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三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。 這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM
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三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。 這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內
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DRAM走出黑暗 年底陽光燦爛
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。 但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)
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DRAM走出黑暗 年底陽光燦爛
在DRAM市場的歷史上，2009年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。 但是，繼春季溫和復蘇之后，DRAM供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水
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營運好轉 力晶3月營收近3年新高
動態(tài)隨機存取內存(DRAM)廠力晶半導體自結 3月營收達新臺幣68.46億元，較2月增加24%，較去年同期大增5.72倍，并創(chuàng)下近3年來營收最高紀錄，同時是連續(xù)第5個月獲利。受惠標準型DRAM現貨價走揚，加上產能及良率有效拉升，
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華東斥資4億元接收瀚宇彩晶LCM廠 擴充DDR3產能
內存封測廠華東科技DDR3接單熱絡，既有廠房已達滿載，計劃斥資新臺幣4.15億元購買瀚宇彩晶LCM一廠，用以擴充DDR3產能，初步估計最快第4季應能進行量產。由于添購新廠，華東也計劃上修資本支出，由原訂的30億元提高到
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。 DDR2 還不算過時，而且未來一
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DDR3 將是2010 年的搖錢大樹
2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內存技術。 DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內
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壞消息：DDR2/DDR3芯片價格仍保持漲勢
1Gb DDR2/DDR3內存芯片的現貨價格最近雙雙上漲到了接近3美元的價位，顯示目前內存芯片市場仍處于供不應求的緊張局面。據消息來源表示，造成這種局面 的原因主要是內存芯片廠商目前都在實施轉產DDR3芯片的動作;另外一
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DDR3需求熱絡 華東訂單能見度到9月
華東科技總經理于鴻祺16日表示，DDR3客戶需求熱絡，目前訂單能見度看到9月，產能依舊滿載局面，封測利用率達到90%以上，產能已幾近不敷使用，該公司有意尋求新廠房，同時也不排除上修全年度資本支出。 提及DDR3市
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DDR3測試產能不足 DRAM封測廠加緊進設備
隨著各家DRAM廠加快腳步轉進DDR3，對后段廠而言，封裝產能利用率處于高檔，然測試、預燒等相關產能則呈不足現象，各家封測廠上演搶機臺戲碼，希望能夠盡量提前讓機臺進駐廠區(qū)，隨著工作天數恢復正常，存儲器封測廠3月
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臺灣DDR2內存現貨價節(jié)后上漲7%
據臺灣經濟日報報道，內存(DRAM)補貨潮號角響起，DDR2現貨價打破傳統(tǒng)淡季束縛率先表態(tài)，農歷年后上漲近7%，創(chuàng)近一個多月新高。相關大廠如力晶、茂德、威剛等可望受惠，但科技大廠可能得要擔心，資訊產品供應鏈下半年
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三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。 這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gb
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《半導體》力成Q1淡季不淡，訂單看到6月
力成（6239）今年首季呈現淡季不淡走勢，1月營收與去年12月相較僅微幅衰退約1億元，仍舊維持高檔水平，由于力成首季的營運可望創(chuàng)下歷史最高的第1季，加上整體內存產業(yè)景氣不差，外資呈現連續(xù)性買盤，農歷年過后持續(xù)買
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三星首家量產40nm級工藝4GbDDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4GbDDR3內存芯片。這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GBRDIMM服務器內存條或者8GBSO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps，功
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三星首家量產40nm級工藝4Gb DDR3綠色內存芯片
三星電子宣布，該公司已經在業(yè)內第一家使用40nm級別工藝批量生產低功耗的4Gb DDR3內存芯片。這種內存芯片支持1.5V和1.35V兩種工作電壓，可組裝成16/32GB RDIMM服務器內存條或者8GB SO-DIMM筆記本內存條，性能1.6Gbps
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DRAM走出黑暗 2010年內存廠商或興旺發(fā)達
在DRAM 市場的歷史上，2009 年初可能是最黑暗的時期之一，當時廠商能活下來就不錯了。但是，繼春季溫和復蘇之后， DRAM 供應商的黑暗日子結束，夏天迎來了光明。價格在春季的基礎上持續(xù)上漲，營業(yè)收入也水漲船高。三
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威剛陳立白：產能不足 內存看漲
今年各大DRAM廠相繼擴大資本支出，以進入DDR3領域，但是在各家廠商搶訂機臺之下，恐影響后續(xù)產出。威剛（3260）董事長陳立白指出，內存廠所需的浸潤式曝光機臺交期長達10個月以上，目前只能靠微縮制程增加產出，然在
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三星將大批量生產30納米DDR3 DRAM內存芯片
據國外媒體報道，全球最大的內存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內存芯片已經適合消費者使用，準備應用到產品中。三星稱，2GB DDR3內存芯片耗電量比用50納米生產技術制造的內存芯片的耗電量減少了30%，生產
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華東訂單涌入 首季旺
受惠于爾必達、華邦電（2344）、南亞科（2408）等大客戶DDR3及GDDR5訂單逐季增加，內存封測廠華東科技（8110）今年營運大躍進。法人預估年營收可望上看75億元以上，較去年大增3成至4成。 華東科技總經理于鴻祺表
