
小木發(fā)現(xiàn)線上的程序通過(guò)任務(wù)管理器發(fā)現(xiàn)內(nèi)存不斷的增長(zhǎng),懷疑是不是內(nèi)存泄漏呢?用戶態(tài)內(nèi)存泄漏可能是句柄泄漏,堆內(nèi)存泄露,Socket,?GDI對(duì)象等等。而對(duì)于C程序員來(lái)說(shuō),碰到最多的無(wú)疑是堆內(nèi)存泄露:也就是通過(guò)malloc或者new從堆上申請(qǐng)的內(nèi)存,使用完成后,并沒(méi)有釋放,導(dǎo)致程序使...
Windows中內(nèi)存泄露的文章已經(jīng)寫(xiě)過(guò)兩篇>"data-itemshowtype="11"tab="innerlink"data-linktype="2">和>"data-itemshowtype="11"tab="innerlink"data-linktype="2">。如果有...
在先前的文章中《近距離看GPU計(jì)算(2)》,我們談到GPU相比CPU有更大的內(nèi)存帶寬,此言不虛,這也是眾核GPU有源源不斷數(shù)據(jù)彈藥供給,能夠發(fā)揮強(qiáng)大算力的主要原因。如下表所示(GDDR和HBM都是GPU的顯存規(guī)格),基本上GPU的內(nèi)存帶寬要比CPU多一個(gè)數(shù)量級(jí)。但是考慮到GPU運(yùn)...
?什么是內(nèi)存對(duì)齊?理論上計(jì)算機(jī)對(duì)于任何變量的訪問(wèn)都可以從任意位置開(kāi)始,然而實(shí)際上系統(tǒng)會(huì)對(duì)這些變量的存放地址有限制,通常將變量首地址設(shè)為某個(gè)數(shù)N的倍數(shù),這就是內(nèi)存對(duì)齊。為什么要內(nèi)存對(duì)齊?1.硬件平臺(tái)限制,內(nèi)存以字節(jié)為單位,不同硬件平臺(tái)不一定支持任何內(nèi)存地址的存取,一般可能以雙字節(jié)、...
有一定C開(kāi)發(fā)經(jīng)驗(yàn)的同學(xué)大多數(shù)踩過(guò)內(nèi)存破壞的坑,有這么幾種現(xiàn)象:比如某個(gè)變量整形,在程序中只可能初始化或者賦值為1或者2,但是在使用的時(shí)候卻發(fā)現(xiàn)其為0或者其他的情況。對(duì)于其他類型,比如字符串等,可能出現(xiàn)了一種出乎意料的值!程序在堆上申請(qǐng)內(nèi)存或者釋放內(nèi)存的時(shí)候,在內(nèi)存充足的情況下,居...
在人腦中,海馬體負(fù)責(zé)記憶相關(guān)的重要功能。類似的,在電子系統(tǒng)中,扮演“海馬體”角色的則是存儲(chǔ)器。
一、內(nèi)存泄漏(memoryleak)1、內(nèi)存泄漏是指程序中已動(dòng)態(tài)分配的堆內(nèi)存由于某種原因未釋放或無(wú)法釋放,造成系統(tǒng)內(nèi)存的浪費(fèi),導(dǎo)致程序運(yùn)行速度減慢甚至系統(tǒng)奔潰等嚴(yán)重后果。2、一次內(nèi)訓(xùn)泄漏似乎不會(huì)有大的影響,但內(nèi)存泄漏后堆積的結(jié)果就是內(nèi)存溢出。3、內(nèi)存泄漏具有隱蔽性,積累性的特征,...
怒肝內(nèi)存!
如果你覺(jué)得這是一個(gè)非常簡(jiǎn)單的問(wèn)題,那么你真應(yīng)該好好讀讀本文,我敢保證這個(gè)問(wèn)題絕沒(méi)有你想象的那么簡(jiǎn)單。
介紹以一種創(chuàng)新的方式優(yōu)化 HugeTLB 對(duì)應(yīng)的 struct page 內(nèi)存占用。
初識(shí)內(nèi)存泄漏小白的練級(jí)之路少不了前輩們的語(yǔ)重心長(zhǎng)。
有極少量0.75MB在NUMA0。這是不是說(shuō)numactl -m 1沒(méi)有起作用呢?
今天分享的文章描繪出了一個(gè)真正的嵌入式程序員應(yīng)該是怎樣的模樣,其實(shí)bug菌一直覺(jué)得嵌入式程序員是一個(gè)程序員世界中的鬼斧神工,他們利用極其簡(jiǎn)約的"物件"構(gòu)造出精美的杰作!
“可用內(nèi)存”與“真實(shí)內(nèi)存”不符,到底算不算虛假宣傳?
安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布與全球內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先品牌美光科技簽署全球分銷協(xié)議。
free是查看內(nèi)存使用情況,包括物理內(nèi)存、交換內(nèi)存(swap)和內(nèi)核緩沖區(qū)內(nèi)存。
近年來(lái)在DRAM的工藝節(jié)點(diǎn)上,美光一直處于先行者的位置。近期在第四代DRAM工藝制程的研發(fā)中,美光也率先實(shí)現(xiàn)了突破并開(kāi)始量產(chǎn)1α DRAM產(chǎn)品。
作為一臺(tái)服務(wù)器來(lái)說(shuō),內(nèi)存并不是無(wú)限的,所以總會(huì)存在內(nèi)存耗盡的情況,那么當(dāng) Redis 服務(wù)器的內(nèi)存耗盡后,如果繼續(xù)執(zhí)行請(qǐng)求命令,Redis 會(huì)如何處理呢?
長(zhǎng)期以來(lái),中國(guó)在芯片市場(chǎng)缺少話語(yǔ)權(quán)和定價(jià)權(quán),這導(dǎo)致國(guó)內(nèi)一直被海外國(guó)際大廠壟斷。雖然我國(guó)已經(jīng)在盡力追趕,但技術(shù)上仍然與國(guó)際大廠有不小的差距。
助力數(shù)據(jù)密集型智能駕駛輔助、自動(dòng)剎車和駕駛預(yù)警系統(tǒng)