CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

臺積電估Q1營收僅減1-3%，毛利率43.5-45.5%

臺積電(2330)今(17日)召開法說會，臺積電財務(wù)長何麗梅表示，因市場對臺積產(chǎn)品的需求高于預(yù)期，去年Q4的成績超乎財測，尤其是CMOS和基頻晶片等通訊需求續(xù)強，成為各應(yīng)用別中唯一逆勢成長者。而今年Q1 半導(dǎo)體的庫存天

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2013-01-17

臺積電 EPS 通訊 CMOS
CMOS型555電路內(nèi)部電路

CMOS型555電路內(nèi)部電路

基礎(chǔ)實用電路
2013-01-11

555電路 CMOS
通訊晶片測試放緩，京元電/矽格上月營收降

測試廠京元電 (2449)、矽格 (6257)雙雙公布12月營收，時逢電子業(yè)傳統(tǒng)淡季，再加上季底通訊晶片客戶需求有放緩跡象，導(dǎo)致京元電與矽格的12月營收均較11月有所下滑，但都比前年同期成長；累計2012全年，受惠于行動通訊

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2013-01-08

晶片測試機通訊 CMOS
中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET

中國科學(xué)院微電子研究所(IMECAS)宣布在22奈米CMOS 制程上取得進展，成功制造出高K金屬閘MOSFET 。中科院指出，中國本土設(shè)計與制造的22nm元件展現(xiàn)出更高性能與低功耗。根據(jù)中科院微電子研究所積體電路先導(dǎo)工藝研發(fā)？？

消費電子
2012-12-30

元件 MOSFET 中科院 CMOS
DI CON盛會3月登陸北京

由世界著名的Microwave Journal及其中文版《微波雜志》主辦的EDI CON(電子設(shè)計創(chuàng)新會議)將于2013年3月12~14日首次登陸北京，在北京國際會議中心隆重舉行。 EDI CON是為開發(fā)當(dāng)今的通信、計算、RFID、無線、導(dǎo)航、

消費電子
2012-12-29

半導(dǎo)體電子設(shè)計高速數(shù)字設(shè)計 CMOS
京元電明年資本支出增3成

測試大廠京元電子（2449）昨（24）日召開董事會，決議明年資本支出將拉高到49.89億元，較今年的38億元增加約31％，主要將用來購置機器設(shè)備，以及興建苗栗銅鑼科學(xué)園區(qū)新廠。京元電董事長李金恭對明年景氣看法樂觀，庫

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2012-12-25

影像傳感器芯片測試驅(qū)動IC CMOS
中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進展，首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國際自主開發(fā)的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶

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2012-12-24

中芯國際晶圓代工傳感技術(shù) CMOS
閱讀秘書／FinFET

3D鰭式晶體管（FinFET）是新的互補式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管技術(shù)。相較于傳統(tǒng)晶體管若要控制電流通過閘門，只能選擇在閘門的一側(cè)來控制，屬于平面式的結(jié)構(gòu)；3D FinFET的閘門，是類似魚鰭般的三面立體式的設(shè)計，能大

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2012-12-22

晶體管閘門 FINFET CMOS
中芯國際背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)取得突破進展

中芯國際集成電路制造有限公司("中芯國際")，昨日宣布在背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域取得突破性進展，首款背照式 CMOS 成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質(zhì)量的清晰圖像。這標(biāo)志著中芯國

工業(yè)控制
2012-12-21

中芯國際晶圓代工傳感技術(shù) CMOS
中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

上海2012年12月20日電 /美通社/ -- 中芯國際集成電路制造有限公司( http://www.smics.com )（"中芯國際"，紐約證交所代碼：SMI，香港聯(lián)交所代碼：981），中國規(guī)模最大、技術(shù)最先進的集成電路代工廠，今天宣布在背照式

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2012-12-21

中芯國際晶圓代工傳感技術(shù) CMOS
英特爾展望微細化極限和后CMOS

英特爾在“IEDM 2012”上展望了使CMOS晶體管的微細化持續(xù)至極限水平所需要的要素技術(shù)、相關(guān)課題以及后CMOS器件技術(shù)（論文編號：8.1）。要想使CMOS晶體管的微細化能夠持續(xù)發(fā)展至極限水平，抑制短溝效應(yīng)、導(dǎo)入高遷移率

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2012-12-17

英特爾 BORDER CMOS器件 CMOS
Avago推出28nm CMOS 100G以太網(wǎng)/OTN物理層產(chǎn)品

21ic訊 Avago Technologies今天宣布推出支持以太網(wǎng)和光傳送網(wǎng)(Optical Transport Networking, OTN)的新Vortex Gearbox™系列物理層(PHY)產(chǎn)品，器件采用Avago經(jīng)驗證的28nm CMOS SerDes串行/解串器技術(shù)，符合IEE

通信技術(shù)
2012-12-13

以太網(wǎng) OTN AVAGO CMOS
東芝推出新系列CMOS多功能門邏輯集成電路

21ic訊東芝公司推出了新系列的CMOS多功能門邏輯器件，支持5V系統(tǒng)，并采用了小型封裝，適用于移動電話、智能手機、平板電腦、數(shù)碼相機和數(shù)碼攝像機等移動設(shè)備。多功能門邏輯集成電路讓用戶能夠根據(jù)輸入信號的處理狀態(tài)

