CMOS
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適用于SAR ADC的CMOS比較器的設計
引言 比較器|0">比較器廣泛應用于從模擬信號到數(shù)字信號的轉(zhuǎn)換過程當中。在模一數(shù)轉(zhuǎn)換過程中，經(jīng)過采樣的信號經(jīng)過比較器以決定模擬信號輸出的數(shù)字值。比較器可以比較一個
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CMOS功率放大器廠商加緊挑戰(zhàn)GaAs
全球研究與咨詢公司Strategy Analytics日前發(fā)表了題為“功率放大器技術(shù)趨勢：2008-2013”的報告，指出開發(fā)用于手機的CMOS功率放大器的廠商越來越多。 該報告
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如何利用DCP獲得更精確的性能
數(shù)控電位器(DCP|0">DCP)在各種應用中深受歡迎，尤其在控制、參數(shù)調(diào)整、信號處理方面。數(shù)字電位器取代了機械電位器，并在很多方面體現(xiàn)出優(yōu)勢，如遠程操作、可編程性、高分辨
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富士通開發(fā)出適用于功率放大器的CMOS邏輯高壓晶體管
富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通實驗室和富士通株式會社聯(lián)合開發(fā)出一款具有高擊穿電壓并基于邏輯(1)制程的CMOS高壓晶體管，該晶體管適用于無線設備的功率放大
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用CMOS技術(shù)實現(xiàn)高速模數(shù)轉(zhuǎn)換器
通信用接收器的發(fā)展趨勢是必需在信號剛一進入接收器信號通道時就進行取樣，并配備有精確的測試儀，而要達到這個目標就要依賴超高速模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器來實現(xiàn)。美國國家半導體|0
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十個電荷泵的設計方案以及經(jīng)典應用案例
電荷泵也稱為開關(guān)電容式電壓變換器，是一種利用所謂的“快速”或“泵送”電容(而非電感或變壓器)來儲能的DC-DC(變換器)。它們能使輸入電壓升高或降低，
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基于LFSR優(yōu)化的BIST低功耗設計
引言 隨著便攜式設備和無線通訊系統(tǒng)在現(xiàn)實生活中越來越廣泛的使用，可測性設計(DFT)的功耗問題引起了VLSI設計者越來越多的關(guān)注。因為在測試模式下電路的功耗要遠遠高于
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后摩爾定律時代，中國IC或可迎頭趕上！
作為微納電子科學家，馬佐平教授在分析IC技術(shù)發(fā)展時點明，后摩爾時代硅芯片無法再度“精良”，創(chuàng)新思路是改變材料使CMOS硅晶體管繼續(xù)創(chuàng)新，這恰恰是世界各個國家都在研究還未實現(xiàn)技術(shù)突破的關(guān)鍵時期。而且，中國的IC產(chǎn)業(yè)有自己的強項：中國的通訊設備、個人電腦、消費類電子等市場領(lǐng)域規(guī)模最大、增長最快，相應配套的政策引導與資金支持以及民間對IC產(chǎn)業(yè)投資熱烈響應，特別是中國有世界上培育最多也是最優(yōu)秀的工程師。
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一種大電壓輸出擺幅低電流失配電荷泵的設計
0 引 言 CMOS|0">CMOS電荷泵鎖相環(huán)以其高速、低抖動、低功耗和易集成等特點，已廣泛用于接收機芯片、時鐘恢復電路中，如圖l所示，電荷泵對整個電荷泵鎖相環(huán)性能具有關(guān)鍵
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基于ATmega162的智能儀器設計
本文通過基于ATmega162介紹了他的特點和在溫度檢測中的應用實例，ATmega162具有其他AVR系列大部分產(chǎn)品的功能，又具有獨特技術(shù)，配置全、功能強、可靠性高、速度高、抗干擾性好、低功耗、高性價比、硬件結(jié)構(gòu)簡單、軟件設計靈活、適用面廣、價格低廉等優(yōu)點，具有一定的實用價值，在實際開發(fā)中將會發(fā)揮越來越大的作用。
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CMOS微縮并未結(jié)束，摩爾定律還在持續(xù)起作用！
CMOS微縮并未結(jié)束，隨著提升工藝掌控的能力，將可看到持續(xù)的進展。工藝受到物理方面的限制不大，而是在于產(chǎn)出大量高精密產(chǎn)品的能力不足。這很困難，但期望能堅持下去。
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基于DSP內(nèi)嵌PLL中的CMOS壓控環(huán)形振蕩器設計
在現(xiàn)代高性能DSP芯片設計中，鎖相環(huán)(PLL)被廣泛用作片內(nèi)時鐘發(fā)生器，實現(xiàn)相位同步及時鐘倍頻。壓控振蕩器(VCO)作為PLL電路的關(guān)鍵模塊，其性能將直接決定PLL的整體工作質(zhì)量。
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可用于音頻功放的過溫保護電路設計
在集成電路芯片工作的過程中，不可避免地會有功率損耗，而這些功率損耗中的絕大部分將轉(zhuǎn)換成熱能散出。在環(huán)境過高、短路等異常情況下，會導致芯片內(nèi)部的熱量不能被及時散出
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3D集成電路將如何同時實現(xiàn)？
三維集成電路的第一代商業(yè)應用，CMOS圖像傳感器和疊層存儲器，將在完整的基礎設施建立之前就開始。在第一部分，我們將回顧三維集成背后強大的推動因素以及支撐該技術(shù)的基礎
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差分放大器中的不匹配效應及消除方法
隨著微電子制造業(yè)的發(fā)展，制作高速、高集成度的CMOS電路已迫在眉睫，從而促使模擬集成電路的工藝水平達到深亞微米級。因為諸如溝道長度、溝道寬度、閾值電壓和襯底摻雜濃度
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放大器的噪聲來源
自上市以來，CMOS單電源放大器就讓全球的單電源系統(tǒng)設計人員受益非淺。影響雙電源放大器總諧波失真加噪聲 (THD+N) 特性的主要因素是輸入噪聲和輸出級交叉失真。單電源放大器
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正確選擇低噪聲放大器(LNA)
目前，有關(guān)低噪聲放大器的討論常常關(guān)注于RF/無線應用，但實際應用中，噪聲對于低頻模擬產(chǎn)品(如數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器緩沖、應變儀信號放大和麥克風前置放大器)也有很大影響，是一項重要
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一種帶熱滯回功能的CMOS溫度保護電路
0 引 言 隨著集成電路技術(shù)的廣泛應用及集成度的不斷增加，超大規(guī)模集成電路(VLSI)的功耗、芯片內(nèi)部的溫度不斷提高，溫度保護電路已經(jīng)成為了眾多芯片設計中必不可少的一
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基于最小電流選擇的運算放大器設計
本文提出了一種輸入級由最小電流選擇技術(shù)來穩(wěn)定跨導、輸出級采用浮動電流源控制的前饋AB類CMOS運算放大器。1 輸入級的設計1.1 軌對軌運放輸入級電路分析通常運放輸入級采用
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一種CMOS欠壓保護電路的設計
1.引言在電機驅(qū)動、UPS等系統(tǒng)中電壓的穩(wěn)定尤為重要，欠壓、過壓保護是必不可少的，因此通過在芯片內(nèi)部集成過壓、欠壓保護電路來提高電源的可靠性和安全性。對功率集成電路
