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器件

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電子、電工儀器上能獨(dú)立起控制變換作用的單元，常有幾個元件組成，有時也指較大的元件。

  • QTouch技術(shù)

    QTouch技術(shù)是Atmel觸摸技術(shù)部前身Quantum（量研科技）的專利。所開發(fā)的集成電路技術(shù)是基于電荷——傳輸電容式感測。QTouch IC檢測用傳感器芯片和簡單按鍵電極之間單連接來檢測觸摸（圖）。QTouch器件對未知電容的感測

  • 高精度16位/12位DAC（Maxim）

    Maxim推出引腳和軟件兼容的16位(MAX5138)和12位(MAX5139)高精度DAC。該系列DAC采用3mm x 3mm封裝，集成了高精度電壓基準(zhǔn)，具有優(yōu)異的線性度性能。器件的引腳和軟件兼容特性使設(shè)計(jì)者無需重新設(shè)計(jì)電路板或控制軟件即可

  • 德開發(fā)出超高效有機(jī)發(fā)光二極管

    　本報訊德國科學(xué)家開發(fā)出一種新型有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)，其產(chǎn)生的白光質(zhì)量可媲美白熾燈泡，而其能效甚至大大優(yōu)于熒光燈。該項(xiàng)研究的領(lǐng)導(dǎo)者、德國應(yīng)用光學(xué)研究所的塞巴斯蒂安•雷內(nèi)柯表示，該OLED原型也許將可成

  • QTouch技術(shù)

    QTouch技術(shù)

  • 測量器件功率和增益的方法

    RF晶體管和RF集成電路上的功率測量的復(fù)雜性日益增大。在高功率設(shè)備性能測量中，最重要的是測量飽和功率，由于很難用CW技術(shù)來評估參數(shù)，它通常在脈沖狀態(tài)下測試。本文介紹的方法消除了用于測量的經(jīng)典方法中的某

  • 增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

  • MEMS振蕩器與石英技術(shù)

    從簡單的精度約30 000ppm的RC振蕩器，到精度優(yōu)于0.001ppb的原子鐘，有很多滿足不同應(yīng)用要求的時鐘選項(xiàng)。多年以來，體聲波(BAW)晶體振蕩器可用以滿足大多數(shù)要求，它提供的精度在10ppm范圍內(nèi)。精度低一些的選擇，如SAW振蕩器、陶瓷振蕩器以及IC振蕩器，它們各自具有其滿足特定需求的優(yōu)勢。

  • 增強(qiáng)型25V及30V MOSFET（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道溝道 HEXFET 功率 MOSFET 。它們針對同步降壓轉(zhuǎn)換器和電池保護(hù)增強(qiáng)了轉(zhuǎn)換性能，適用于消費(fèi)和網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域的計(jì)算應(yīng)用。新 MOSFET 系列

  • 新型100V MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610

  • 新型100V MOSFET器件（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 為隔離式DC-DC應(yīng)用設(shè)計(jì)人員提供一款新型100V MOSFET器件FDMS86101，具有低達(dá)50% 的RDS(ON) 和出色的品質(zhì)因數(shù) (figure of merits, FOM)，有效提高電源設(shè)計(jì)的效率。FDMS8610

  • C8051F020單片機(jī)及其在總磷在線自動分析儀中的應(yīng)用

    1 概述 　　C8051F0XX系列單片機(jī)是Cygnal公司新推出的一種混合信號系統(tǒng)級單片機(jī)。該系列單片機(jī)片內(nèi)含CIP－51的CPU內(nèi)核，它的指令系統(tǒng)與MCS－51完全兼容。其中的C8051F020單片機(jī)含有64kB片內(nèi)Flash程序存儲器，4352B

  • LED器件對LED全彩顯示屏性能參數(shù)的影響

    李漫鐵 (深圳雷曼光電科技有限公司,深圳,518108) 摘要：本文從LED器件的參數(shù)著手，分析了LED器件的各類參數(shù)對LED全彩顯示屏整屏參數(shù)的影響，對LED顯示屏的參數(shù)控制和品質(zhì)提高具有指導(dǎo)意義。關(guān)鍵詞：LED；全彩顯示屏

  • Altium為OrCAD Capture用戶帶來新的生機(jī)

    繼 2009 年 4 月 21 日向電子設(shè)計(jì)人員提出“什么使您與眾不同”的問題之后，Altium再為前端電子設(shè)計(jì)人員推出功能強(qiáng)大的工具選擇，使他們能夠進(jìn)入全新的設(shè)計(jì)領(lǐng)域并在快速發(fā)展的行業(yè)中做到真正的“與眾不同”。Altium

  • 采用65納米工藝的SRAM（賽普拉斯）

    賽普拉斯日前宣布在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的

  • AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動IC（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動IC，適用于低、中、高壓汽車應(yīng)用，包括通用電機(jī)驅(qū)動器、汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器及混合動力系統(tǒng)驅(qū)動器。AUIRS4427S是一款低壓、高速功率MOSFET和

  • AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動IC（IR）

    國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS4427S雙低側(cè)驅(qū)動IC，適用于低、中、高壓汽車應(yīng)用，包括通用電機(jī)驅(qū)動器、汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器及混合動力系統(tǒng)驅(qū)動器。AUIRS4427S是一款低壓、高速功率MOSFET和

  • 低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）

    飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計(jì)的

  • 解讀FPGA設(shè)計(jì)的安全性

    　　與開發(fā)成本很高的ASIC相比，F(xiàn)PGA可重復(fù)編程的性能正受到系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的青睞。此外， FPGA的性能和功能也越來越強(qiáng)大，包括32位軟處理器、SERDES、 DSP塊和高性能的接口?，F(xiàn)在的低成本FPGA甚至可以滿足大批量的應(yīng)用。

  • 解讀FPGA設(shè)計(jì)的安全性

    　　與開發(fā)成本很高的ASIC相比，F(xiàn)PGA可重復(fù)編程的性能正受到系統(tǒng)設(shè)計(jì)者的青睞。此外， FPGA的性能和功能也越來越強(qiáng)大，包括32位軟處理器、SERDES、 DSP塊和高性能的接口。現(xiàn)在的低成本FPGA甚至可以滿足大批量的應(yīng)用。