
8月2日,西數(shù)公司今天宣布,6月中旬因?yàn)閿嚯妼?dǎo)致日本地區(qū)5座NAND閃存晶圓廠停產(chǎn)的事故基本上恢復(fù)運(yùn)營(yíng),此次事件損失了大約6EB容量的NAND閃存,約合3.4億美元。 當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月15日下午6點(diǎn)25
在全球云計(jì)算市場(chǎng),亞馬遜已經(jīng)成為市場(chǎng)份額遙遙領(lǐng)先對(duì)手的行業(yè)龍頭企業(yè),許多對(duì)手正在謀求縮小和亞馬遜的差距。不過亞馬遜也在通過并購繼續(xù)做大云計(jì)算實(shí)力。據(jù)外媒最新消息,亞馬遜日前收購了一家以色列云存儲(chǔ)相關(guān)企
韓國(guó)SK海力士日前發(fā)布財(cái)報(bào),Q2季度中營(yíng)收6.45萬億韓元,同比下滑38%,運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)只有6376億韓元,同比暴跌了89%,凈利潤(rùn)僅為5370億韓元,約合4.6億美元,同比暴跌了88%,創(chuàng)下了三年來最低
盡管日本方面上周末推出了第二波禁韓令,預(yù)計(jì)多達(dá)857種重要材料對(duì)韓國(guó)出口都會(huì)受到管制影響,此舉可能會(huì)影響韓國(guó)公司的半導(dǎo)體生產(chǎn),不過三星似乎并沒有因此停止在半導(dǎo)體領(lǐng)域擴(kuò)展。 在閃存、內(nèi)存等存儲(chǔ)芯片領(lǐng)域,
3D NAND Flash Memory(3D NAND Flash,3D NAND 閃存)的高密度發(fā)展正如火如荼地進(jìn)行著。通過增加存儲(chǔ)單元(Memory Cell)在垂直方向上的堆疊(3D堆疊)數(shù)量(Word Line的堆疊數(shù)),3D NAND閃存的高密度化、大容量化已經(jīng)基本得以實(shí)現(xiàn)。通過融合3D堆疊技術(shù)、多值存儲(chǔ)技術(shù)(在1個(gè)存儲(chǔ)單元上存儲(chǔ)多個(gè)bit的技術(shù)),獲得了具有較大存儲(chǔ)容量的Silicon Die(硅芯片)。
自從USB閃存盤最初面世以來,各種流言和傳說一直伴隨左右,其中流傳最廣的包括以下幾種:
8月10日晚,知名爆料博主@i冰宇宙公布了三星Note10的閃存性能測(cè)試數(shù)據(jù)。
北京(2019年8月9日)——8月6日至8日,圣克拉拉會(huì)議中心舉行閃存峰會(huì)(FMS),期間宣布美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra(桑杰·梅赫羅特拉)獲得2019年終身成就獎(jiǎng),表彰其“共同創(chuàng)立SanDisk,推動(dòng)閃存行業(yè)和市場(chǎng)的發(fā)展,以及對(duì)美光科技和半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的非凡領(lǐng)導(dǎo)力?!?/p>
由于被美國(guó)商務(wù)部制裁,華為的供應(yīng)鏈面臨斷供的風(fēng)險(xiǎn),特別是美國(guó)公司的芯片及軟件,除了CPU、射頻、網(wǎng)絡(luò)芯片之外,華為的閃存芯片也會(huì)受到壓力,智能手機(jī)、服務(wù)器、基站等產(chǎn)品中都會(huì)用到大量NAND閃存。 目前
臺(tái)北電腦展旗艦,AMD發(fā)布的銳龍三代平臺(tái)首次為消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)帶來了PCIe 4.0,群聯(lián)和慧榮則同時(shí)公布了各自的PCIe 4.0 SSD主控方案,技嘉、影馳、海盜船、威剛、博帝等廠商成為首批PCIe 4.
