CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

一種新型的高性能CMOS電流比較器電路

分析了目前幾種高性能連續(xù)時(shí)間CMOS 電流比較器的優(yōu)缺點(diǎn)，提出了一種新型CMOS 電流比較器電路。它包含一組具有負(fù)反饋電阻的CMOS 互補(bǔ)放大器、兩組電阻負(fù)載放大器和兩組CMOS 反相器。由于CMOS 互補(bǔ)放大器的負(fù)反饋電阻降低了它的輸入、輸出阻抗，從而使電壓的變化幅度減小，所以該電流比較器具有較短的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間和較快的速度。電阻負(fù)載放大器的使用減小了電路的功耗。利用112Lm CMOS 工藝HSP ICE 模型參數(shù)對(duì)該電流比較器的性能進(jìn)行了模擬，結(jié)果表明該電路的瞬態(tài)響應(yīng)時(shí)間達(dá)到目前最快的

功率器件
2013-10-11

比較器 CMOS 電流電路
CMOS/GaAs PA方案決戰(zhàn)中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)

互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體功率放大器(CMOS PA)與砷化鎵(GaAs)PA方案戰(zhàn)火愈演愈烈。CMOS PA正挾尺寸及成本優(yōu)勢(shì)于中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)攻城掠地，市占可望提升至15%～20%，而GaAs PA廠商為進(jìn)一步防堵對(duì)手攻勢(shì)，將全面啟動(dòng)輕晶圓

消費(fèi)電子
2013-10-08

手機(jī)市場(chǎng) 元件晶圓代工 CMOS
LED封裝市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng) 2018年將達(dá)160億美元

2012通用照明成為最大的LED封裝應(yīng)用領(lǐng)域，LED這種取代性技術(shù)將是增長(zhǎng)趨勢(shì)延續(xù)到2018年。除了照明領(lǐng)域，其他LED應(yīng)用市場(chǎng)也在快速發(fā)展。當(dāng)下，封裝LED市場(chǎng)為139億美元，未來(lái)五年增速平緩，并將在2018年達(dá)到峰值——160

半導(dǎo)體
2013-10-01

硅基氮化鎵 LED封裝 COM CMOS
2018年LED封裝市場(chǎng)將達(dá)到160億美元

2012通用照明成為最大的LED封裝應(yīng)用領(lǐng)域，LED這種取代性技術(shù)將是增長(zhǎng)趨勢(shì)延續(xù)到2018年。除了照明領(lǐng)域，其他LED應(yīng)用市場(chǎng)也在快速發(fā)展。 2018年LED封裝市場(chǎng)將達(dá)到160億美元當(dāng)下，封裝LED市場(chǎng)為139億美元，未來(lái)五年增速

顯示光電
2013-09-27

硅基氮化鎵 LED封裝 GAN CMOS
ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么?高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來(lái)解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問(wèn)題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能夠持續(xù)

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-09-12

金屬薄膜 SE CMOS
ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

高介電常數(shù)(High-k) 金屬閘極應(yīng)用于先進(jìn)互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體(CMOS) 技術(shù)的關(guān)鍵挑戰(zhàn)是什么？高介電常數(shù)/金屬閘極(HKMG) 技術(shù)的引進(jìn)是用來(lái)解決標(biāo)準(zhǔn)SiO2/SiON 閘極介電質(zhì)縮減所存在的問(wèn)題。雖然使用高介電常數(shù)介電質(zhì)能

模擬
2013-09-12

金屬薄膜 SE CMOS
京元電8月?tīng)I(yíng)收今年高點(diǎn)

IC晶圓和成品測(cè)試廠京元電(2449)自結(jié)8月合并營(yíng)收新臺(tái)幣13.05億元，月增0.3%，續(xù)創(chuàng)今年以來(lái)高點(diǎn)；累計(jì)今年前8月自結(jié)合并營(yíng)收97.64億元，年增2.59%。京元電自結(jié)8月合并營(yíng)收比7月13.01億元微增0.3%，較去年同期約13

