DDR5是繼DDR4的之后,新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上,擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%,數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
6月30日消息 在本周早些時候與投資者和金融分析師召開的收益電話會議上,美光對其長期未來及對其產(chǎn)品的強勁需求表示了信心,該公司還概述了擴(kuò)大產(chǎn)能的計劃,并迅速轉(zhuǎn)向更先進(jìn)的工藝技術(shù)。美光表示,“我們相信,
在2017年Zen架構(gòu)處理器問世之前,AMD的產(chǎn)品路線圖也經(jīng)歷過很多折騰,延期也是常態(tài),不過從銳龍Ryzen、EPYC霄龍上市開始,現(xiàn)在的Zen架構(gòu)產(chǎn)品線路線圖穩(wěn)定多了,今年7nm Zen 2架構(gòu)的銳
據(jù)悉,DDR5仍在Jedec標(biāo)準(zhǔn)組織的開發(fā)之中。據(jù)介紹,相比DDR4,DDR5將提供雙倍的帶寬和雙倍的密度,同時提供更高的效率。該標(biāo)準(zhǔn)預(yù)計將于去年完成,但現(xiàn)在仍在進(jìn)行中。DDR5產(chǎn)品預(yù)計將于今年年底開始出現(xiàn)。
電子測量企業(yè)Keysight Technologies近日推出了業(yè)界第一個完整的DDR5 DRAM測試與驗證系統(tǒng)“N6475A DDR5 Tx”,為新一代內(nèi)存的研發(fā)打開了方便之門。這套系統(tǒng)包括Keys
根據(jù)研究公司Trendforce的數(shù)據(jù),全球排名第二的內(nèi)存制造商SK海力士(SK Hynix)宣布將推出的DDR5內(nèi)存模塊。DDR5是下一代DDR內(nèi)存,預(yù)計將比其前身DDR4提供更高的帶寬,速度和更低的功耗。 IDC數(shù)據(jù)的預(yù)測DDR5內(nèi)存將于2020年成形,2021年占據(jù) 25%份額,現(xiàn)在剛?cè)隓DR4 內(nèi)存的小伙伴也可安心,DDR5全面普及之前DDR4還能再戰(zhàn)幾年。
DDR5是繼DDR4的之后,新一代DRAM標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,應(yīng)用在大數(shù)據(jù)、AI(人工智能)以及機(jī)器學(xué)習(xí)上,擁有超高速、低耗能、高用量的特性。比起DDR4的電力消耗減少30%,數(shù)據(jù)傳送速度也快了1.6倍。
明年的處理器及芯片組平臺會是什么樣?目前來看2019年最大的變化就是沒變化,芯片組方面是沒什么可升級的了,DDR5內(nèi)存及PCIe 4.0還有點遠(yuǎn),至少要到2020年才有可能支持。
盡管JEDEC(固態(tài)存儲協(xié)會)的DDR5標(biāo)準(zhǔn)尚未定案,Cadence(鏗騰)和美光已經(jīng)開始研發(fā)16Gb容量的DDR5產(chǎn)品,并計劃在2019年底量產(chǎn)。事實上,早在今年5月,Cadence就展示了首款DD
Cadence甚至表示,與DDR4相比,改進(jìn)的DDR5功能將使實際帶寬提高36%,即使在3200 MT / s(此聲明必須進(jìn)行測試)和4800 MT / s速度開始,與DDR4-3200相比,實際帶寬將高出87%。
內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計劃明年定稿。