CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

圖像傳感器CMOS和CCD優(yōu)劣勢的對比分析

據(jù)悉，隨著數(shù)字網(wǎng)絡(luò)攝像機的發(fā)展和普及，圖像傳感器正逐漸從CCD獨大向CCD和CMOS并舉的態(tài)勢轉(zhuǎn)變。先不去探討此觀點的正確性，下面筆者先參照上文中提及的圖像傳感器技術(shù)指標(biāo)，來具體比較CCD和CMOS兩者的優(yōu)劣勢。據(jù)蘇州

工業(yè)控制
2012-06-20

CCD CMOS 圖像傳感器
OLEDoS技術(shù)的發(fā)展趨勢與應(yīng)用

以CMOS制程制造具備OLED發(fā)光源，以及可看透的半透明型的雙向微型顯示器，除了應(yīng)用在駕駛的導(dǎo)航資訊提供、軍事的追蹤目標(biāo)之外，也能運用作為微型投影的應(yīng)用。來自德國Fraunhofer IPMS光電微系統(tǒng)研究所，所進(jìn)行的HYPOL

電源-LED驅(qū)動
2012-06-18

OLED IP DOS CMOS
IMEC探討10nm以下制程的不同 CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

模擬
2012-06-12

ST GEN FINFET CMOS
聯(lián)電與星國微電子開發(fā)CMOS影像感測器TSV技術(shù)

聯(lián)華電子與新加坡科技研究局旗下的微電子研究院今天宣布，將合作進(jìn)行應(yīng)用在背面照度式CMOS影像感測器的TSV技術(shù)開發(fā)，透過這項技術(shù)，包括智慧手機、數(shù)位相機與個人平板電腦等行動電子產(chǎn)品，里面所采用的數(shù)百萬像素影像

工業(yè)控制
2012-06-08

感測器微電子影像 CMOS
IMEC探討10nm以下制程變異，CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

工業(yè)控制
2012-06-08

ST GEN CMOS
一種新型高速CMOS全差分運算放大器設(shè)計

摘要：設(shè)計了一種基于流水線模／數(shù)轉(zhuǎn)換系統(tǒng)應(yīng)用的低壓高速CMOS全差分運算放大器。該運放采用了折疊式共源共柵放大結(jié)構(gòu)與一種新型連續(xù)時間共模反饋電路相結(jié)合以達(dá)到高速度及較好的穩(wěn)定性。設(shè)計基于SMIC 0．25μm CM

模擬
2012-06-08

運算放大器放大器設(shè)計 BSP CMOS
IMEC探討10nm以下制程變異

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

消費電子
2012-06-08

ST GEN FINFET CMOS
聯(lián)電與新加坡合作開發(fā)新一代CMOS影像感測器TSV技術(shù)

聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research，A*Star)旗下之微電子研究院(Institute of Microelectronics，IME)日前共同宣布，雙方已協(xié)議合作進(jìn)行應(yīng)用于背面照度式

模擬
2012-06-08

感測器影像新加坡 CMOS
驅(qū)動容性負(fù)載的動態(tài)功耗分析

邏輯電路每一次跳變，都要消耗超過它正常靜態(tài)功耗之外的額外的額外功率。當(dāng)以一個恒定速率循環(huán)時，動態(tài)功耗等于功耗=周期頻率*每個周期額外的功率動態(tài)功耗最常見的兩個起因是負(fù)載電容和疊加的偏置電流。圖2.2說明了驅(qū)

模擬
2012-06-06

電阻驅(qū)動電路 BSP CMOS
IMEC探討10nm以下制程變異

在可預(yù)見的未來，CMOS技術(shù)仍將持續(xù)微縮腳步，然而，當(dāng)我們邁入10nm節(jié)點后，控制制程復(fù)雜性和變異，將成為能否驅(qū)動技術(shù)向前發(fā)展的關(guān)鍵，IMEC資深制程技術(shù)副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Foru

模擬
2012-06-06

ST GEN FINFET CMOS
聯(lián)電攜手新加坡IME開發(fā)TSV技術(shù)CMOS應(yīng)用

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)與新加坡科技研究局(Agency for Science, Technology and Research)旗下微電子研究院(Institute of Microelectronics, IME)今(5)日共同宣布，雙方已協(xié)議合作進(jìn)行應(yīng)用于背面照度式CMOS影像感測器

模擬
2012-06-05

聯(lián)電影像新加坡 CMOS
采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計

D觸發(fā)器的常規(guī)使用一般是用作二分頻器、計數(shù)器或移位寄存器。然而，只要對D觸發(fā)器的外圍電路加以改進(jìn)，根據(jù)其基本邏輯功能。就可充分發(fā)揮其獨特的作用。數(shù)字裝置中常用的脈沖寬度檢測電路，對脈沖信號的寬度進(jìn)行識別

消費電子
2012-06-01

電路設(shè)計脈沖寬度雙D觸發(fā)器 CMOS
高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

引言本文采用±5V電源，設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成高線性度的電路，并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好

模擬
2012-06-01

電路技術(shù) 線性調(diào)幅電路 CMOS
3GHz～5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計

