
SK海力士作為閃存巨頭,在今年8月份重新返回了消費級SSD市場,SK海力士此次準備了兩款新的SSD,一個是Gold P31,另一個則是Platinum P31,都采用PCIe形態(tài),并支持NVMe。
盡管很多人并不喜歡QLC閃存,但是在不斷降低成本的壓力下,從三星到美光再到Intel等公司已經(jīng)把QLC閃存作為重點來抓,Intel今天就推出了第二代QLC閃存的665P系列硬盤,1TB只要83美元。
12月19日消息,小米商城宣布CC9e下單送59元Redmi充電寶(僅限6GB+128GB版本),到手價為1299元。核心配置上,小米CC9e采用6.088英寸三星AMOLED水滴屏,首發(fā)高通驍龍665處理器,前置3200萬像素,后置索尼4800萬超廣角AI三攝,電池容量為4030mAh,運行MIUI 11。
東芝最新推出的Visconti?ADAS SoC主要針對汽車制造商的自動駕駛應用,高密度Semper NOR閃存系列為該SoC增強功能安全性
近日,快科技有幸受邀,參觀了Intel位于遼寧省大連市的Fab 68晶圓廠,并學習了Intel NAND閃存、3D XPoint Optane傲騰方面的深層技術(shù)與未來規(guī)劃,與諸君分享。Intel大連工
2019年11月27日,由集邦咨詢(TrendForce)主辦的MTS2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會在深圳召開。在當天的活動上,多位分析師對全球DRMA及NAND Flash市場進行了細致的分析。 對于國產(chǎn)
在中國去年進口的3000多億美元芯片產(chǎn)品中,存儲芯片大概占了1/3,價值千億美元的內(nèi)存、閃存芯片國產(chǎn)率基本為0。不過今年國內(nèi)在內(nèi)存及閃存領(lǐng)域已經(jīng)實現(xiàn)了0的突破,預計2020年就能占到全球存儲芯片市場的
2019年智能手機的閃存容量進一步提升,中高端手機基本上是128GB起步,高端會上512GB,個別產(chǎn)品頂配直接上1TB容量了。按照這個趨勢下去,明年1TB容量的手機會更多,因為SK海力士現(xiàn)在已經(jīng)開始出
在本周四參加彭博中國經(jīng)濟新論壇會議期間,美光CEO桑杰·梅羅特拉(Sanjay Mehrotra)談到了與中國科技公司華為的關(guān)系,表示“我們與華為的關(guān)系非常好。” 今年5月份,美國政府將華為列入實體清
在現(xiàn)代汽車嵌入式系統(tǒng)中,高度安全的數(shù)據(jù)存儲是必不可少的,尤其是在面對日益高明的網(wǎng)絡攻擊時。本文將介紹設計師正確使用閃存的步驟。
10月30日,國產(chǎn)芯片供應商兆易創(chuàng)新發(fā)布2019年第三季度報告,報告顯示,1-9月,兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入22.04億元,同比增長28.04%;凈利潤4.50億元,同比增長22.42%;扣非凈利潤為3.
過去兩個都在說NAND閃存價格不斷跌價,忽然之間這個跌勢就停止了,現(xiàn)在輪到價格上漲了,10月份閃存價格漲幅創(chuàng)造了2年多來的新高。 根據(jù)調(diào)研公司集邦科技旗下的半導體研究中心DRAMeXchange報告,
Intel公司今天早上發(fā)布了Q3季度財報,當季總營收192億美元,同比幾乎沒有變化,但凈利潤60億美元,同比下滑了6%。 在Intel的業(yè)務中,CCG客戶端計算部門貢獻的營收最多,Q3營收97億美元,
NAND閃存價格越來越低,從去年初到現(xiàn)在已經(jīng)跌了7個季度了,導致廠商越來越重視成本,QLC閃存已經(jīng)大行其道,未來一兩年還會量產(chǎn)PLC閃存。 從閃存類型來說,性能最好、可靠性最高的還是SLC閃存,只不過
Intel公司今天早上發(fā)布了Q3季度財報,當季總營收192億美元,同比幾乎沒有變化,但凈利潤60億美元,同比下滑了6%。 在Intel的業(yè)務中,CCG客戶端計算部門貢獻的營收最多,Q3營收97億美元,
今年9月初,紫光集團旗下的長江存儲宣布量產(chǎn)64層堆棧的3D閃存,采用了自研Xtacking架構(gòu),核心容量256Gb。今天紫光集團又宣布旗下新華三公司將在自家服務器產(chǎn)品中使用長江存儲閃存,共同推動在中國
作為人類制造業(yè)中的高精尖產(chǎn)業(yè),2019年半導體行業(yè)正遭遇十年來最大的衰退。 根據(jù)集邦科技發(fā)布的報告,2019年全球半導體行業(yè)產(chǎn)值將下滑13%,創(chuàng)下10年來最嚴重的衰退。在半導體設計、制造及封裝三大環(huán)節(jié)
美光宣布,已經(jīng)完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應用了全新的替換柵極(RG)架構(gòu),并計劃在明年投入量產(chǎn)。 美光第四代3D閃存堆疊了最多128層,繼續(xù)使用陣列下CMOS設計思路,不過美光與Inte
據(jù)報道,SK海力士宣布,該公司已經(jīng)在全世界率先成功研發(fā)出128層4D Nand閃存芯片,將從今年下半年(7月~12月)開始投入量產(chǎn)。新產(chǎn)品比以往96層4D Nand芯片的生產(chǎn)效率提高了40%。
美國對華為的打壓已經(jīng)給美國半導體公司帶來了嚴重的負面影響。 美光日前發(fā)布了2019財年Q4季度財報,當季營收48.7億美元,環(huán)比增長2%,同比下滑了42%,凈利潤直接從去年同期的43億跌到了5.6億,