishay的專利多陣列包裝(MAP)，實現(xiàn)了業(yè)內(nèi)最高的容值密度，同時保持25mΩ的最佳ESR。電容器采用模塑EE(7343-43)外形編碼，單位體積效率比類似器件高25%。 Vishay Semiconductors VCNL4035X01接近和環(huán)境光傳感器 - 全集成的VCNL4035X01在小尺寸表面貼裝封裝里組合了接近和環(huán)境光的光探測器、信號調(diào)理IC、16位ADC，以及最多支持3個外置IRED的驅(qū)動，可用于便攜式電子產(chǎn)品和智能家居中的手勢識別、工業(yè)和汽車應用。 Vishay Dale WSLF2512 SMD Power Metal Strip®檢流電阻 - WSLF2512的額定功率達6W，電阻芯的TCR低至±20ppm/℃，電阻值只有0.0003Ω，外形尺寸為2512，功率密度達到192W/平方英寸(0.3W/mm2)，在高功率電路中能節(jié)省電路板空間。 Vishay Semiconductors VTVSxxASMF系列SMD TVS保護二極管 - VTVSxxASMF系列器件是業(yè)內(nèi)首批實現(xiàn)2%雪崩擊穿電壓容差TVS，采用超薄SMF封裝，可承受400W、10/1000μs的高浪涌，適用于便攜式電子產(chǎn)品。 Vishay Dale IHLE-5A系列超薄、大電流電感器 - 汽車級IHLE-5A系列器件的外形尺寸為2525、3232和4040，采用能減小EMI的集成屏蔽，不需要使用分立的板級Faraday屏蔽，從而降低成本，節(jié)省電路板空間。 Vishay Siliconix SiC462同步microBUCK®穩(wěn)壓器 - SiC462集成了高邊和低邊MOSFET，在最高1MHz開關(guān)頻率下能連續(xù)輸出6A電流，可調(diào)的輸出電壓低至0.8V，輸入電壓為4.5V～60V。 Vishay MKP1847H交流濾波膜電容器 - MKP1847H經(jīng)過精心設計，能保證在各種工作條件下都保持極為穩(wěn)定的電容和ESR參數(shù)。該電容器非常適合高濕環(huán)境，是業(yè)內(nèi)首顆在額定電壓下完成1000小時的苛刻的耐濕性測試(85℃，85%相對濕度)的器件。 Vishay Semiconductors 10A～30A FRED Pt® Ultrafast整流器 - Vishay的這款超快整流器采用SMPD封裝，高度只有1.7mm，與TO-263封裝兼容。這顆器件通過AEC-Q101認證，可用于汽車和工業(yè)應用，能在+175℃高溫下工作，恢復時間只有25ns。 Vishay Dale IHXL-2000VZ-5A電感器 - IHXL-2000VZ-5A是業(yè)內(nèi)首顆通過AEC-Q200認證，在電感減小20%情況下飽和電流達到190A的電感器。器件的尺寸為50.8mm x 50.8mm x 21.5mm，其2000外形尺寸是這類復合材料電感器中最大的。 Vishay Siliconix SiRA20DP 25V N溝道TrenchFET功率MOSFET - SiRA20DP在10V下的導通電阻低至0.58mΩ，可減少傳導功率損耗，提高功率密度，其典型柵極電荷為61nC，可實現(xiàn)高效的DC/DC轉(zhuǎn)換。 Vishay DCRF水冷功率繞線電阻 - DCRF電阻的功率耗散高達9000W，功率處理能力比相同尺寸采用自然冷卻的電阻高10倍。電阻采用小尺寸的模塊化設計，高過載承受能力(2倍標稱功率下保持60秒)。

