CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補金屬氧化物半導體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時電路b

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時電路b

基礎(chǔ)實用電路
2013-11-18

CMOS 定時電路 IC BSP
CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時電路a

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時電路a

基礎(chǔ)實用電路
2013-11-18

CMOS 定時電路 IC BSP
備忘錄：國家知識產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)公告（11月15日）

國家知識產(chǎn)權(quán)局今日在網(wǎng)上公布了《集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)公告(2013年11月15日)》，布圖設(shè)計專有權(quán)就是布圖設(shè)計的創(chuàng)作人或者其他權(quán)利人對布圖設(shè)計所享有的權(quán)利，具體來說，就是指國家依據(jù)有關(guān)集成電路的法律規(guī)

半導體
2013-11-15

集成電路信息技術(shù) 線性 CMOS
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

消費電子
2013-11-13

半導體 AN FINFET CMOS
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3DFinFET化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS至7nm及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF與CMOS光電元件的化合物。隨著

電子設(shè)計自動化
2013-11-13

半導體 AN FINFET CMOS
研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化合物

模擬
2013-11-12

半導體 AN FINFET CMOS
IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導體

訊：比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮CMOS 至7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合CMOS-RF 與CMOS 光電元件的化

半導體
2013-11-12

半導體 AN FINFET CMOS
新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

比利時微電子研究中心(IMEC)宣稱開發(fā)出全球首款在300mm晶圓上整合III-V族與矽晶材料的3D FinFET 化合物半導體。IMEC的新制程目標是希望能持續(xù)微縮 CMOS 至 7nm 及其以下，以及實現(xiàn)混合 CMOS-RF 與 CMOS 光電元件的化

模擬
2013-11-11

半導體晶片 FINFET CMOS
國家知識產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)公告（11月8日）

訊：11月8日，國家知識產(chǎn)權(quán)局公布了《集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)公告(2013年11月8日)》，據(jù)悉，世界知識產(chǎn)權(quán)組織于1989年5月通過了《關(guān)于集成電路的知識產(chǎn)權(quán)條約》。以下是國家知識產(chǎn)權(quán)局《集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)

半導體
2013-11-08

集成電路線性 IO CMOS
模擬計數(shù)器電路圖

如圖所示，這個簡單的電路在電平檢測器中使用一個LM311，并且用一個CMOS模擬電門來釋放電容。這種計數(shù)器的一大特點就是數(shù)可以改變。只有當比較器運行地較快時才需要改變電壓的大小。用相同的道理可以設(shè)計出一個價格便

基礎(chǔ)實用電路
2013-11-05

模擬電路圖計數(shù)器電路 CMOS
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有1.5Ω低導通電阻的新款±15V精密單片4路單刀單擲(SPST)CMOS模擬開關(guān)--- Vishay Siliconix DG1411、DG1412和DG1413。今天推出

模擬
2013-11-05

器件 Vishay 模擬開關(guān) CMOS
Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

器件導通電阻低至1.5Ω，具有11pF的CS(OFF)的低寄生電容、100ns的開關(guān)時間和0.033μW的功耗21ic訊日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出具有1.5Ω低導

功率器件
2013-11-05

器件 Vishay 模擬開關(guān) CMOS
FD SOI與FinFET的先進節(jié)點之戰(zhàn)

FD SOI（全耗盡型SOI）最近重新進入業(yè)界關(guān)注的焦點。Intel、TSMC等企業(yè)已決定在22、14nm節(jié)點走向FinFET之路；而作為FD SOI技術(shù)的主要支持者，如IBM、STMicroelectronics、GlobalFoundries等，認為在先進節(jié)點上FD SOI

消費電子
2013-11-01

節(jié)點絕緣 FINFET CMOS
新日本無線推出超低功耗CMOS運放NJU77806

新日本無線推出的這款單電路軌至軌輸出的CMOS運放 NJU77806 的獨特之處是同時具有業(yè)界最低噪聲 (5.5nV/√Hz typ. at f=1kHz) 和低功耗 (1.8V,500uA) 兩種特性，還備有良好的寬帶特性 (GBP=4.4MHz) 和強RF噪聲

