CMOS

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CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體，電壓控制的一種放大器件，是組成CMOS數(shù)字集成電路的基本單元。

Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

這是產(chǎn)業(yè)界第一個(gè)可重構(gòu)射頻前端，將促成單一平臺(tái)設(shè)計(jì)并支持TDD-LTE網(wǎng)絡(luò)北京－電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議（EDI CON 2014）─ 2014年4月9日─ Peregrine半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克股票代碼：PSMI ）是射頻SOI（絕緣體上硅）技術(shù)的創(chuàng)

半導(dǎo)體
2014-04-16

ACM CMOS GLOBAL ULTRA
Peregrine：CMOS將打破GaAs在RF的地位

Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系統(tǒng)解決方案，它采用Peregrine的130納米R(shí)F-SOI工藝技術(shù)的UItraCMOS 10工藝技術(shù)平臺(tái)。這是業(yè)界又一次對(duì)GaAs RF器件提出了挑戰(zhàn)。 Global 1集成了三通道多模多頻段功

21ic專(zhuān)訪(fǎng)
2014-04-15

砷化鎵 RF CMOS GLOBAL
Peregrine半導(dǎo)體場(chǎng)推出UltraCMOS Global 1射頻前端

Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議(EDI CON 2014)上，宣布UltraCMOS Global1在大中華地區(qū)首次亮相。UltraCMOS Global 1是行業(yè)中第一個(gè)可重構(gòu)射頻前端( RFFE )系統(tǒng)。由于在一塊芯片上集成了射頻前端(RFFE)的所

通信技術(shù)
2014-04-14

ACM CMOS GLOBAL ULTRA
基于功耗限制的CMOS低曝聲放大器最優(yōu)化設(shè)計(jì)

　在無(wú)線(xiàn)射頻接收機(jī)中，射頻信號(hào)要經(jīng)過(guò)諸如濾波器、低噪聲放大器及中頻放大器等單元模塊進(jìn)行傳輸。由于每個(gè)單元都有固有噪聲，從而造成輸出信噪比變差。采用多級(jí)級(jí)聯(lián)的系統(tǒng)

功率器件
2014-04-11

低噪聲放大器放大器噪聲系數(shù) CMOS
國(guó)內(nèi)首顆可量產(chǎn)并具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片

中科漢天下致力于無(wú)線(xiàn)通信芯片及射頻前端芯片的研發(fā)。日前，該公司推出了國(guó)內(nèi)首顆可大規(guī)模量產(chǎn)并具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片—HS8269。 HS8269采用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝，將全部電路（射頻功率放大器、

通信技術(shù)
2014-04-11

芯片射頻前端 GSM CMOS
專(zhuān)家觀(guān)點(diǎn)：FD SOI是20奈米節(jié)點(diǎn)最佳方案

全空乏絕緣上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator，F(xiàn)D SOI)是 28奈米與 20奈米半導(dǎo)體制程節(jié)點(diǎn)的最佳解決方案，主要原因是該技術(shù)與塊狀CMOS制程技術(shù)相比，其成本與泄漏電流較低，性能表現(xiàn)則更高。同樣是100mm

模擬
2014-04-08

節(jié)點(diǎn) 制程技術(shù) FINFET CMOS
3D IC 封測(cè)臺(tái)廠(chǎng)續(xù)布局

封測(cè)臺(tái)廠(chǎng)持續(xù)布局3D IC。智慧型手機(jī)用CMOS影像感測(cè)元件，可率先采用3D IC技術(shù)，預(yù)估到2016年，整合應(yīng)用處理器和記憶體的3DIC技術(shù)，有機(jī)會(huì)量產(chǎn)。媒體日前報(bào)導(dǎo)記憶體大廠(chǎng)美光(Micron)為布局3D IC技術(shù)，計(jì)劃透過(guò)華亞

模擬
2014-04-06

元件 IC CMOS
專(zhuān)家：FinFET并非半導(dǎo)體演進(jìn)最佳選項(xiàng)

在歷史上，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)仰賴(lài)制程節(jié)點(diǎn)每一次微縮所帶來(lái)的電晶體成本下降；但下一代晶片恐怕不會(huì)再伴隨著成本下降，這將會(huì)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近20~30年來(lái)面臨的最嚴(yán)重挑戰(zhàn)。具體來(lái)說(shuō)，新一代的20奈米塊狀高介電金屬閘極