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  • 臺積電又來大訂單！高通845芯片來襲！

     雖然驍龍835剛剛推出，全球也僅僅發(fā)布了四款手機產(chǎn)品(索尼XZp、三星S8、小米6、夏普Aquos R)，雖然高通的驍龍 835 仍然是一款很難得的 SoC，但目前的報告已經(jīng)在尋求確認下一代 SoC 的開發(fā)了。不過好消息是，根據(jù)國外媒體消息稱，驍龍845已經(jīng)得到官方的確認。 據(jù)報道，在高通的開發(fā)者中心，droidholic扒出了三款全新的處理器(現(xiàn)在叫移動平臺)，即SDM630、、SDM660和SDM845。 不過現(xiàn)身高通官網(wǎng)不久，就被撤下來(好在外國媒體有截圖，不然就。。。) 另外，據(jù)爆料人士@i冰宇宙的消息，驍龍845處理器的研發(fā)代號為Napali，擁有多核心，并將會在年底亮相。除此之外，他便沒有透露更多的細節(jié)信息了。 此前有報道稱驍龍845將采用剛剛發(fā)布的三星第二代10nm工藝，與此同時，也有消息稱該芯片將采用7nm工藝制造，功耗方面將有更加出色的表現(xiàn)。 高通845或由臺積電代工，7nm工藝無敵! 按照現(xiàn)在臺灣產(chǎn)業(yè)鏈給出的消息顯示，高通將在下一代旗艦移動處理器上重選臺積電，也就是說驍龍845將會交給臺積電代工，采用7nm制程。而蘋果的A12也會使用這個工藝。不過今年所有處理器還都集中在10nm上，已經(jīng)到來的驍龍835、還有A11、麒麟970以及聯(lián)發(fā)科的Helio X30等。 據(jù)報道，臺積電的7nm工藝從今年4月份就已經(jīng)開始試產(chǎn)，而在明年首款7nm芯片就可以投入到生產(chǎn)之中了，對于已經(jīng)開始試產(chǎn)的7nm工藝，臺積電表示，與自家的10nm工藝相比，技術(shù)指標上，7nm工藝性能提升25%，功耗降低35%。臺積電7nm工藝進展之所以這么快，主要是它與10nm有95%的設備通用，所以進展神速。 按照臺積電給出的規(guī)劃，2018年將開始大規(guī)模鋪開7nm工藝，不過第一代不會用上EUV工藝，而2019年的第二代增強型7nm節(jié)點才會用上EUV工藝，而蘋果是后者的潛在大客戶。 臺積電或是7nm工藝最大贏家! 從目前的消息看來，目前將使用 7nm 工藝的應該只有驍龍 845 以及蘋果 A12 處理器。而高通也將計劃把處理器的代工交給臺積電完成。蘋果也應該會把 A12 代工訂單交給臺積電。臺積電看來又能拿到一個不錯的大訂單! 臺積電還表示，5nm 工藝預計將于 2019 年上半年試產(chǎn)。 這款驍龍845處理器到底如何?是否真的很強?就讓我們大家一起拭目以待吧。

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  • C&K 推出新的 PNP 系列密封按動開關(guān)

     C&K ─ 世界上最值得信賴的高品質(zhì)機電開關(guān)品牌之一 ─ 今日宣布推出 PNP 系列密封按動開關(guān)。PNP 系列開關(guān), 給交通運輸、工業(yè)控制、測試設備和自動化領域的設計師提供了一個新的高品質(zhì)、極其耐用的開關(guān)選項, 他們可以把 PNP 系列開關(guān)用于控制手柄、操縱桿、越野面板、液壓裝置、電源控制板、重型設備、工業(yè)儀表、升降設備、傳送帶控制裝置和其他應用。 C&K 的 PNP 系列密封按動開關(guān)采用 IP68 密封, 可承受惡劣的環(huán)境條件和強力水沖刷。PNP擁有多種封裝形式, 使用壽命可達 100萬次。PNP 系列既擁有 C&K 的 NP 系列開關(guān)同樣強大的開關(guān)性能和 5A 額定電流, 又擁有 C&K 的 AP 系列開關(guān)的經(jīng)濟性, 同時又擁有其全新的熱塑性封裝設計。 此外, PNP 系列的關(guān)鍵特性還包括： · 焊接引線更長, 易于安裝電線 · 焊接孔更大, 可容納多達兩根 22 號電線 · 高達 5A 的電阻性負載 · 符合 RoHS 標準 · 電氣功能：單刀單擲、單刀雙擲 · 擴展應用功能(配合電線、連接器、模塊) 現(xiàn)在 C&K 的新 PNP 系列密封按動開關(guān)已經(jīng)上市。

    半導體 密封 pnp c&k 按動開關(guān)

