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[導讀]飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET,能夠滿足便攜設計的

飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為便攜應用的設計人員帶來具有業(yè)界最低RDS(ON) 的20V 2mm x 2mm x 0.55mm 薄型MicroFET MOSFET器件。FDMA6023PZT是采用緊湊、薄型封裝的雙P溝道MOSFET,能夠滿足便攜設計的嚴苛要求,采用延長電池壽命的技術,實現(xiàn)更薄、更小的應用。FDMA6023PZT采用超薄的微型引線框架的MicroFET 封裝,相比傳統(tǒng)的MOSFET,它具有出色的熱阻,能提供超卓的功率耗散,并可減少傳導損耗。該器件采用飛兆半導體性能先進的PowerTrench® MOSFET工藝技術,獲得極低的RDS(ON) 值、柵級電荷 (QG) 和米勒電荷 (QGD) — 這些都顯箸減少傳導損耗和提升開關性能。

 
FDMA6023PZT 是飛兆半導體全面的 MicroFET MOSFET 產(chǎn)品系列的一員,在應對當今功能豐富之便攜應用的功率設計挑戰(zhàn)方面起著關鍵的作用,該產(chǎn)品系列包括20V P溝道 PowerTrench MOSFET 器件FDMA1027PT,以及帶有肖特基二極管的20V P溝道PowerTrench MOSFET器件FDFMA2P853T。與常用于低壓設計的3mm x 3mm x 1.1mm MOSFET器件相比,這些產(chǎn)品的面積減小了 55% 而高度則降低達 50%。

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