模擬
2014-04-01

半導(dǎo)體節(jié)點(diǎn) FINFET CMOS
Sony擴(kuò)產(chǎn)CMOS影像傳感元件買(mǎi)瑞薩鶴岡工廠(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)大

日本家電巨擘Sony從2008~2011會(huì)計(jì)年度(2008/4~20012/3)，最終損益連續(xù)4年虧損，2012會(huì)計(jì)年度雖轉(zhuǎn)虧為盈，但2013會(huì)計(jì)年度估計(jì)又為虧損，主因?yàn)楸緲I(yè)的家電事業(yè)持續(xù)虧損。因此英美的投資機(jī)構(gòu)，均將Sony的債券列為垃圾級(jí)

半導(dǎo)體
2014-03-31

元件傳感 SONY CMOS
采用CMOS數(shù)字集成電路的搶答電路

采用CMOS數(shù)字集成電路的搶答電路

光電顯示電路
2014-03-23

數(shù)字集成電路 CMOS
LED芯片制作中襯底知識(shí)大全

外延片的生產(chǎn)制作過(guò)程是非常復(fù)雜，展完外延片，接下來(lái)就在每張外延片隨意抽取九點(diǎn)做測(cè)試，符合要求的就是良品，其它為不良品(電壓偏差很大，波長(zhǎng)偏短或偏長(zhǎng)等)。良品的外延片就要開(kāi)始做電極(P極，N極)，接下

顯示光電
2014-03-23

DRAM 電極 LED芯片 CMOS
高通創(chuàng)銳訊與RFaxis協(xié)作開(kāi)發(fā)3x3 11ac解決方案，采用CMOS RF前端大幅度降低物料成本

美國(guó)高通技術(shù)公司旗下子公司—高通創(chuàng)銳訊最近與無(wú)晶圓半導(dǎo)體企業(yè)RFaxis公司合作，為無(wú)線(xiàn)連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)開(kāi)發(fā)創(chuàng)新的下一代RF解決方案。高通創(chuàng)銳訊與RFaxis協(xié)作開(kāi)發(fā)3x3 <wbr>11ac解決方案，采用CMOS <wbr>

通信技術(shù)
2014-03-19

RF AC CMOS
漢天下單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片出貨超1億顆

去年年中，漢天下電子有限公司發(fā)布了全球首款單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片系列產(chǎn)品HS8292(U)/HS8269(U)，截止到2014年2月底前近9個(gè)月的時(shí)間累計(jì)出貨量已經(jīng)超過(guò)1億顆！經(jīng)過(guò)了近一年的市場(chǎng)嚴(yán)酷考驗(yàn)，HS8292(U)/HS8

消費(fèi)電子
2014-03-18

芯片射頻功放 GSM CMOS
京元電去年獲利增逾16％，擬配息1.3元

IC測(cè)試大廠(chǎng)京元電(2449)去年受惠于折舊費(fèi)用減少，加上自制機(jī)臺(tái)比重提升，帶動(dòng)毛利率、營(yíng)益率攀升，稅后凈利達(dá)18.17億元，年增16.53%，每股稅后盈余1.53元。另外，董事會(huì)通過(guò)擬配發(fā)1.3元現(xiàn)金股利，以昨日收盤(pán)價(jià)26.25元

模擬
2014-03-15

晶片 SoC 測(cè)試機(jī) CMOS
京元電2月?tīng)I(yíng)收月減3.9％，3月?tīng)I(yíng)運(yùn)彈升

IC晶圓和成品測(cè)試廠(chǎng)京元電(2449)公布自結(jié)2月?tīng)I(yíng)收，由于受春節(jié)連假因素影響，該月合并營(yíng)收達(dá)新臺(tái)幣11.14億元，月減3.9%，年增6.99%。本月隨行動(dòng)應(yīng)用晶片需求回升，將帶動(dòng)業(yè)績(jī)明顯增溫。京元電2月合并營(yíng)收11.14億元

模擬
2014-03-08

晶片平板電腦 CMOS
高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

高通公司QFE2320和QFE2340芯片的成功商用，標(biāo)志著移動(dòng)射頻前端技術(shù)的一個(gè)重大進(jìn)展，兩款芯片借助簡(jiǎn)化的走線(xiàn)和行業(yè)尺寸最小的功率放大器和天線(xiàn)開(kāi)關(guān)，相信會(huì)在集成電路上實(shí)現(xiàn)前所未有的功能。集成天線(xiàn)開(kāi)關(guān)的QFE2320多模