  • 可植入人體的半導體面世：可降解半導體基板

     長久以來人們都在幻想將芯片植入體內(nèi)來實現(xiàn)一些特殊用途，比如生命數(shù)據(jù)檢測、通信等等?，F(xiàn)在，借助科學家發(fā)明的新材料，我們距離實現(xiàn)這種愿望又近了一步。斯坦福大學Zhenan Bao率領的科研小組于當?shù)貢r間5月1日正式宣布，成功開發(fā)出可用于人體皮膚的可降解半導體基板。 這種基板能夠彎曲拉伸，不需要時便會分解為無毒無害的成分，十分適合于人體植入。 據(jù)介紹，這種可降解基板使用了特殊的化學鍵聚合物，能夠在一周時間內(nèi)溶于弱酸環(huán)境當中，比如醋。 另外，基板主要由鐵和纖維素組成，對人體無害，且容易被降解。 借助于該技術(shù)，科學家可以進一步制作出用于測量血壓、血糖值、汗液分析的一次性貼片，或者是待技術(shù)成熟后推出可植入性裝置。

    半導體 半導體 基板

  • 臺積電7nm技術(shù)試產(chǎn)成功：蘋果高通都有興趣

     今年手機搭載處理器的尖端科技，可能要停留在10nm技術(shù)領域了。隨著三星S8/小米6接二連三陸續(xù)上市，還有HTC U等旗艦手機即將發(fā)布，驍龍835旗艦手機是越來越多，不過高通肯定不打無準備之戰(zhàn)，被廠商重點提到的全球最強安卓芯片之驍龍835，早已被還未發(fā)布的驍龍840/845 在技術(shù)方面“斬于馬下”。 臺積電作為晶圓代工廠龍頭老大，也是蘋果鐘愛的芯片代工廠，這家廠商提前公布了最新信息，他們正在積極沖刺更先進的制程技術(shù)，其中 7nm制程已于今年4月開始試產(chǎn)，而5nm制程預計 2019 年上半年試產(chǎn)，2020年大規(guī)模量產(chǎn)。 作為和臺積電死對頭，三星電子的7nm則鎖定在今年上半年量產(chǎn)，旗艦手機對高端芯片依賴性很強，所以雙方都在力爭提供更為先進的芯片服務支持。 臺積電7nm芯片將應用在蘋果A12處理器上，高通840/845也會采用，高通甚至可能會與三星終止合作關(guān)系，轉(zhuǎn)由臺積電代工，三星在10nm芯片量產(chǎn)上，曝光良品率問題，高通 因此受到影響。 總之不管怎么說，無論在什么戰(zhàn)場上，都勝在兵貴神速，臺積電現(xiàn)在積極推進業(yè)務上的進度，也是為了趕超自家對頭三星，因為三星還有其他業(yè)務可以發(fā)展，芯片研發(fā)生產(chǎn)對臺積電而言，是大頭收入。

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  • 韓國3D NAND閃存Q3有望占全球一半市場

      SK海力士將于三季度最先推出72層的3D NAND 市場調(diào)查機構(gòu)DRAMeXchange周五發(fā)布的調(diào)查結(jié)果顯示，到今年三季度，三星電子、SK海力士等韓企的3D NAND閃存半導體在全球整體NAND閃存市場所占份額有望超過50%。 閃存是指在斷電情況下仍能存儲數(shù)據(jù)的半導體，主要用于智能手機等移動終端的周邊裝置。3D NAND在2D NAND的基礎上，增加了回路垂直排列，大大提高了性能和容量。新一代韓產(chǎn)3D NAND將陸續(xù)上市，三星電子和美光科技(Micron)等企業(yè)于今年二季度起量產(chǎn)64層3D NAND，SK海力士將于三季度在全球最先推出72層的3D NAND。 調(diào)查機構(gòu)同時預測，今年一整年NAND供應都會較為緊張。這是因為為準備下半年新品iPhone8的面市，蘋果公司正在累積所需零配件，且新一代儲存設備SSD相關(guān)企業(yè)的NAND需求增加。 三星電子去年四季度在全球NAND閃存市場占有率為37.1%，排名第一，SK海力士以9.6%排名第五，東芝(18.3%)、西部數(shù)據(jù)(17.7%)和美光(10.6%)分別位列第二至第四。如果SK海力士成功收購東芝儲存器，有望在NAND領域躍居第二。

