CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

突破精度限制——了解運(yùn)算放大器的精度挑戰(zhàn)

摘要在精密測(cè)量過(guò)程中，系統(tǒng)工程師們面臨的第一個(gè)挑戰(zhàn)便是如何選擇具備最佳性能的運(yùn)算放大器以及安裝在其周圍的其他組件。這項(xiàng)工作很重要。在一些有空間限制的應(yīng)用中，工程師們常常會(huì)尋求體積最小的封裝，但是這種小

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2012-10-19

精度運(yùn)算放大器封裝 CMOS
X-FAB投入超過(guò)5000萬(wàn)美金在MEMS的運(yùn)營(yíng)上

德國(guó)艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries，日前宣布為了MEMS的營(yíng)運(yùn)將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員，這些投資也反映X-FAB意義深遠(yuǎn)地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長(zhǎng)。新品牌”X-FA

消費(fèi)電子
2012-10-17

慣性傳感器 MEMS FAB CMOS
X-FAB在MEMS的運(yùn)營(yíng)上投入超過(guò)5000萬(wàn)美金

X-FAB Silicon Foundries近日宣布為了MEMS的營(yíng)運(yùn)將在未來(lái)的三年投資5000萬(wàn)美金以上在無(wú)塵室、新設(shè)備、研發(fā)與人員，這些投資也反映X-FAB意義深遠(yuǎn)地聚焦在MEMS以因應(yīng)預(yù)期中MEMS的成長(zhǎng)。新品牌”X-FAB MEMS Foundry”在

消費(fèi)電子
2012-10-12

慣性傳感器 MEMS FAB CMOS
1Hz分辨率 50MHz電路圖

對(duì)數(shù)字頻率計(jì)數(shù)器來(lái)說(shuō)，CMOS和TTL器件的連接降低了芯片總數(shù)，提供1Hz解決方案將原來(lái)低于20Hz提高到50MHz。采用文中給出的10:1預(yù)定標(biāo)器，將范圍擴(kuò)大到大于300MHz，解決方案10Hz。

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2012-10-11

電路圖 TTL HZ CMOS
富威集團(tuán)推出Aptina CMOS Sensor 汽車安全領(lǐng)域應(yīng)用方案

21ic訊 CMOS Sensor在汽車安全領(lǐng)域中越來(lái)越多不同的應(yīng)用，現(xiàn)階段除了倒車攝影之外更多了許多不同功能，下圖是由Aptina 所提出的設(shè)計(jì)應(yīng)用：可分兩大項(xiàng)目：1. Scene Processing:應(yīng)用如:1. LDW車軌偏移2. 車大燈的感應(yīng)

汽車電子
2012-10-09

汽車安全 APTINA SENSOR CMOS
閱報(bào)秘書(shū)／3D鰭式晶體管

3D鰭式晶體管（FinFET）是1種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管，能讓芯片技術(shù)發(fā)展到10納米以下，晶圓代工業(yè)者若能擁有此技術(shù)，更能凸顯其優(yōu)勢(shì)與競(jìng)爭(zhēng)力。傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過(guò)閘門(mén)，只能選擇在閘門(mén)的一

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2012-09-29

半導(dǎo)體晶體管閘門(mén) CMOS
RFaxis開(kāi)始批量生產(chǎn)二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案 RFaxis開(kāi)始為智能手機(jī)和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍(lán)牙、WLAN 11a/n/ac、無(wú)線音頻、ZigBee和智能能源/家庭自動(dòng)化等市場(chǎng)批

消費(fèi)電子
2012-09-26

集成電路射頻前端 RF CMOS
RFaxis開(kāi)始批量生產(chǎn)二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案 RFaxis開(kāi)始為智能手機(jī)和平板電腦用雙模Wi-Fi/藍(lán)牙、WLAN 11a/n/ac、無(wú)線音頻、ZigBee和智能能源/家庭自動(dòng)化等市場(chǎng)批

消費(fèi)電子
2012-09-26

集成電路射頻前端 RF CMOS
RFaxis第四季度開(kāi)始量產(chǎn)第二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis日前宣布，該公司將于2012年第四季度開(kāi)始其第二代純CMOS射頻前端集成電路(RFeIC)的批量生產(chǎn)。新解決方案將服務(wù)于智能手機(jī)和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無(wú)線音頻、智能能源和家庭自動(dòng)化等快速發(fā)展的市場(chǎng)

消費(fèi)電子
2012-09-25

集成電路射頻前端 RF CMOS
RFaxis第四季度開(kāi)始量產(chǎn)第二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis日前宣布，該公司將于2012年第四季度開(kāi)始其第二代純CMOS射頻前端集成電路(RFeIC)的批量生產(chǎn)。新解決方案將服務(wù)于智能手機(jī)和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無(wú)線音頻、智能能源和家庭自動(dòng)化等快速發(fā)展的市場(chǎng)

消費(fèi)電子
2012-09-25

集成電路射頻前端 RF CMOS
RFaxis第四季度開(kāi)始量產(chǎn)第二代純CMOS射頻前端集成電路

21ic訊 RFaxis日前宣布，該公司將于2012年第四季度開(kāi)始其第二代純CMOS射頻前端集成電路(RFeIC)的批量生產(chǎn)。新解決方案將服務(wù)于智能手機(jī)和平板電腦、WLAN 11a/n/ac、ZigBee、無(wú)線音頻、智能能源和家庭自動(dòng)化等快速發(fā)展

