CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

手機(jī)攝像頭的發(fā)展歷程和技術(shù)制約下的極限

手機(jī)攝像頭最早出現(xiàn)在日系的手機(jī)上，諾基亞7650是最早把手機(jī)攝像頭帶到全世界面前的產(chǎn)品。早期手機(jī)攝像頭只是玩具，記錄生活都是不夠格的，外出旅游數(shù)碼相機(jī)還是必須要帶的。但是隨著技術(shù)的發(fā)展，和摩爾定律的必然

消費(fèi)電子
2012-08-10

手機(jī)攝像頭諾基亞 CMOS 元件
手機(jī)攝像頭的發(fā)展歷程和技術(shù)制約下的極限

手機(jī)攝像頭最早出現(xiàn)在日系的手機(jī)上，諾基亞7650是最早把手機(jī)攝像頭帶到全世界面前的產(chǎn)品。早期手機(jī)攝像頭只是玩具，記錄生活都是不夠格的，外出旅游數(shù)碼相機(jī)還是必須要帶的。但是隨著技術(shù)的發(fā)展，和摩爾定律的必然

消費(fèi)電子
2012-08-10

手機(jī)攝像頭諾基亞 CMOS 元件
網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控大潮并不能撼動(dòng)模擬監(jiān)控固有地位

相對(duì)于CCD傳感器的精細(xì)與昂貴，CMOS很好的解決了成本以及高清圖像的處理問(wèn)題。因此，CMOS在網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控的大規(guī)模應(yīng)用也就變得不足為奇了。不過(guò)，難道"未來(lái)之星"的出現(xiàn)，就真的意味著CCD傳感器的退休嗎?難道在未來(lái)的網(wǎng)絡(luò)監(jiān)

充電吧
2012-08-07

網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控模擬 CCD傳感器 CMOS
0.35μmCMOS光接收機(jī)前置放大器設(shè)計(jì)

近年來(lái)，隨著社會(huì)信息化程度不斷提高，信息交換量呈爆炸性增長(zhǎng)，光纖通信干線系統(tǒng)以其高速、大容量的優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于電信網(wǎng)、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)。2．5 Gb/s超高速光纖通信系統(tǒng)已經(jīng)投入使用。作為光纖通信系統(tǒng)中光接收機(jī)的關(guān)

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2012-08-06

放大器設(shè)計(jì) 前置放大器光接收機(jī) CMOS
Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%

市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對(duì)3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報(bào)告，指出過(guò)去一年來(lái)，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(tái)(包括CMOS影像感測(cè)器、環(huán)境光感測(cè)器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等

消費(fèi)電子
2012-08-01

晶片半導(dǎo)體市場(chǎng) 感測(cè)器 CMOS
Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%

市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Developpement稍早前發(fā)布了一份針對(duì)3DIC與矽穿孔 ( TSV )的調(diào)查報(bào)告，指出過(guò)去一年來(lái)，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(tái)(包括CMOS影像感測(cè)器、環(huán)境光感測(cè)器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等

消費(fèi)電子
2012-08-01

晶片半導(dǎo)體市場(chǎng) 感測(cè)器 CMOS
Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%

市調(diào)機(jī)構(gòu)YoleDeveloppement稍早前發(fā)布了一份針對(duì)3DIC與矽穿孔(TSV)的調(diào)查報(bào)告，指出過(guò)去一年來(lái)，所有使用TSV封裝的3DIC或3D-WLCSP平臺(tái)(包括CMOS影像感測(cè)器、環(huán)境光感測(cè)器、功率放大器、射頻和慣性MEMS元件)等產(chǎn)品產(chǎn)值

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2012-07-31

晶片半導(dǎo)體市場(chǎng) 感測(cè)器 CMOS
拼FinFET 聯(lián)電可能搶先臺(tái)積電

在晶圓代工領(lǐng)域一直居于臺(tái)積電 ( TSMC )之后的聯(lián)電 ( UMC )，可望藉由率先采用FinFET制程技術(shù)，領(lǐng)先其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手一步。盡管十年前，臺(tái)積電是最初發(fā)起FinFET 構(gòu)想的主要企業(yè)之一。但依照聯(lián)電與IBM 簽署的授權(quán)協(xié)議，最