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  • 我國集成電路市場自給率低 嚴重依賴進口

     近年來，中國的半導體產(chǎn)業(yè)雖然有其政府資金與政策的加持下，有著相當?shù)倪M展。不過，根據(jù)中國商業(yè)研究院的最新研究數(shù)據(jù)顯示，2017 年2 月份的中國進口集成電路數(shù)量達到248.23 億個，較2016 年同期成長23.5%。進口金額也達到169.7 億美元，較2016 年增長30.9%。如此顯示，中國半導體市場雖然積極發(fā)展自主供應鏈， 就當前仍舊擺脫不了對國外廠商的依賴，要達到完全自主的目標，還有一段長路要走。 根據(jù)統(tǒng)計資料顯示，2017 年2 月份中國進口集成電路248 .23 億個，較2016 年同期增長23.5%。合計2017 年1 到2 月的中國進口集成電路為491.29 億個，與2016 年同期相比成長11.6%。至于，在金額方面，2 月份中國集成電路進口金額為169.7 億美元，較2016 年同期成長30.9%。合計2017 年1 到2 月，中國的集成電路進口金額則是達326.6 億美元，也較2016 年成長14.4%。 如此顯示，做為全球大的集成電路消費國家，中國的集成電路市場自給率仍偏低，還依舊嚴重依賴進口。 據(jù)了解，2015 年中國集成電路消費市場規(guī)模達人民幣1.102 兆元，但當年中國的集成電路產(chǎn)業(yè)銷售金額僅為人民幣3，609.8 億元，自給率僅為三成，也就是約七成的集成電路產(chǎn)品仍依賴進口，使得集成電路進口總金額已經(jīng)超過同期原油進口金額，成為中國第一大進口商品。其中又以英特爾、三星、高通等為代表的國際企業(yè)，在技術(shù)、產(chǎn)品、上下游和市場等方面都擁有雄厚的綜合實力下，占據(jù)了中國集成電路市場主要市占率。 有鑒于中國針對集成電路的消費市場驚人，使得近年來中國集成電路產(chǎn)業(yè)在政府資金與政策的支援下，相較過往有長足發(fā)展，產(chǎn)業(yè)鏈也呈現(xiàn)細分且快速發(fā)展的態(tài)勢。尤其，在2014 年6 月，中國國務院發(fā)布了旨在促進集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》，明確將集成電路產(chǎn)業(yè)上發(fā)展提升至國家戰(zhàn)略，9 月份又成立中國國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司，對行業(yè)進行財政支持，以緩解集成電路企業(yè)融資瓶頸之后，從最新的數(shù)據(jù)來觀察，中國的機體店數(shù)市場仍嚴重依賴外商的供應。使得中國近年來的努力，受限于技術(shù)與人才的情況下，集成電路產(chǎn)業(yè)的自主能力還有加強的空間。 根據(jù)市場研究機構(gòu)IC Insights 日前的調(diào)查數(shù)據(jù)指出，2016 年全球半導體市場規(guī)模約3，600 億美元。最新的前20 家企業(yè)排名中，美國有8 家半導體廠入榜，日本、歐洲與臺灣各有3家，南韓與新加坡則分別各有兩家及一家企業(yè)擠進榜單;中國大陸則仍沒有一家企業(yè)上榜。顯示，中國在集成電路產(chǎn)業(yè)列為國家重要計劃后，預計2020 年核心基礎零組件與關(guān)鍵基礎材料自給率能達到達40%，2025 年進一步提升至70% 的目標來看，以2015 年中國國內(nèi)集成電路內(nèi)需市場自給率尚不及20% 的情況來看，要達到目標似乎有很大的難度。 根據(jù)中國在十三五計劃中的規(guī)劃，中國的半導體產(chǎn)業(yè)除晶圓代工與封裝測試的產(chǎn)能必須大幅擴充外，IC 設計企業(yè)需要在關(guān)鍵核心產(chǎn)品上投入更多研發(fā)。對此，IC Insights 就曾經(jīng)進一步表示，要達成中國政府的十三五規(guī)劃中，2025 年的集成電路自制率達70% 的目標，需要依靠兩個基本要素：也就是資金和技術(shù)，缺一不可。只是，目前在中國半導體產(chǎn)業(yè)不缺錢，只缺技術(shù)的情況下，藉由購并方式來取得技術(shù)也遭到各國的防堵。因此，人才的挖角就成為中國半導體產(chǎn)業(yè)提升技術(shù)層次的主要方式。只是，這樣的做法能獲得多少效益，就還有待進一步的觀察。 SIA：半導體年增幅創(chuàng)高，各區(qū)成長均達兩位數(shù) 半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)1 日公布，2017 年3 月全球半導體銷售額來到309 億美元，和前月相比，上揚1.6%。和去年同期相比，飆漲18.1%。今年第一季半導體銷售額為926 億美元，年增18.1%，但季減0.4%。 SIA 總裁兼執(zhí)行長John Neuffer 聲明稿指出，3 月全球半導體銷售穩(wěn)健成長，和去年同期相較，幅度激增;和上個月相較，則略為提高。半導體銷售年增18%，為2010 年10 月以來最高紀錄，各主要市場的年增幅均達兩位數(shù)。所有主要產(chǎn)品也都出現(xiàn)年增，記憶體持續(xù)引領成長。 和去年同期相比，中國勁揚26.7%;美洲提高21.9%、亞太/其他地區(qū)攀升11.9%、歐洲上揚11.1%、日本走升10.7%。 和前月相比，歐洲提升5.0%、日本揚升3.6%、亞太/其他地區(qū)走高2.9%、中國攀揚0.2%;不過美洲衰退0.5%。 1日費城半導體指數(shù)上漲0.98%(9.9 點)，收1，015.43 點。