超帶寬UWB(Ultra-Wideband)技術(shù)具有抗干擾能力強、傳輸速率高、帶寬極寬、功耗傳輸?shù)偷葍?yōu)勢，近年來已成為國內(nèi)外的研究熱點，并在短距離傳輸、高速無線LAN和成像處理等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用[1]。不論在傳統(tǒng)的無線接收結(jié)

通信技術(shù)
2012-06-01

超寬帶低噪聲放大器放大器設(shè)計 CMOS
愛德萬測試與惠瑞捷聯(lián)姻后，V93000、T2000產(chǎn)品再升級

2011年，日本愛德萬測試公司以11億美元的高額交易價收購了惠瑞捷公司，這無疑是半導(dǎo)體測試領(lǐng)域的頭等大事，此次聯(lián)姻也將愛德萬測試在原本的存儲器測試領(lǐng)域的優(yōu)勢擴展到SoC領(lǐng)域，產(chǎn)品線也更加全面與多元化，更具規(guī)模與

測試測量
2012-05-24

SoC 測試方案半導(dǎo)體測試 CMOS
手機相機采用CCD和CMOS的利與弊

CCD是電荷耦合組件（ChargeCoupledDevice）的簡稱，它內(nèi)部的半導(dǎo)體材料能把光線轉(zhuǎn)變成電荷，轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號壓縮以后保存起來就變成我們存儲卡中的照片了，中間的過程非常復(fù)雜，在這里我們不再詳解。CCD就像傳統(tǒng)相機的

測試測量
2012-05-22

相機 CCD CMOS
CCD的原理解析

說到CCD的尺寸，其實是說感光器件的面積大小，這里就包括了CCD和CMOS。感光器件的面積大小，CCD/CMOS面積越大，捕獲的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。CCD/CMOS是數(shù)碼相機用來感光成像的部件，相當(dāng)于光學(xué)傳統(tǒng)相

消費電子
2012-05-21

數(shù)碼相機 CCD CMOS
Rfaxis公布面向WiFi移動手持設(shè)備的CMOS射頻前端技術(shù)突破

加州歐文--(美國商業(yè)資訊)--專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis宣布發(fā)布射頻前端技術(shù)白皮書《面向移動手持設(shè)備應(yīng)用的CMOS Wi-Fi射頻前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi R

通信技術(shù)
2012-05-21

Wi-Fi 移動手持設(shè)備 CMOS
Rfaxis公布面向Wi-Fi移動手持設(shè)備的CMOS射頻前端技術(shù)突破

專注于為無線連接和蜂窩移動市場提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis今天宣布發(fā)布射頻前端技術(shù)白皮書《面向移動手持設(shè)備應(yīng)用的CMOS Wi-Fi射頻前端 - 第一部》(CMOS Wi-Fi RF Front-Ends for Mobil

消費電子
2012-05-21

移動手持設(shè)備射頻前端 CMOS
一種應(yīng)用于ARM7的CMOS圖像采集系統(tǒng)

Samsung公司的S3C4510B是基于以太網(wǎng)系統(tǒng)高性價比的16/32位RISC微控制器，內(nèi)含一個由ARM公司設(shè)計的16/32位 ARM7TDMI RISC處理器核，ARM7TDMI為低功耗、高性能的16/32核，它具有0.9MIPS/MHz的三級流水線結(jié)構(gòu)，支持32位

單片機
2012-05-18

圖像采集系統(tǒng) ARM7 BSP CMOS

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CMOS

圖像傳感器CMOS和CCD優(yōu)劣勢的對比分析

OLEDoS技術(shù)的發(fā)展趨勢與應(yīng)用

IMEC探討10nm以下制程的不同 CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

聯(lián)電與星國微電子開發(fā)CMOS影像感測器TSV技術(shù)

IMEC探討10nm以下制程變異，CMOS技術(shù)將持續(xù)微縮

一種新型高速CMOS全差分運算放大器設(shè)計

IMEC探討10nm以下制程變異

聯(lián)電與新加坡合作開發(fā)新一代CMOS影像感測器TSV技術(shù)

驅(qū)動容性負(fù)載的動態(tài)功耗分析

IMEC探討10nm以下制程變異

聯(lián)電攜手新加坡IME開發(fā)TSV技術(shù)CMOS應(yīng)用

采用CMOS雙D觸發(fā)器CD4013的脈沖寬度檢測電路設(shè)計

高線性度CMOS調(diào)幅電路技術(shù)介紹

3GHz～5GHz CMOS超寬帶低噪聲放大器設(shè)計

愛德萬測試與惠瑞捷聯(lián)姻后，V93000、T2000產(chǎn)品再升級

手機相機采用CCD和CMOS的利與弊

CCD的原理解析

Rfaxis公布面向WiFi移動手持設(shè)備的CMOS射頻前端技術(shù)突破

Rfaxis公布面向Wi-Fi移動手持設(shè)備的CMOS射頻前端技術(shù)突破

一種應(yīng)用于ARM7的CMOS圖像采集系統(tǒng)

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