DDR3

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DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

嵌入式軟件
2011-03-31

DDR 測(cè)試技術(shù) 時(shí)序 DDR3
已觸底爾必達(dá)下月提高DRAM芯片價(jià)格

臺(tái)灣媒體報(bào)道，爾必達(dá)總裁兼CEO阪本幸雄日前表示，鑒于內(nèi)存市場(chǎng)供需將趨于平衡，他們計(jì)劃在3月初提升DRAM芯片價(jià)格。阪本幸雄還舉例稱，2Gb DDR3芯片將從現(xiàn)在的2.10美元增長(zhǎng)到2.30-2.50美元。他反復(fù)強(qiáng)調(diào)了自己

顯示光電
2011-03-27

爾必達(dá) 內(nèi)存市場(chǎng) DRAM芯片 DDR3
平板電腦與智能手機(jī)狂熱或拯救DRAM市場(chǎng)

有人說(shuō)過(guò)，2009年的DRAM市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)慘烈，廠商們的收入都大幅度縮減，曾經(jīng)看好2010年市場(chǎng)。然而2010年的競(jìng)爭(zhēng)則有過(guò)之而無(wú)不及，持續(xù)5個(gè)月的價(jià)格下跌簡(jiǎn)直打亂了廠商們的陣腳，個(gè)別廠商甚至轉(zhuǎn)產(chǎn)去做SSD。據(jù)存儲(chǔ)器市場(chǎng)研究

智能硬件
2011-03-13

DRAM 智能手機(jī) 平板電腦 DDR3
DRAM內(nèi)存期貨價(jià)或從二月份開(kāi)始回漲

新浪科技訊北京時(shí)間2月16日晚間消息，臺(tái)灣南亞科技今天表示，今年二季度的DRAM內(nèi)存芯片期貨價(jià)增長(zhǎng)幅度至少達(dá)到5%，并以此開(kāi)啟增長(zhǎng)勢(shì)頭。此前他們預(yù)計(jì)DRAM芯片價(jià)格最早在一季度開(kāi)始恢復(fù)增長(zhǎng)。市場(chǎng)調(diào)研公司集邦

消費(fèi)電子
2011-02-17

DRAM 內(nèi)存 GB DDR3
三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營(yíng)收?qǐng)?bào)告，去年四季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收86.4億美元，相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%，但產(chǎn)能增長(zhǎng)16%。集邦科技指出，廠商們?cè)谏a(chǎn)工藝

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2011-02-11

DRAM 三星內(nèi)存 DDR3
三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

存儲(chǔ)芯片調(diào)研公司集邦科技日前發(fā)布了2010年四季度的全球DRAM營(yíng)收?qǐng)?bào)告，去年四季度DRAM市場(chǎng)營(yíng)收86.4億美元，相比三季度的107.8億美元下降20%。芯片期貨價(jià)環(huán)比下降40%，但產(chǎn)能增長(zhǎng)16%。集邦科技指出，廠商們?cè)谏a(chǎn)工藝

智能硬件
2011-02-11

DRAM 三星內(nèi)存 DDR3
優(yōu)力勤RDIMM通過(guò)英特爾Westmere平臺(tái)認(rèn)證

企業(yè)級(jí)內(nèi)存模組及固態(tài)硬盤(SSD)設(shè)計(jì)制造商優(yōu)力勤(Unigen)與IC設(shè)計(jì)公司瀾起科技(Montage Technology)合作推出的DDR3-1333 8GB RDIMM產(chǎn)品，成功地通過(guò)了英特爾(Intel)Westmere 2 DPC(2 DIMM per Channel)企業(yè)平臺(tái)的正式