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2012-07-31

聯(lián)電臺(tái)積電 FINFET CMOS
CMOS PK CCD 圖像傳感器競(jìng)爭(zhēng)也“瘋狂”

圖像傳感器包括CCD與CMOS兩種。其中，CCD是“電荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的簡(jiǎn)稱，CMOS是“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的簡(jiǎn)稱。CCD是1970年美國(guó)

工業(yè)控制
2012-07-31

圖像傳感器 CCD CMOS
淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

標(biāo)簽：CMOS CCD無(wú)論任何產(chǎn)品，品質(zhì)的好壞主要取決于性能的優(yōu)劣，而性能優(yōu)劣的關(guān)鍵跟產(chǎn)品結(jié)構(gòu)和工作原理又有著較大的關(guān)系，CCD和CMOS也既如此?；窘M成CCD是在MOS晶體管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的，其基本結(jié)構(gòu)是MOS(金屬&m

消費(fèi)電子
2012-07-30

半導(dǎo)體金屬 CCD CMOS
CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

未來(lái)幾年由于消費(fèi)者對(duì)傳統(tǒng)機(jī)電式電表的更新?lián)Q代，智能電表市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以每年兩位數(shù)的速度增長(zhǎng)。智能電表使用最新的集成電路(IC)技術(shù)進(jìn)行精確測(cè)量并報(bào)告消耗的電量，智能電表比機(jī)電式電表復(fù)雜，但更加注重測(cè)量數(shù)據(jù)的完

測(cè)試測(cè)量
2012-07-29

光耦合器智能電表數(shù)字隔離器 CMOS
基于CMOS電路的IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

引言　　測(cè)試CMOS電路的方法有很多種，測(cè)試邏輯故障的一般方法是采用邏輯響應(yīng)測(cè)試，即通常所說(shuō)的功能測(cè)試。功能測(cè)試可診斷出邏輯錯(cuò)誤，但不能檢查出晶體管常開(kāi)故障、晶體管常閉故障、晶體管柵氧化層短路，互連橋短路

測(cè)試測(cè)量
2012-07-29

電路設(shè)計(jì) 電源測(cè)試電路 CMOS
采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

O 引言　　電路中的功率消耗源主要有以下幾種：由邏輯轉(zhuǎn)換引起的邏輯門(mén)對(duì)負(fù)載電容充、放電引起的功率消耗;由邏輯門(mén)中瞬時(shí)短路電流引起的功率消耗;由器件的漏電流引起的消耗，并且每引進(jìn)一次新的制造技術(shù)會(huì)導(dǎo)致漏電流

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2012-07-29

電路設(shè)計(jì) 乘法器 BSP CMOS
臺(tái)積電：「針對(duì)單一客戶」的Fab策略不無(wú)可能

臺(tái)積電(TSMC)董事長(zhǎng)兼CEO張忠謀表示，正在考慮一種經(jīng)營(yíng)模式──為單一客戶提供服務(wù)的晶圓廠。張忠謀在稍早前的第二季分析師電話會(huì)議上指出，市場(chǎng)正在朝著少數(shù)但大產(chǎn)量的客戶方向發(fā)展，其中有些客戶的規(guī)模已經(jīng)大到需要

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2012-07-27

臺(tái)積電晶圓廠 FAB CMOS
臺(tái)積電：「針對(duì)單一客戶」的Fab策略不無(wú)可能

臺(tái)積電 ( TSMC )董事長(zhǎng)兼CEO 張忠謀表示，正在考慮一種經(jīng)營(yíng)模式──為單一客戶提供服務(wù)的晶圓廠。張忠謀在稍早前的第二季分析師電話會(huì)議上指出，市場(chǎng)正在朝著少數(shù)但大產(chǎn)量的客戶方向發(fā)展，其中有些客戶的規(guī)模已經(jīng)大

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2012-07-27

臺(tái)積電晶圓廠 FAB CMOS
Amalfi Semiconductor CMOS功率放大器出貨量超1 億個(gè)

專注于經(jīng)濟(jì)有效、高性能的手機(jī) CMOS 功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi? Semiconductor, Inc. 近日宣布其 CMOS 功率放大器發(fā)貨量已超過(guò) 1 億個(gè)，進(jìn)一步鞏固公司在這一不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)的領(lǐng)先地位?！鞍l(fā)貨量超過(guò) 1 億