通信技術(shù)
2012-09-24

集成電路射頻前端 RF CMOS
笙科電子:專注RF芯片迎接發(fā)展新機(jī)遇

笙科電子(AMICCOM)自2005年11月作為聯(lián)笙電子的一個(gè)RF部門(mén)獨(dú)立出來(lái)之后，一直致力于專門(mén)從事CMOS制程的短距離無(wú)線通信RF芯片的研發(fā)，借助管理層與技術(shù)團(tuán)隊(duì)在RF領(lǐng)域數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)和自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，該公司為客戶提供高

消費(fèi)電子
2012-09-19

電子無(wú)線數(shù)據(jù) RF芯片 CMOS
笙科電子:專注RF芯片迎接發(fā)展新機(jī)遇

笙科電子(AMICCOM)自2005年11月作為聯(lián)笙電子的一個(gè)RF部門(mén)獨(dú)立出來(lái)之后，一直致力于專門(mén)從事CMOS制程的短距離無(wú)線通信RF芯片的研發(fā)，借助管理層與技術(shù)團(tuán)隊(duì)在RF領(lǐng)域數(shù)十年的經(jīng)驗(yàn)和自有知識(shí)產(chǎn)權(quán)，該公司為客戶提供高

消費(fèi)電子
2012-09-19

電子無(wú)線數(shù)據(jù) RF芯片 CMOS
聯(lián)電/意法攜手開(kāi)發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展兩家公司的伙伴關(guān)

消費(fèi)電子
2012-09-11

聯(lián)電制程技術(shù) 65NM CMOS
聯(lián)電/意法攜手開(kāi)發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電6日宣布與意法半導(dǎo)體合作65nm CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展兩家公司的伙伴關(guān)

消費(fèi)電子
2012-09-11

聯(lián)電制程技術(shù) 65NM CMOS
聯(lián)電3D IC年底產(chǎn)品級(jí)封測(cè)

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)于SEMICON臺(tái)灣展會(huì)期間發(fā)表3D IC 技術(shù)趨勢(shì)與進(jìn)展。聯(lián)電企業(yè)行銷總監(jiān)黃克勤表示，聯(lián)電克服開(kāi)發(fā)初期制程問(wèn)題，今年年底3D IC將進(jìn)行產(chǎn)品級(jí)封裝與測(cè)試。他說(shuō)明了聯(lián)電在3D IC方面的最新進(jìn)展。聯(lián)電3D

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2012-09-11

聯(lián)電 IC 封裝 CMOS
CCD和CMOS主要技術(shù)分析

CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，

消費(fèi)電子
2012-09-10

電子 CCD TE CMOS
聯(lián)電/意法攜手開(kāi)發(fā)65奈米CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電 (2303)于今(6日)宣布，與意法半導(dǎo)體合作65 奈米 CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。事實(shí)上，雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)

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2012-09-07

聯(lián)電意法半導(dǎo)體制程技術(shù) CMOS
聯(lián)電攜手意法半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)65奈米BSI CMOS制程

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(6)日宣布，與意法半導(dǎo)體合作65奈米CMOS影像感測(cè)器背面照度BSI技術(shù)。雙方先前已順利于聯(lián)電新加坡Fab 12i廠產(chǎn)出意法半導(dǎo)體的前面照度式FSI制程，奠基于之前的成功經(jīng)驗(yàn)，此次合作將更進(jìn)一步擴(kuò)展

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2012-09-07

聯(lián)電意法半導(dǎo)體 CIS CMOS
SEED智能像素總體設(shè)計(jì)

本文組借鑒國(guó)外并行光互連鏈路的經(jīng)驗(yàn)，應(yīng)用一維線陣結(jié)構(gòu)的SEED智能像素，將4×4 SEED智能像素制作成1×20 (4×5，一組冗余)線陣結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)適合的耦合方式，利用硅片的選擇腐蝕技術(shù)，制作硅基光纖定位

顯示光電
2012-09-06

耦合 SE TIMES CMOS

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CMOS

突破精度限制——了解運(yùn)算放大器的精度挑戰(zhàn)

X-FAB投入超過(guò)5000萬(wàn)美金在MEMS的運(yùn)營(yíng)上

X-FAB在MEMS的運(yùn)營(yíng)上投入超過(guò)5000萬(wàn)美金

1Hz分辨率 50MHz電路圖

富威集團(tuán)推出Aptina CMOS Sensor 汽車安全領(lǐng)域應(yīng)用方案

閱報(bào)秘書(shū)／3D鰭式晶體管

RFaxis開(kāi)始批量生產(chǎn)二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis開(kāi)始批量生產(chǎn)二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis第四季度開(kāi)始量產(chǎn)第二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis第四季度開(kāi)始量產(chǎn)第二代純CMOS射頻前端集成電路

RFaxis第四季度開(kāi)始量產(chǎn)第二代純CMOS射頻前端集成電路

笙科電子:專注RF芯片迎接發(fā)展新機(jī)遇

笙科電子:專注RF芯片迎接發(fā)展新機(jī)遇

聯(lián)電/意法攜手開(kāi)發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電/意法攜手開(kāi)發(fā)65nm CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電3D IC年底產(chǎn)品級(jí)封測(cè)

CCD和CMOS主要技術(shù)分析

聯(lián)電/意法攜手開(kāi)發(fā)65奈米CMOS BSI制程技術(shù)

聯(lián)電攜手意法半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)65奈米BSI CMOS制程

SEED智能像素總體設(shè)計(jì)

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