消費(fèi)電子
2011-01-24

英特爾 STM GB DDR3
DRAM跌破臺(tái)商成本爾必達(dá)二度聯(lián)臺(tái)抗韓

爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)進(jìn)DDR32Gb制造并

消費(fèi)電子
2011-01-14

DRAM 爾必達(dá) GB DDR3
DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

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2011-01-12

DRAM 爾必達(dá) GB DDR3
DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

根據(jù)外電報(bào)導(dǎo)，爾必達(dá)（Elpida）社長(zhǎng)坂本幸雄已于本月6日、7日在臺(tái)洽談以瑞晶為控股公司，與力晶、茂德統(tǒng)合經(jīng)營(yíng)。不過(guò)力晶否認(rèn)與爾必達(dá)有此接觸，稱僅透過(guò)三方協(xié)商方式，恢復(fù)瑞晶對(duì)力晶的供貨，當(dāng)前首要目標(biāo)是全力轉(zhuǎn)

智能硬件
2011-01-12

DRAM 爾必達(dá) GB DDR3
力晶閃電與瑞晶復(fù)合　供貨以2Gb DDR3為主

臺(tái)系DRAM大廠力晶與瑞晶之間的停止供貨事件6日出現(xiàn)大轉(zhuǎn)變，力晶正式與瑞晶和爾必達(dá)(Elpida)協(xié)商成功，開(kāi)始恢復(fù)向瑞晶拿貨，且以目前力晶手上最缺的2Gb容量DDR3晶片為主，之前欠瑞晶的債款未來(lái)也會(huì)分期償還，借此行動(dòng)

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2011-01-07

DRAM 爾必達(dá) GB DDR3
2010年DRAM廠成績(jī)

2010年DRAM產(chǎn)業(yè)虎頭蛇尾，年初報(bào)價(jià)大漲至1顆DDR3報(bào)價(jià)達(dá)3美元，但年底卻跌到1美元；但以獲利來(lái)看，2010年只有力晶和瑞晶有賺錢，南亞科、華亞科和茂德都是持續(xù)賠錢，南亞科和華亞科是因?yàn)橹瞥剔D(zhuǎn)換之故，沒(méi)有掌握到年初

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2011-01-04

DRAM 爾必達(dá) PID DDR3
臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

臺(tái)北DDR3報(bào)價(jià)從2010年初1顆3美元跌到年底只剩下0.8美元，跌幅高達(dá)70％，力晶更在2010年底因欠款導(dǎo)致子公司瑞晶停止出貨，透露臺(tái)DRAM廠財(cái)務(wù)已處于極度吃緊狀態(tài)，記憶體業(yè)者表示，由于1月DRAM合約價(jià)和現(xiàn)貨價(jià)還有下跌空

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2011-01-04

DRAM 微米 PID DDR3
DRAM封測(cè)制程沿革

李洵穎 DRAM的世代交替帶動(dòng)了先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，以往DDR DRAM及利基型SDRAM產(chǎn)品，其封裝型態(tài)均為超薄小型晶粒承載封裝(TSOP)，自DDR2產(chǎn)品封裝型態(tài)已改變?yōu)殚l球陣列封裝(BGA)，延續(xù)至2010年主流自DDR2逐步由DDR3取代

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2011-01-04

DRAM 封裝技術(shù) SDRAM DDR3
DRAM沒(méi)賺頭拿封測(cè)廠開(kāi)刀

受到年底ODM/OEM廠去化手中過(guò)多DRAM庫(kù)存的賣壓影響，近日內(nèi)DRAM價(jià)格呈現(xiàn)崩跌走勢(shì)，1Gb DDR3白牌顆粒價(jià)格已跌至1美元以下，2Gb DDR3現(xiàn)貨價(jià)也跌破2美元，已是賣一顆賠半顆，要求后段封測(cè)廠降價(jià)態(tài)度轉(zhuǎn)趨強(qiáng)硬。封測(cè)