模擬
2013-10-31

無線超低功耗運放 CMOS
淺析CMOS電路

CMOS問世比TTL較晚，但發(fā)展較快，大有后來者居上、趕超并取代之勢。1、組成結(jié)構(gòu)CMOS電路是互補型金屬氧化物半導體電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)的英文字頭縮寫，它由絕緣場效應(yīng)晶體管組成，由于只有

模擬
2013-10-29

電路電平 TTL CMOS
ULN2003和ULN2004有哪些區(qū)別？

ULN2003和ULN2004有哪些區(qū)別?這個ULN2003A和ULQ2003A有2.7 -kΩ系列為每個達靈頓基地電阻對操作直接與TTL或5 v CMOS設(shè)備。這個ULN2004A和ULQ2004A有10.5 -kΩ系列基礎(chǔ)電阻器允許操作直接從CMOS設(shè)備使用供應(yīng)

熱搜器件
2013-10-29

電壓 TTL ULN2003 CMOS
名為單PN結(jié)的新型基礎(chǔ)電子器件已研發(fā)成功

眾所周知，晶體管要分成多種類型。其中，MOSFET作為基礎(chǔ)器件由于其優(yōu)越性能得到了廣泛的應(yīng)用。但是目前使用的場效應(yīng)管存在兩個被學術(shù)界稱為PN結(jié)的結(jié)構(gòu)。正常工作時源極和襯底間的PN結(jié)始終處于正向?qū)顟B(tài)，所以在一

電子設(shè)計自動化
2013-10-29

晶體管電子器件場效應(yīng)管 CMOS
單晶粒整合CMOS/MEMS技術(shù)　CMEMS振蕩器減小溫度漂移

以CMEMS技術(shù)生產(chǎn)的振蕩器，正逐漸在市場上嶄露頭角。CMEMS技術(shù)系在單晶粒中整合CMOS和MEMS電路，以實現(xiàn)更高整合度的MEMS振蕩器，可消除傳統(tǒng)雙晶粒MEMS振蕩器和石英振蕩器的諸多缺陷，并提高溫度和頻率穩(wěn)定性，因而備

模擬
2013-10-28

溫度振蕩器單晶 CMOS
土豪金到底值不值萬金？ iPhone 5s深度拆解（圖文）

和 iPhone 5c 相比，iPhone 5s 的升級更有誠意：64 位 A7 芯片、M7 協(xié)處理器和 Touch ID 指紋傳感器都能激起人們的期待。iFixit 提前拿到機器，一份翔實的拆機報告趕在 iPhone 5s 發(fā)售時出爐。來了解下 iPhone

半導體
2013-10-27

iPhone 電池 TOUCH CMOS
TTL與CMOS 高低電平電路區(qū)別比較

一.TTLTTL集成電路的主要型式為晶體管-晶體管邏輯門(transistor-transistor logic gate)，TTL大部分都采用5V電源。1.輸出高電平Uoh和輸出低電平UolUoh≥2.4V,Uol≤0.4V2.輸入高電平和輸入低電平Uih≥2.0V，Uil

模擬
2013-10-23

電路電平 TTL CMOS

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CMOS

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時電路b

CMOS的555（ICM7555）構(gòu)成的定時電路a

備忘錄：國家知識產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)公告（11月15日）

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

研究人員開發(fā)出整合III-V族與矽材料的3DFinFET半導體

IMEC新開發(fā)整合III-V族與矽晶的3D FinFET半導體

新開發(fā)FinFET整合III-V族與矽材料

國家知識產(chǎn)權(quán)局集成電路布圖設(shè)計專有權(quán)公告（11月8日）

模擬計數(shù)器電路圖

Vishay發(fā)布采用新工藝的高性能CMOS模擬開關(guān)

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