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  • “公斤”新標準恐拉低半導體制程良率

     IC半導體業(yè)大震撼!國際通用百年的“公斤”定義明年將改變，但隸屬中國臺灣經(jīng)濟部的度量衡標準實驗室卻傳出目前仍籌不到經(jīng)費無法跟進，公斤量測校正標準將降為二級。如此將沖擊講求精準度的“納米”晶圓制程校正，臺灣引以為傲的IC半導體產(chǎn)業(yè)良率恐將大幅拉低。 臺灣量測標準降為二級 臺灣經(jīng)濟部標檢局昨日舉辦“國際計量趨勢研討會”，邀請國際度量衡委員會主席Dr. Barry Inglis等美日德專家，探討計量在產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中的運用與貢獻。國際度量衡委員會并與我國分享明年初將上路的四項國際單位制定義新改變，包括“公斤”(質(zhì)量)、“克耳文”(溫度)、安培(電流)、莫耳(物理量)。 標檢局官員指出，這四項中最重要的是“公斤”定義改變。過去準確衡量1公斤，靠的是質(zhì)量1公斤的“鉑銥公斤原器”，臺灣1995年引進放在新竹工研院的國家度量衡研究室。但這個公斤原器過去100年卻飄移50微克，相當一顆直徑0.4毫米的小沙粒，準確度產(chǎn)生偏差，因此國際度量衡大會明年將公布，改以物理性的“普朗克常數(shù)”去定義。 生產(chǎn)設備校正受影響 國際單位制度改變，臺灣當然也得跟進，不過因為提升實驗室相關(guān)檢測設備要花6億臺幣，經(jīng)濟部標檢局面臨“無錢可編”的窘境，將無法在明年跟上國際腳步。不過如此卻暗藏產(chǎn)業(yè)的大沖擊，尤其制程是以“納米”(10億分之一公尺)計算的IC半導體產(chǎn)業(yè)。 在半導體制程中，晶圓表面的清洗、蝕刻與研磨皆要仰賴特定化學溶液，標檢局官員指出，這些化學溶液量測如果有一點點誤差，都會影響良率。未來一旦臺灣跟不上國際最新腳步，國家度量衡實驗室的“鉑銥公斤原器”將被降為二級標準，產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)機器設備校正會受影響。因國際標準拉高，相對臺灣半導體良率會被拉低。 以先進的臺積電與聯(lián)電晶圓制程來說，良率均高達9成5，新標準改變將被拉低多少良率?臺灣標檢局官員分析，這將視不同產(chǎn)線與產(chǎn)品而定，但公斤新標準會比舊的精準2到4倍，將有一定程度影響。該局也只能極力爭取預算，目前仍無著落。

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