消費(fèi)電子
2012-07-24

功率放大器 SEMICONDUCTOR MARK CMOS
Amalfi半導(dǎo)體CMOS功率放大器發(fā)貨量超1億里程碑

Amalfi Semiconductor, Inc. 近日宣布其 CMOS 功率放大器發(fā)貨量已超過(guò) 1 億個(gè)，進(jìn)一步鞏固公司在這一不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。 “發(fā)貨量超過(guò) 1 億個(gè)發(fā)射模塊不僅標(biāo)志著我們有能力在數(shù)量上滿足市場(chǎng)對(duì)高質(zhì)量 CMOS 功

消費(fèi)電子
2012-07-19

功率放大器半導(dǎo)體 MARK CMOS
CMOS與CCD圖像傳感器特性對(duì)比分析

CCD（Charge Coupled Device）圖像傳感器（以下簡(jiǎn)稱CCD）和CMOS圖像傳感器（CMOS Image Sensor以下簡(jiǎn)稱CIS）的主要區(qū)別是由感光單元及讀出電路結(jié)構(gòu)不同而導(dǎo)致制造工藝的不同。CCD感光單元實(shí)現(xiàn)光電轉(zhuǎn)換后，以電荷的方

顯示光電
2012-07-18

CIS CCD圖像傳感器 CAMERA CMOS
關(guān)于攝像頭產(chǎn)品的術(shù)語(yǔ)詳解

標(biāo)簽：圖像傳感 CMOS CCD傳感器類型：我們常說(shuō)的數(shù)碼攝像頭的傳感器相當(dāng)與傳統(tǒng)相機(jī)的膠片，傳感器是數(shù)碼攝像頭的核心，也是最關(guān)鍵的技術(shù)，它是一種用來(lái)接收通過(guò)鏡頭的光線，并且將這些光信號(hào)轉(zhuǎn)換成為電信號(hào)的裝置。

消費(fèi)電子
2012-07-17

電腦攝像頭 CCD CMOS
關(guān)于攝像頭產(chǎn)品的術(shù)語(yǔ)詳解

標(biāo)簽：圖像傳感 CMOS CCD傳感器類型：我們常說(shuō)的數(shù)碼攝像頭的傳感器相當(dāng)與傳統(tǒng)相機(jī)的膠片，傳感器是數(shù)碼攝像頭的核心，也是最關(guān)鍵的技術(shù)，它是一種用來(lái)接收通過(guò)鏡頭的光線，并且將這些光信號(hào)轉(zhuǎn)換成為電信號(hào)的裝置。

數(shù)字電源
2012-07-15

電腦攝像頭 CCD CMOS

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CMOS

手機(jī)攝像頭的發(fā)展歷程和技術(shù)制約下的極限

手機(jī)攝像頭的發(fā)展歷程和技術(shù)制約下的極限

網(wǎng)絡(luò)監(jiān)控大潮并不能撼動(dòng)模擬監(jiān)控固有地位

0.35μmCMOS光接收機(jī)前置放大器設(shè)計(jì)

Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%

Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%

Yole：2017年3D TSV將占總半導(dǎo)體市場(chǎng)9%

拼FinFET 聯(lián)電可能搶先臺(tái)積電

CMOS PK CCD 圖像傳感器競(jìng)爭(zhēng)也“瘋狂”

淺析CMOS與CCD在內(nèi)部結(jié)構(gòu)與原理的差異

CMOS數(shù)字隔離器在智能電表中的應(yīng)用

基于CMOS電路的IDDQ測(cè)試電路設(shè)計(jì)

采用靜態(tài)CMOS和單相能量回收電路的乘法器電路設(shè)計(jì)

臺(tái)積電：「針對(duì)單一客戶」的Fab策略不無(wú)可能

臺(tái)積電：「針對(duì)單一客戶」的Fab策略不無(wú)可能

Amalfi Semiconductor CMOS功率放大器出貨量超1 億個(gè)

Amalfi半導(dǎo)體CMOS功率放大器發(fā)貨量超1億里程碑

CMOS與CCD圖像傳感器特性對(duì)比分析

關(guān)于攝像頭產(chǎn)品的術(shù)語(yǔ)詳解

關(guān)于攝像頭產(chǎn)品的術(shù)語(yǔ)詳解

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