
晶圓代工龍頭臺積電昨(20)日宣布與交大、加州柏克萊大學(xué)共同成立「國際頂尖異質(zhì)整合綠色電子研究中心」,將研發(fā)以三五族(如砷化鎵)為介質(zhì),與邏輯晶圓的矽進行整合,讓行動裝置更節(jié)能、更省電。 隨著晶圓線寬
兩相步進電動機驅(qū)動系統(tǒng)電路
單片機開發(fā)板是什么呢?簡單來說,它是指集成了許多單片的外圍器件,如LED 燈,數(shù)碼管,按鍵,行列式按鍵,步進電機,伺服電機,液晶顯示等等用來學(xué)習(xí),實驗,開發(fā)等使用的板子,是一種實驗設(shè)備(單片機編程)。單片機開發(fā)板是在
什么是ttl電平TTL電平信號被利用的最多是因為通常數(shù)據(jù)表示采用二進制規(guī)定,+5V等價于邏輯"1",0V等價于邏輯"0",這被稱做TTL(晶體管-晶體管邏輯電平)信號系統(tǒng),這是計算機處理器控制的設(shè)備內(nèi)部各部分之間通信的標(biāo)準(zhǔn)技
工藝流程和設(shè)備的詳細展示用于表征我們數(shù)字隔離器的長期可靠性,以及他們?nèi)绾卧陉P(guān)鍵的安全能力方面超越光電耦合器。對于初次使用,設(shè)計人員可以在現(xiàn)有電路中使用引腳兼容的基于CMOS的隔離器替換光電耦合器,該基于CM
Aptina宣布與LFoundry建立牢固的戰(zhàn)略合作關(guān)系,LFoundry在收購Micron的半導(dǎo)體制造工廠后將繼續(xù)在意大利阿韋扎諾生產(chǎn)CMOS圖像傳感器。LFoundry帶來了豐富的特種設(shè)備代工經(jīng)驗與客戶至上的堅定理念,以此來鞏固阿韋扎諾
CMOS電平和TTL電平:CMOS邏輯電平范圍比較大,范圍在3~15V,比如4000系列(4011與非門),當(dāng)5V供電時,輸出高電平在4.6以上,低電平在0.05V以下;輸入在3.5V以上為高電平,1.5V以下為低電平。而對于TTL芯片,供電范圍在
CMOS-IC電路金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡稱MOS晶體管,有P型MOS管和N型MOS管之分。由 MOS管構(gòu)成的集成電路稱為MOS集成電路,而由PMOS管和NMOS管共同構(gòu)成的互補型MOS集成電路即為 CM
摘要:文中介紹了一種應(yīng)用于低D類音頻功放的CMOS振蕩器結(jié)構(gòu)設(shè)計,用于對音頻信號的調(diào)制。振蕩器采用內(nèi)部正反饋的遲滯比較器設(shè)計,大大降低了電源電壓和環(huán)境溫度時CMOS振蕩器振蕩頻率的影響。理論分析及仿真結(jié)果表明,
簡單的三相無刷步進電動機驅(qū)動電路
要點1.高端儀表促進了更快的ADC速度和更多的通道數(shù)與密度,設(shè)計者必須評估轉(zhuǎn)換器的輸出格式,以及基本的轉(zhuǎn)換性能。2.主要的輸出選項是CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)、LVDS(低
1.RS232電平或者說串口電平,有的甚至說計算機電平,所有的這些說法,指得都是計算機9針串口 (RS232)的電平,采用負邏輯,-15v ~ -3v 代表1+3v ~ +15v 代表02.RS485電平 和 RS422電平由于兩者均采用差分傳輸(平衡傳輸
1.CMOS電平:'1'邏輯電平電壓接近于電源電壓,'0'邏輯電平接近于0V。噪聲容限很大2.TTL電平:輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高
試說明TLC5615的特點。答:10位CMOS電壓輸出;5 V單電源工作;與微處理器3線串行接口(SPI);最大輸出電壓是基準(zhǔn)電壓的2倍;輸出電壓具有和基準(zhǔn)電壓相同的極性;建立時間12.5μs;內(nèi)部上電復(fù)位;低功耗,最高為l.75 mW;引腳
摘要:采用標(biāo)準(zhǔn)0.18μm CMOS工藝設(shè)計制造了一種帶EBG(電磁帶隙)結(jié)構(gòu)的小型化片上天線。該片上天線由一根長1.6 nm的偶極子天線以及一對一維的尺寸為240μm×340μm EBG結(jié)構(gòu)構(gòu)成。分別對該EBG結(jié)構(gòu)以及片上
1,TTL電平:輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下,一般輸出高電平是3.5V,輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平:輸入高電平>=2.0V,輸入低電平<=0.8V,噪聲容限是0.4V。2,CMOS電平:1邏輯電平電壓接近
21ic訊 富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,高速數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器的市場領(lǐng)軍供應(yīng)商富士通半導(dǎo)體歐洲(FSEU)在高速ADC上取得最新突破,這將使得在世界范圍內(nèi)大規(guī)模部署單波長100Gbps的光傳輸系統(tǒng)成為可能。結(jié)合富士通在混合
21ic訊 意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)與CMP(Circuits Multi Projets®)攜手宣布即日起通過CMP向大學(xué)、研究實驗室和設(shè)計企業(yè)提供意法半導(dǎo)體的H9A CMOS制程(130納米光刻技術(shù)節(jié)點),該樣片試制服務(wù)可提供大量模
21ic訊 東芝公司(Toshiba Corporation)已經(jīng)憑借300mA單輸出"TCR3DF系列"擴充了其專為移動設(shè)備打造的CMOS-LDO穩(wěn)壓器集成電路的陣容。"TCR3DF系列"具有低壓差、低輸出噪音和高速負載瞬態(tài)響應(yīng)等特性。該系列的樣品將于
盡管各廠現(xiàn)有的全片幅旗艦機在低光的表現(xiàn)都有著相當(dāng)恐怖的表現(xiàn),但在錄像時由于受制于快門速度的限制,所以現(xiàn)有感光組件的低光能力,還是很難表現(xiàn)出幾近黑暗下的拍攝場合 -- 事實上,若是想要在低光下拍攝凝結(jié)的照片