模擬
2013-09-07

通訊元件 IC測(cè)試 CMOS
74hc573引腳圖真值表邏輯圖

74HC573 跟LS/AL573 的管腳一樣。器件的輸入是和標(biāo)準(zhǔn)CMOS 輸出兼容的;加上拉電阻，他們能和LS/ALSTTL 輸出兼容。當(dāng)鎖存使能端為高時(shí)，這些器件的鎖存對(duì)于數(shù)據(jù)是透明的(也就是說(shuō)輸出同步)。當(dāng)鎖存使能變低時(shí)，符合建立

熱搜器件
2013-09-03

器件引腳圖 74HC573 CMOS
可編程非穩(wěn)態(tài)電路圖

電路圖中當(dāng)控制輸入線偏高時(shí)，4016CMOS模擬開(kāi)關(guān)會(huì)選擇1.5兆歐姆的定時(shí)電阻Rt1，以產(chǎn)生100Hz的負(fù)向輸出脈沖。當(dāng)輸入偏低時(shí)，CMOS開(kāi)關(guān)S2會(huì)開(kāi)啟，選擇1.2兆歐姆的定時(shí)電阻Rt2來(lái)產(chǎn)生120Hz的輸出。

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-09-03

電路圖編程穩(wěn)態(tài)電路 CMOS
采用CMOS晶體管對(duì)的非穩(wěn)態(tài)電路圖

CA3600E陣列的一個(gè)晶體管對(duì)和CA3080運(yùn)算倒轉(zhuǎn)放大器連用可為方波提供精確的定時(shí)和閥值。典型的靜態(tài)功耗是6mW。

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-08-26

電路圖 MOS晶體管穩(wěn)態(tài)電路 CMOS
MAX232是什么？

MAX232芯片是美信公司專門為電腦的RS-232標(biāo)準(zhǔn)串口設(shè)計(jì)的接口電路,使用+5v單電源供電。它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)基本可分三個(gè)部分;第一部分是電荷泵電路。由1、2、3、4、5、6腳和4只電容構(gòu)成。功能是產(chǎn)生+12v和-12v兩個(gè)電源，提供

熱搜器件
2013-08-21

電容 RS-232 MAX232 CMOS
MAX232在使用的時(shí)候須注意的問(wèn)題

MAX232在使用的時(shí)候須注意的問(wèn)題!!!最近在做一個(gè)電路的時(shí)候...把MAX232的232端口和TTL端口搞反發(fā)現(xiàn)還能工作...只是有的電腦能行,有的電腦不行...大家一定要注意了...TTL/CMOS INPUTS 端.這個(gè)端口是的作用是輸入TLL或

熱搜器件
2013-08-21

信號(hào) 端口 MAX232 CMOS
MAX232芯片介紹

MAX232芯片是美信公司專門為電腦的RS-232標(biāo)準(zhǔn)串口設(shè)計(jì)的單電源電平轉(zhuǎn)換芯片，使用+5v單電源供電。引腳介紹MAX232引腳圖第一部分是電荷泵電路。由1、2、3、4、5、6腳和4只電容構(gòu)成。功能是產(chǎn)生+12v和-12v兩個(gè)電源，提

熱搜器件
2013-08-21

芯片 RS-232 MAX232 CMOS
與IBM攻10納米聯(lián)電強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力

聯(lián)電（2303）執(zhí)行長(zhǎng)顏博文昨（7）日表示，聯(lián)電跳過(guò)20納米，與IBM合作14納米FinFET（鰭式場(chǎng)效晶體管）制程，近期更加入IBM 10納米FinFet CMOS聯(lián)盟，將縮短和競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手在先進(jìn)制程差距。聯(lián)電昨天公布第2季約當(dāng)8寸晶圓

模擬
2013-08-08

IBM 聯(lián)電 FINFET CMOS
聯(lián)電估Q3出貨季增3%以上部分客戶需求下修 Q4庫(kù)存修正

聯(lián)電(2303-TW)(UMC-US)今(7)日舉辦線上法說(shuō)公布第2季財(cái)務(wù)報(bào)告并對(duì)第3季營(yíng)運(yùn)提出預(yù)告。聯(lián)電預(yù)期第三季營(yíng)收持續(xù)成長(zhǎng)，出貨季增3%以上；同時(shí)聯(lián)華電子執(zhí)行長(zhǎng)顏博文表示，第4季仍將面臨季節(jié)的庫(kù)存修正且近期已觀察發(fā)現(xiàn)部分