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2010-12-27

DRAM OEM GB DDR3
12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

據(jù)iSuppli公司，12月DRAM價(jià)格繼續(xù)下降，跌勢(shì)不止，經(jīng)過(guò)幾個(gè)月的大幅下滑，價(jià)格已降到年內(nèi)最低水平。12月10日，2GB DDR3 DRAM模組合同價(jià)格為21.00美元，比6月份的44.40美元下跌50%以上。不只DDR3價(jià)格下跌，DDR2同樣跌

消費(fèi)電子
2010-12-24

DRAM 內(nèi)存 GB DDR3
DRAM合約價(jià)再跌10%減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

2010年12月下旬DRAM的合約價(jià)格持續(xù)重挫，其中2GB容量DDR3模塊的價(jià)格下跌10%，平均售價(jià)跌破20美元，低價(jià)來(lái)到17美元價(jià)格，相較于2010年上半DRAM缺貨高峰期，2GB容量DDR3模塊價(jià)格較當(dāng)時(shí)的價(jià)格已下跌超過(guò)50%，市場(chǎng)預(yù)期供

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2010-12-22

DRAM 內(nèi)存 GB DDR3
超低型DDR3雙列直插式?存模組插槽

泰科電子（TE）按照J(rèn)EDEC工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)推出了新型超低型VLP （very low-profile）第三代雙倍數(shù)據(jù)速率（DDR3）雙列直插式?存模組（DIMM）插槽。該產(chǎn)品最高卡扣高度為16毫米，進(jìn)而減小了插槽的總高度，加上雙列直插式

消費(fèi)電子
2010-12-13

泰科電子 TE JEDEC DDR3
DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

嵌入式教程
2010-12-11

控制器數(shù)據(jù)處理 IP核 DDR3
1Gb DDR3摜破1.3美元　DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

11月下旬DRAM合約價(jià)跌幅超過(guò)10%，讓市場(chǎng)籠罩在烏云密布的氣氛當(dāng)中，29日DDR3 eTT(Effectively Tested)報(bào)價(jià)單日再跌7%，1Gb DDR3報(bào)價(jià)摜破1.3美元；DRAM業(yè)者則表示，1Gb DDR3 eTT價(jià)格單日大跌超過(guò)7%，其實(shí)只是以補(bǔ)跌來(lái)

智能硬件
2010-12-03

DRAM GB BSP DDR3

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DDR3

DDR測(cè)試技術(shù)和工具是否跟上了時(shí)代步伐？

已觸底爾必達(dá)下月提高DRAM芯片價(jià)格

平板電腦與智能手機(jī)狂熱或拯救DRAM市場(chǎng)

DRAM內(nèi)存期貨價(jià)或從二月份開(kāi)始回漲

三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

三星繼續(xù)統(tǒng)治DRAM市場(chǎng) 韓廠狂攬62%份額

優(yōu)力勤RDIMM通過(guò)英特爾Westmere平臺(tái)認(rèn)證

DRAM跌破臺(tái)商成本爾必達(dá)二度聯(lián)臺(tái)抗韓

DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

DRAM價(jià)格再次跌破臺(tái)灣制造商成本傳坂本幸雄二度來(lái)臺(tái)撮合聯(lián)臺(tái)抗韓

力晶閃電與瑞晶復(fù)合　供貨以2Gb DDR3為主

2010年DRAM廠成績(jī)

臺(tái)DRAM廠拼制程搶救獲利無(wú)效　轉(zhuǎn)進(jìn)40奈米嫌太晚　1Q恐續(xù)虧

DRAM封測(cè)制程沿革

DRAM沒(méi)賺頭拿封測(cè)廠開(kāi)刀

12月份DRAM價(jià)格繼續(xù)大幅下滑

DRAM合約價(jià)再跌10%減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

超低型DDR3雙列直插式?存模組插槽

DDR3存儲(chǔ)器接口控制器IP核在視頻數(shù)據(jù)處理中的應(yīng)用

1Gb DDR3摜破1.3美元　DRAM產(chǎn)業(yè)減產(chǎn)潮恐?jǐn)U大

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