通信技術(shù)
2014-02-26

芯片放大器 LTE CMOS
單片機(jī)入門(mén)學(xué)習(xí)（二）

昨天我給大家分享了一些基本的單片機(jī)的知識(shí)，那么今天我會(huì)說(shuō)一些關(guān)于電平特征、二進(jìn)制的邏輯運(yùn)算和C51中的基礎(chǔ)知識(shí)，在最后也會(huì)告訴大家怎么去使用單片機(jī)程序常用編譯軟件Keil。這里提供一個(gè)Keil uVISION4下載地址：

單片機(jī)
2014-02-17

單片機(jī) 邏輯電平 MDASH CMOS
DARPA資助IBM開(kāi)發(fā)具自毀功能的芯片

相較于其他計(jì)劃，其實(shí)這次宣布的計(jì)劃在DARPA機(jī)構(gòu)里面應(yīng)該不算是特別有創(chuàng)意，但必須說(shuō)，這算是鞏固戰(zhàn)場(chǎng)優(yōu)勢(shì)的基礎(chǔ)投資。他們?cè)诮裉煨紝⒃贗BM的協(xié)助之下，將打造出一個(gè)如同《不可能的任務(wù)》電影一樣，具備自我銷(xiāo)毀功

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2014-02-09

IBM 芯片 DARPA CMOS
TTL電平與CMOS電平的區(qū)別

TTL電平信號(hào)被利用的最多是因?yàn)橥ǔ?shù)據(jù)表示采用二進(jìn)制規(guī)定，+5V等價(jià)于邏輯"1"，0V等價(jià)于邏輯"0"，這被稱(chēng)做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號(hào)系統(tǒng)，這是計(jì)算機(jī)處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)。TTL電平信

模擬
2014-01-20

MDASH VI TTL電平 CMOS
分辨率再提升：未來(lái)之路小米華為怎么走？

2013年，中國(guó)智能手機(jī)市場(chǎng)分外熱鬧，小米銷(xiāo)量三年三大步從30萬(wàn)到719萬(wàn)，再到1870萬(wàn)，成為中國(guó)手機(jī)市場(chǎng)的巨頭之一；華為經(jīng)過(guò)兩年的折騰步入正軌，幾款產(chǎn)品都有不錯(cuò)的銷(xiāo)量；OPPO和VIVO兩兄弟高歌猛進(jìn)，跟上智能機(jī)節(jié)奏，

顯示光電
2014-01-13

華為小米 VIVO CMOS

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CMOS

Peregrine半導(dǎo)體公司在電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新會(huì)議上推出UltraCMOS Global 1射頻前端

Peregrine：CMOS將打破GaAs在RF的地位

Peregrine半導(dǎo)體場(chǎng)推出UltraCMOS Global 1射頻前端

基于功耗限制的CMOS低曝聲放大器最優(yōu)化設(shè)計(jì)

國(guó)內(nèi)首顆可量產(chǎn)并具自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的CMOS GSM射頻前端芯片

專(zhuān)家觀(guān)點(diǎn)：FD SOI是20奈米節(jié)點(diǎn)最佳方案

3D IC 封測(cè)臺(tái)廠(chǎng)續(xù)布局

專(zhuān)家：FinFET并非半導(dǎo)體演進(jìn)最佳選項(xiàng)

Sony擴(kuò)產(chǎn)CMOS影像傳感元件買(mǎi)瑞薩鶴岡工廠(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)大

采用CMOS數(shù)字集成電路的搶答電路

LED芯片制作中襯底知識(shí)大全

高通創(chuàng)銳訊與RFaxis協(xié)作開(kāi)發(fā)3x3 11ac解決方案，采用CMOS RF前端大幅度降低物料成本

漢天下單芯片GSM CMOS射頻功放/前端芯片出貨超1億顆

京元電去年獲利增逾16％，擬配息1.3元

京元電2月?tīng)I(yíng)收月減3.9％，3月?tīng)I(yíng)運(yùn)彈升

高通推3G/4G LTE集成CMOS放大器芯片

單片機(jī)入門(mén)學(xué)習(xí)（二）

DARPA資助IBM開(kāi)發(fā)具自毀功能的芯片

TTL電平與CMOS電平的區(qū)別

分辨率再提升：未來(lái)之路小米華為怎么走？

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