模擬
2013-08-08

Wi-Fi IBM 聯(lián)電 CMOS
CMOS面陣圖像傳感器之高動(dòng)態(tài)光照渲染技術(shù)

高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)高動(dòng)態(tài)范圍(HDR)成像的一個(gè)特色，是可用來(lái)拍攝最亮和最暗區(qū)域之間具有寬對(duì)比度的圖像。通過(guò)擴(kuò)展動(dòng)態(tài)范圍，它有助于使此類圖像看起來(lái)更為自然。東芝公司的圖像傳感器已開(kāi)發(fā)了HDR功能，可以糾正對(duì)比度高

消費(fèi)電子
2013-07-30

圖像傳感器東芝 HDR CMOS
基于MAX690芯片設(shè)計(jì)后備電池電路

使用大電容C替代后備電池電路 MAX690/MAX692/MAX694為8腳封裝，能在上電、掉電或電源不穩(wěn)定時(shí)產(chǎn)生一個(gè)低電平復(fù)位信號(hào)輸出：掉電時(shí)可將CMOS RAM、CMOS微處理器或其他低功耗

電源電路
2013-07-24

芯片設(shè)計(jì) 電池 CMOS 電路
臺(tái)積電轉(zhuǎn)變策略開(kāi)發(fā)行動(dòng)和智能穿戴裝置技術(shù)

就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際，晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS

模擬
2013-07-24

臺(tái)積電智能穿戴 BCD CMOS
臺(tái)積電新制程攻行動(dòng)穿戴

就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際，晶圓代工龍頭臺(tái)積電（2330）仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器（eFlash）、

模擬
2013-07-23

臺(tái)積電智能穿戴 BCD CMOS
臺(tái)積電新制程攻行動(dòng)穿戴

就在市場(chǎng)普遍關(guān)注晶圓代工廠的28納米制程競(jìng)爭(zhēng)之際，晶圓代工龍頭臺(tái)積電(2330)仍積極將現(xiàn)有技術(shù)升級(jí)為特殊技術(shù)制程產(chǎn)能，原因就是持續(xù)看好行動(dòng)裝置及智能穿戴裝置的強(qiáng)勁成長(zhǎng)動(dòng)能，包括嵌入式快閃存儲(chǔ)器(eFlash)、CMOS

消費(fèi)電子
2013-07-23

臺(tái)積電智能穿戴 BCD CMOS

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CMOS

一種新型的高性能CMOS電流比較器電路

CMOS/GaAs PA方案決戰(zhàn)中低價(jià)手機(jī)市場(chǎng)

LED封裝市場(chǎng)持續(xù)增長(zhǎng) 2018年將達(dá)160億美元

2018年LED封裝市場(chǎng)將達(dá)到160億美元

ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

ASM高級(jí)技術(shù)產(chǎn)品經(jīng)理Mohith Verghese談CMOS面臨的關(guān)鍵挑戰(zhàn)

京元電8月?tīng)I(yíng)收今年高點(diǎn)

74hc573引腳圖真值表邏輯圖

可編程非穩(wěn)態(tài)電路圖

采用CMOS晶體管對(duì)的非穩(wěn)態(tài)電路圖

MAX232是什么？

MAX232在使用的時(shí)候須注意的問(wèn)題

MAX232芯片介紹

與IBM攻10納米聯(lián)電強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力

聯(lián)電估Q3出貨季增3%以上部分客戶需求下修 Q4庫(kù)存修正

CMOS面陣圖像傳感器之高動(dòng)態(tài)光照渲染技術(shù)

基于MAX690芯片設(shè)計(jì)后備電池電路

臺(tái)積電轉(zhuǎn)變策略開(kāi)發(fā)行動(dòng)和智能穿戴裝置技術(shù)

臺(tái)積電新制程攻行動(dòng)穿戴

臺(tái)積電新制程攻行動(dòng)穿戴

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