CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

圖像傳感器大PK：CMOS較量CCD

圖像傳感器包括CCD與CMOS兩種。其中，CCD是“電荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的簡(jiǎn)稱，CMOS是“互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的簡(jiǎn)稱。CCD是1970年美國(guó)貝爾實(shí)驗(yàn)室的W·B·B

半導(dǎo)體
2013-11-20

CCD CMOS 圖像傳感器噪聲
CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路b

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路b

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-11-18

定時(shí)電路 IC BSP CMOS
CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路a

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路a

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-11-18

定時(shí)電路 IC BSP CMOS
備忘錄：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月15日）

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局今日在網(wǎng)上公布了《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告(2013年11月15日)》，布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)就是布圖設(shè)計(jì)的創(chuàng)作人或者其他權(quán)利人對(duì)布圖設(shè)計(jì)所享有的權(quán)利，具體來說，就是指國(guó)家依據(jù)有關(guān)集成電路的法律規(guī)

半導(dǎo)體
2013-11-15

集成電路信息技術(shù) 線性 CMOS
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

消費(fèi)電子
2013-11-13

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。隨著

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-11-13

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

模擬
2013-11-12

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導(dǎo)體

訊：比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化

半導(dǎo)體
2013-11-12

半導(dǎo)體 AN FINFET CMOS
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導(dǎo)體。IMEC的新制程目標(biāo)是希望能持續(xù)微縮 CMOS 至 7nm 及其以下，以及實(shí)現(xiàn)混合 CMOS-RF 與 CMOS 光電元件的化

模擬
2013-11-11

半導(dǎo)體晶片 FINFET CMOS
國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月8日）

訊：11月8日，國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公布了《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告(2013年11月8日)》，據(jù)悉，世界知識(shí)產(chǎn)權(quán)組織于1989年5月通過了《關(guān)于集成電路的知識(shí)產(chǎn)權(quán)條約》。以下是國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局《集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)

半導(dǎo)體
2013-11-08

集成電路線性 IO CMOS
模擬計(jì)數(shù)器電路圖

如圖所示，這個(gè)簡(jiǎn)單的電路在電平檢測(cè)器中使用一個(gè)LM311，并且用一個(gè)CMOS模擬電門來釋放電容。這種計(jì)數(shù)器的一大特點(diǎn)就是數(shù)可以改變。只有當(dāng)比較器運(yùn)行地較快時(shí)才需要改變電壓的大小。用相同的道理可以設(shè)計(jì)出一個(gè)價(jià)格便

基礎(chǔ)實(shí)用電路
2013-11-05

模擬電路圖計(jì)數(shù)器電路 CMOS
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低導(dǎo)通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出

模擬
2013-11-05

器件 Vishay 模擬開關(guān) CMOS
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

器件導(dǎo)通電阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生電容、100ns的開關(guān)時(shí)間和0.033μW的功耗21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低導(dǎo)

功率器件
2013-11-05

器件 Vishay 模擬開關(guān) CMOS
FD SOI與FinFET的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)之戰(zhàn)

FD SOI（全耗盡型SOI）最近重新進(jìn)入業(yè)界關(guān)注的焦點(diǎn)。Intel、TSMC等企業(yè)已決定在22、14nm節(jié)點(diǎn)走向FinFET之路；而作為FD SOI技術(shù)的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，認(rèn)為在先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上FD SOI

消費(fèi)電子
2013-11-01

節(jié)點(diǎn) 絕緣 FINFET CMOS
新日本無線推出超低功耗CMOS運(yùn)放NJU77806

新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運(yùn)放 NJU77806 的獨(dú)特之處是同時(shí)具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強(qiáng)RF噪聲

模擬
2013-10-31

無線超低功耗運(yùn)放 CMOS
淺析CMOS電路

CMOS問世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢(shì)。1、組成結(jié)構(gòu)CMOS電路是互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場(chǎng)效應(yīng)晶體管組成，由于只有

模擬
2013-10-29

電路電平 TTL CMOS
ULN2003和ULN2004有哪些區(qū)別？

ULN2003和ULN2004有哪些區(qū)別?這個(gè)ULN2003A和ULQ2003A有2.7 -kΩ系列為每個(gè)達(dá)靈頓基地電阻對(duì)操作直接與TTL或5 v CMOS設(shè)備。這個(gè)ULN2004A和ULQ2004A有10.5 -kΩ系列基礎(chǔ)電阻器允許操作直接從CMOS設(shè)備使用供應(yīng)

熱搜器件
2013-10-29

電壓 TTL ULN2003 CMOS
名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功

眾所周知，晶體管要分成多種類型。其中，MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場(chǎng)效應(yīng)管存在兩個(gè)被學(xué)術(shù)界稱為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時(shí)源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài)，所以在一

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2013-10-29

晶體管電子器件場(chǎng)效應(yīng)管 CMOS
單晶粒整合CMOS/MEMS技術(shù)　CMEMS振蕩器減小溫度漂移

以CMEMS技術(shù)生產(chǎn)的振蕩器，正逐漸在市場(chǎng)上嶄露頭角。CMEMS技術(shù)系在單晶粒中整合CMOS和MEMS電路，以實(shí)現(xiàn)更高整合度的MEMS振蕩器，可消除傳統(tǒng)雙晶粒MEMS振蕩器和石英振蕩器的諸多缺陷，并提高溫度和頻率穩(wěn)定性，因而備

模擬
2013-10-28

溫度振蕩器單晶 CMOS
土豪金到底值不值萬金？ iPhone 5s深度拆解（圖文）

和 iPhone 5c 相比，iPhone 5s 的升級(jí)更有誠意：64 位 A7 芯片、M7 協(xié)處理器和 Touch ID 指紋傳感器都能激起人們的期待。iFixit 提前拿到機(jī)器，一份翔實(shí)的拆機(jī)報(bào)告趕在 iPhone 5s 發(fā)售時(shí)出爐。來了解下 iPhone

半導(dǎo)體
2013-10-27

iPhone 電池 TOUCH CMOS

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CMOS

圖像傳感器大PK：CMOS較量CCD

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路b

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時(shí)電路a

備忘錄：國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月15日）

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導(dǎo)體

IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導(dǎo)體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計(jì)專有權(quán)公告（11月8日）

模擬計(jì)數(shù)器電路圖

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

FD SOI與FinFET的先進(jìn)節(jié)點(diǎn)之戰(zhàn)

新日本無線推出超低功耗CMOS運(yùn)放NJU77806

淺析CMOS電路

ULN2003和ULN2004有哪些區(qū)別？

名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功

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土豪金到底值不值萬金？ iPhone 5s深度拆解（圖文）

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