
一直以來,人們總是在討論CMOS和CCD兩種成像器之間的比較優(yōu)勢。雖然關(guān)于哪個更勝一籌的爭論紛紜已久,但自始至終卻沒有任何定論浮出水面。由于人們關(guān)注的主題總在不斷變化,因此,關(guān)于問題的答案也是不確定的??萍荚?/p>
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)日前推出AR0135 全局快門 CMOS 圖像傳感器,展示其圖像傳感技術(shù)的又一重大進步。該1/3英寸格式、120萬像素成像器件設(shè)計用于解決具挑戰(zhàn)性的汽車影像和高速條碼掃描,以及新興應(yīng)用如虛擬現(xiàn)實和三維深度傳感的要求。這新的全局快門傳感器令攝像機能“凍結(jié)”快速移動的場景數(shù)據(jù),并確保與脈沖光源有效的同步。
21ic訊 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),推出AR0135 全局快門 CMOS 圖像傳感器,展示其圖像傳感技術(shù)的又一重大進步。該1/3英寸格式、120萬像素成像器件設(shè)計用于解決具挑戰(zhàn)性的汽車影像和高速條碼掃
隨著社會的發(fā)展,盲人對獨立生活和事業(yè)追求越來越強烈,但是要保證在車水馬龍的城市生活中安全自如的活動就需要一個專門的導(dǎo)盲設(shè)備來進行輔助。因此我們就要設(shè)計一款多功能
安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)進一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容,日前推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結(jié)合高性能的SuperPD™相位檢測自動對焦(PDAF)像素技術(shù),提供微光下300 ms或更少時間的對焦速度,即使微光低于25勒克斯(lux)。此外,AR1337通過采用其片上PDAF處理,大大簡化集成到智能手機平臺和提高相機模塊集成商生產(chǎn)能力,較市場上其它方案簡化校準(zhǔn)。
21ic訊 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor),進一步擴展成像方案產(chǎn)品陣容,推出最新的高性能CMOS數(shù)字圖像傳感器。AR1337是1/3.2英寸格式背照式器件,針對消費電子產(chǎn)品如智能手機和平板電腦。AR1337結(jié)合
手機拍照功能在最近幾年中地位變得越來越重要,與之相適應(yīng)的,手機拍照組件的硬件規(guī)格也在不斷提升。在2015年,又有不少“黑科技”進入手機攝影領(lǐng)域并逐漸普及,也有一些新的風(fēng)向值得我們關(guān)注,下面的文章
汽車行業(yè)(汽車電子、車聯(lián)網(wǎng))已經(jīng)成為科技和互聯(lián)網(wǎng)巨頭紛紛布局的下一個熱門領(lǐng)域,其中蘋果也跟進谷歌,開始研發(fā)電動車。而在日前,日本索尼公司也對架構(gòu)進行了重組,設(shè)立了
靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果,它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展, CMOS電路的特征尺寸不斷縮小,管子的柵氧厚度越來越薄,芯片的面積規(guī)模越來越大,MOS管能承受的電流和電壓也越來越小,而外圍的使用環(huán)境并未改變,因此要進一步優(yōu)化電路的抗ESD性能,如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計者主要考慮的問題。
本文主要介紹了幾種電平(74HC245、74LVC4245等)轉(zhuǎn)換的方法。(1) 晶體管+上拉電阻法就是一個雙極型三極管或 MOSFET,C/D極接一個上拉電阻到正電源,輸入電平很靈活,輸出電平
日前艾邁斯半導(dǎo)體(ams AG)與傳感器領(lǐng)先供應(yīng)商CMOSIS(新視覺公司)達(dá)成協(xié)議,以現(xiàn)金形式100%收購其股份。
采用2240可編程定時器/計數(shù)器,連接壓控振蕩器和分頻器與CMOS模擬開關(guān),用作采樣和保持相位檢測器。CMOS逆轉(zhuǎn)器放大和限制產(chǎn)生的基準(zhǔn)頻率,然后通過R9-C2,將其集成到基準(zhǔn)三
IC1A的非反相輸入端與IC1B的反相輸入端連接到測試探頭上。電路使用90%的電源電壓作為CMOS邏輯高,2.7V作為TTL邏輯高。如下圖所示的是一款在IC1B的非反相輸入端設(shè)定電壓的邏
IC1A的非反相輸入端與IC1B的反相輸入端連接到測試探頭上。電路使用90%的電源電壓作為CMOS邏輯高,2.7V作為TTL邏輯高。如下圖所示的是一款在IC1B的非反相輸入端設(shè)定電壓的邏
艾邁斯半導(dǎo)體公司晶圓代工事業(yè)部今日宣布進一步擴展其行業(yè)領(lǐng)先的0.35μm高壓CMOS專業(yè)制程平臺。基于該高壓制程平臺的先進“H35”制程工藝,使艾邁斯半導(dǎo)體能涵蓋一整套可有效節(jié)省空間并提升設(shè)備性能的電壓可拓展的晶體管。
一、CMOS門電路CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由
一、CMOS門電路CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成,由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔,在直流狀態(tài)下,柵極無電流,所以靜態(tài)時柵極不取電流,輸入電平與外接電阻無關(guān)。由
該觸摸電路可以和電池供電的電路連用。斯密特觸發(fā)器IC1構(gòu)成了一個100kHz的振蕩器,IC2被偏置到線性區(qū)域,然后放大輸出,再通過二極管為C1充電。IC2b用作一個電平探測器。
在移動設(shè)備市場中,產(chǎn)品小型化是制造商們堅持不懈的追求;即追求更輕薄的最終產(chǎn)品。東芝憑借已在目前產(chǎn)品[1]中部署的設(shè)計方法滿足了這一需求,該方法實現(xiàn)更小的CMOS傳感器芯片和低功耗電路。目前,該方法已造就了全球最小級1600萬像素芯片[2],其在240mW或更低功耗下實現(xiàn)30fps的全分辨率輸出。
感光耦合元件(Charge Coupled Device;CCD)影像傳感器近年雖被互補性氧化金屬半導(dǎo)體(Complementary Metal-Oxide Semiconductor;CMOS)搶盡鋒頭,卻仍是天文儀器與光譜儀應(yīng)用首選,預(yù)料未來有望提升在一般性中階市場與