
中國半導體行業(yè)協(xié)會封裝分會成立大會暨第一屆會員大會于2003年10月27日在上海浦東大酒店召開。62家會員單位,共86名代表參加會議。應邀貴賓、記者17人出席。中國半導體行業(yè)協(xié)會副理事長畢克允、董宗光、王芹生出席了
MAX8560/MAX8561/MAX8562降壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器專為那些優(yōu)先考慮小尺寸和高效率的應用優(yōu)化設計。它們利用專有的滯回PWM控制方案,允許用戶在效率和尺寸間取得最佳平衡。輸出電流保證可達500mA,同時靜態(tài)電流僅40µA
MAX1574充電泵型白光LED電源可提供恒定的驅(qū)動電流從而獲得一致的發(fā)光亮度。采用自適應的1x/2x充電泵電路,在單節(jié)鋰電池的電壓范圍內(nèi),具有180mA 的驅(qū)動能力和很高的效率。固定的開關頻率(1MHz)允許采用微型的外部器件
凌特公司(Linear Technology)推出一個采用 ThinSOTTM(SOT-23)封裝的降壓型 DC/DC 控制器 LTC3801。該產(chǎn)品專為延長電池使用壽命而設計,可將待機電流消耗降至僅為 16uA。LTC3801 在正常工作、輕負載時的突發(fā)模式(
凌特公司(Linear Technology)推出 LTC4059 微型單節(jié)鋰離子電池線性充電器,它無需使用 3 個分立功率組件,在不使系統(tǒng)溫度過高的情況下提高充電速度,并檢測和報告充電電流值。此外,該產(chǎn)品采用最小的封裝,但卻沒有
凌特公司(Linear Technology)宣布推出高效快速照相閃光燈電容充電器 LT3468。LT3468 是一個獨立的解決方案,用于照相閃光燈電容充電,所需線路板面積最小,無需軟件開發(fā)。LT3468 能迅速有效地給高壓(一般為 320 V
凌特公司(Linear Technology)推出一個 1.3MHz 升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器 LT3467,它兼有 42V、1.1A 內(nèi)部開關和軟啟動功能。LT3467 采用恒定頻率電流模式架構(gòu),在 2.4V 到 16V 輸入電壓范圍內(nèi)工作,從而使它成為單節(jié)鋰離
凌特公司(Linear Technology)宣布推出采用纖巧 6 引線 ThinSOT™(SOT-23)封裝的四路電源監(jiān)視器 LTC2903-1,它在 VCC 低至 500mV 時仍保證提供有效的 RESET# 信號。與傳統(tǒng)電源監(jiān)視器的 1V 電平相比,用低至
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出新型P溝道MOSFET器件FDJ129P,為便攜設備電源管理帶來綜合的性能和節(jié)省空間優(yōu)勢,這些設備包括移動電話、PDA、便攜音樂播放機、GPS接收裝置、低壓/低功率DC-DC轉(zhuǎn)換器及
Toshiba America Electronic Components, Inc. (TAEC) 今日在公布其借助無鉛封裝提供對環(huán)境友好的產(chǎn)品的計劃時宣布,該公司眾多功率半導體的很多類型都將采用無鉛封裝或無鉛涂層進行生產(chǎn)。由東芝公司 (Toshiba Corp.
安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN)致力于不斷推出高性能、節(jié)省空間的器件,新推出的五款保護器件在1.6 x 1.6 x 0.6 mm SOT553或SOT563單封裝內(nèi)集成了多個瞬變電壓抑制(TVS)元件。這些SOT5xx封裝TVS器件不
安森美半導體(美國納斯達克上市代號:ONNN)不斷提升產(chǎn)品性能,在其品種全面的分立元件系列中增添SOD-123FL封裝。這五十款器件[包括瞬變電壓抑制(TVS)元件與肖特基二極管]現(xiàn)已提供低厚度的扁平引腳封裝。今年稍后
凌特公司(Linear Technology)宣布推出分別為單路、雙路和四路軌至軌輸入和輸出的低功率運算放大器 LT1803、LT1804 和 LT1805。這些電壓反饋運算放大器具有高速性能、85MHz 增益帶寬積和 100V/us 轉(zhuǎn)換率,并結(jié)合了新
優(yōu)化的LFPAK封裝MOSFET具有接近于零的封裝電阻和低熱阻,電性能極好,所需元件數(shù)量更少皇家飛利浦電子集團擴展其功率MOSFET產(chǎn)品系列,推出創(chuàng)新性的SOT669無損封裝(LFPAK)。新LFPAK器件針對DC/DC轉(zhuǎn)換器應用而設計,
功率半導體專家國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新600V非穿通型 (NPT) IGBT,它們采用TO-220全絕緣型封裝 (Full-Pak),絕緣能力保證不低于2kV。新器件與IR新一代超快軟恢復二極管組合封裝,
日前,皇家飛利浦電子集團在創(chuàng)新性的低VCesa BISS晶體管產(chǎn)品系列中加入了非常重要的、性能大大提高的新成員,從而成為全球首個推出1612尺寸SOT666/SS-Mini封裝BISS晶體管的半導體廠商。PBSS4240V和PBSS5240V的集電極
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出三個系列總線開關CB3T、CB3Q以及CBT-C,進一步壯大了其信號開關產(chǎn)品家族。在無需信號緩沖(電流驅(qū)動)時,這些新型 FET 開關可為標準總線接口器件提供高性能、低功耗的替代品。由于同時
9月29日,飛兆半導體公司在蘇州的裝配、測試和自動倉儲工廠一期工程正式開業(yè)。該工廠主要用于封裝和測試邏輯器件、功率分立和功率模擬器件。該工廠位于蘇州市新加坡蘇州工業(yè)園,一期投資超過2億美元,于運河年2月開始
皇家飛利浦電子集團推出采用無引線四方扁平(QFN)技術的新一代小型分立無引線封裝。該新型SOT88x封裝系列是小體積應用設計師的最佳選擇,可減少系統(tǒng)PCB面積和高度,同時在真正大批量生產(chǎn)的封裝中增加“分立”功能。
張煦 昨天下午2時,英特爾CEO克瑞格-貝瑞特悄然抵達北京。這 位64歲的CEO來華第一天的訪問可謂分秒必爭。上午剛剛在成都拋出歷次來華訪問中最貴重的“禮 物”——投資3.75億美元在成都建新廠,下午抵京后就