低RDS(ON) 的20V的MOSFETFDMA6023PZT（飛兆）
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設(shè)計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET，能夠滿足便攜設(shè)計的嚴苛要求，采用延長電池壽命的技術(shù)，實現(xiàn)更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝，相比傳統(tǒng)的MOSFET，它具有出色的熱阻，能提供超卓的功率耗散，并可減少傳導損耗。該器件采用飛兆半導體性能先進的PowerTrench® MOSFET工藝技術(shù)，獲得極低的RDS(ON) 值、柵級電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD) — 這些都顯箸減少傳導損耗和提升開關(guān)性能。
FDMA6023PZT 是飛兆半導體全面的 MicroFET MOSFET 產(chǎn)品系列的一員，在應對當今功能豐富之便攜應用的功率設(shè)計挑戰(zhàn)方面起著關(guān)鍵的作用，該產(chǎn)品系列包括20V P溝道 PowerTrench MOSFET 器件FDMA1027PT，以及帶有肖特基二極管的20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。與常用于低壓設(shè)計的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比，這些產(chǎn)品的面積減小了 55% 而高度則降低達 50%。
下載文檔傳統(tǒng)上，耗盡型 MOSFET 被歸類為線性器件，因為源極和漏極之間的傳導通道無法被夾斷，因此不適合數(shù)字開關(guān)。這種誤解的種子是由 Dawon Kahng 博士播下的，他在 1959 年發(fā)明了第一個耗盡型 MOSFET——只...
關(guān)鍵字： MOSFET 數(shù)字開關(guān)北京2022年9月20日 /美通社/ -- 近日，國內(nèi)首批冷板式液冷數(shù)據(jù)中心核心器件技術(shù)規(guī)范順利通過項目評審和論證，在開放計算標準工作委員會（OCTC）獲批立項。浪潮信息作為標準主要發(fā)起單位和撰寫單位，將牽頭圍繞冷板、連...
關(guān)鍵字： OCT 器件 數(shù)據(jù)中心 TC
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