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2012-12-12

集成電路東芝封裝 CMOS
中科院微電子所在22納米CMOS技術(shù)研發(fā)上取得突破性進展

近日，中國科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心在22納米CMOS關(guān)鍵技術(shù)先導(dǎo)研發(fā)上取得突破性進展，在國內(nèi)首次采用后高K工藝成功研制出包含先進的高K/金屬柵模塊的22納米柵長MOSFET，器件性能良好，達到國內(nèi)領(lǐng)先

消費電子
2012-12-11

金屬微電子中科院 CMOS
什么是三維微電子機械系統(tǒng)（3D MEMS）？

微機電 (MEMS) 技術(shù)在電子產(chǎn)品中的地位愈來愈重要，不論是在汽車、工業(yè)、醫(yī)療或軍事上需要用到此類精密的元器件，在信息、通訊和消費性電子等大眾的市場，也可以看到快速增長的MEMS應(yīng)用。 MEMS本質(zhì)上是一種把微型機

工業(yè)控制
2012-12-07

組件微電子機械系統(tǒng) MEMS CMOS
各廠商爭打組合拳助推MEMS市場

MEMS是將微電子和機械結(jié)合在一起的一種技術(shù)，它的出現(xiàn)已有幾十年，但其真正發(fā)展是從二十世紀九十年代開始。而最近幾年間，MEMS的發(fā)展可用“迅猛”來形容。市場調(diào)研公司Yole Developpement的研究報告指出，2012年全球

消費電子
2012-12-07

意法半導(dǎo)體三軸加速度計 MEMS CMOS
解析ADC不同類型數(shù)字輸出及挑戰(zhàn) — 全方位學(xué)習(xí)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

ADC不同類型數(shù)字輸出深解在當(dāng)今的模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)領(lǐng)域，ADC制造商主要采用三類數(shù)字輸出。這三種輸出分別是：互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)、低壓差分信號(LVDS)和電流模式邏輯(CML)。每類輸出均基于采樣速率、分辨率、

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2012-12-06

集成模數(shù)轉(zhuǎn)換器 ADC CMOS
專家觀點：可顯著提升行動晶片效能的FD-SOI制程

隨著智慧型手機功能最近不斷升級演化，消費者的期望值日益攀升；速度更快的多核心高時脈頻率CPU、令人震撼的3D圖形、高解析多媒體和高速寬頻，現(xiàn)已成為高階手機的標(biāo)準配置。同時，消費者還期望手機纖薄輕盈，電池續(xù)航

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2012-12-06

晶片泄漏電流 HP CMOS
新芯投6億美元擴產(chǎn) 將成國內(nèi)最大高端芯片基地

（楚天都市報）昨日，武漢新芯對其擴產(chǎn)調(diào)整項目進行第二次環(huán)評公示。環(huán)評書顯示，武漢新芯擬投資6.35億美元，將其12英寸集成電路生產(chǎn)線項目產(chǎn)能擴大一倍。 2006年，湖北省、武漢市、東湖高新區(qū)三級政府出資，成立武

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2012-12-05

中芯國際芯片集成電路芯片 CMOS
新日本無線推出最超低功耗CMOS運放NJU77000系列產(chǎn)品

新日本無線株式會社(總部:東京都中央?yún)^(qū)　代表取締役社長　小倉　良) 現(xiàn)已開發(fā)了具有超低功耗的單電路CMOS運放系列NJU77000/001*1及NJU77000A/001A*2 共4款產(chǎn)品，并已經(jīng)開始提供樣片了。該運放的消耗電流只有 0.29m

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2012-12-04

無線超低功耗運放 CMOS

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CMOS

臺積電估Q1營收僅減1-3%，毛利率43.5-45.5%

CMOS型555電路內(nèi)部電路

通訊晶片測試放緩，京元電/矽格上月營收降

中科院宣布成功開發(fā)22nm MOSFET

DI CON盛會3月登陸北京

京元電明年資本支出增3成

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

閱讀秘書／FinFET

中芯國際背照式CMOS成像傳感技術(shù)研發(fā)取得突破進展

中芯國際背照式成像傳感技術(shù)取得突破

英特爾展望微細化極限和后CMOS

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東芝推出新系列CMOS多功能門邏輯集成電路

中科院微電子所在22納米CMOS技術(shù)研發(fā)上取得突破性進展

什么是三維微電子機械系統(tǒng)（3D MEMS）？

各廠商爭打組合拳助推MEMS市場

解析ADC不同類型數(shù)字輸出及挑戰(zhàn) — 全方位學(xué)習(xí)模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)

專家觀點：可顯著提升行動晶片效能的FD-SOI制程

新芯投6億美元擴產(chǎn) 將成國內(nèi)最大高端芯片基地

新日本無線推出最超低功耗CMOS運放NJU77000系列產(chǎn)品

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