6月中旬全球第二大閃存供應(yīng)商?hào)|芝在日本5座NAND閃存工廠遭遇斷電事故,導(dǎo)致部分工廠要停產(chǎn)到這個(gè)月,再加上本月初爆發(fā)的日本與韓國(guó)之間的貿(mào)易制裁,連跌了6個(gè)季度的閃存市場(chǎng)存在著多種不確定性。 影響閃存價(jià)
SLC、MLC、TLC、QLC……一路發(fā)展下來,存儲(chǔ)密度和容量越來越高,成本越來越低,但是性能、可靠性、壽命卻是越來越短,只能不斷通過閃存、主控的各種優(yōu)化來維持。 雖然很多
7月11日消息,據(jù)BusinessKorea報(bào)道,三星電子計(jì)劃將NAND閃存價(jià)格提高10%,且美光科技有意效法。報(bào)道稱,NAND閃存的庫存已經(jīng)降至四周,約為DRAM的一半,但需求出現(xiàn)上揚(yáng)。Busine
說到存儲(chǔ)芯片,目前主要是指DRAM內(nèi)存、NAND閃存及少部分NOR閃存,內(nèi)存速度極快但成本貴,而且斷電不能保存數(shù)據(jù),NAND、NOR閃存可以保存數(shù)據(jù),成本也廉價(jià),不過性能、延遲是沒法跟內(nèi)存相比的。 在
三星,可謂內(nèi)外交困。上周發(fā)布的營(yíng)收前瞻顯示,由于內(nèi)存、閃存、面板、手機(jī)等多線失利,當(dāng)季利潤(rùn)可能不及去年同期的一半。同時(shí),日本自7月4日起制裁韓國(guó),限制3項(xiàng)關(guān)鍵半導(dǎo)體面板材料的出口,對(duì)三星在內(nèi)的科技企業(yè)
RF電路及傳感器或LCD陣列中分立單元的正常變化必須落在可接受的范圍內(nèi),否則組件就不能被采用?,F(xiàn)場(chǎng)可編程OTP存儲(chǔ)器提供了增加CMOS圖像傳感器和LCD良率的途徑,并且OTP存儲(chǔ)器使得這些組件被采用的比率更高,從而降低了最終的生產(chǎn)成本
作為NAND閃存的發(fā)明人,雖然市場(chǎng)地位已經(jīng)被三星超越,不過東芝存儲(chǔ)(Toshiba Memory)的名字已經(jīng)為人熟知,可惜今年10月開始這個(gè)名字就改為“Kioxia”,公司中文名為“鎧俠株式會(huì)社”。
業(yè)界普遍認(rèn)為未來從數(shù)據(jù)中將能挖掘出最大的價(jià)值,但要挖掘數(shù)據(jù)的價(jià)值除了需要很強(qiáng)的計(jì)算能力之外,數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)也非常關(guān)鍵。目前,新型存儲(chǔ)器也是領(lǐng)先的企業(yè)非常關(guān)注的一個(gè)方向,蘭開斯特大學(xué)(Lancaster U
6月中旬全球第二大閃存供應(yīng)商?hào)|芝在日本5座NAND閃存工廠遭遇斷電事故,導(dǎo)致部分工廠要停產(chǎn)到這個(gè)月,再加上本月初爆發(fā)的日本與韓國(guó)之間的貿(mào)易制裁,連跌了6個(gè)季度的閃存市場(chǎng)存在著多種不確定性。影響閃存價(jià)格走勢(shì)的還
6月中旬全球第二大閃存供應(yīng)商?hào)|芝在日本5座NAND閃存工廠遭遇斷電事故,導(dǎo)致部分工廠要停產(chǎn)到這個(gè)月,再加上本月初爆發(fā)的日本與韓國(guó)之間的貿(mào)易制裁,連跌了6個(gè)季度的閃存市場(chǎng)存在著多種不確定性。