Dec. 19, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢預估,2024年第一季Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC/UFS)均價季漲幅將擴大至18~23%。同時,不排除在寡占市場格局或是品牌客戶恐慌追價的情況下,進一步墊高漲幅。
Dec. 4, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,2023年第三季DRAM產(chǎn)業(yè)合計營收達134.80億美金,季成長率約18.0%。由于下半年需求緩步回溫,買方重啟備貨動能,使得各原廠營收皆有所成長。展望第四季,供給方面,原廠漲價態(tài)度明確,預估第四季DRAM合約價上漲約13~18%;需求方面的回溫程度則不如過往旺季。整體而言,買方雖有備貨需求,但以目前來說,服務器領域因庫存水位仍高,拉貨態(tài)度仍顯得被動,第四季DRAM產(chǎn)業(yè)的出貨成長幅度有限。
美光基于 1β 先進制程的 DRAM 速率高達 8,000 MT/s,為生成式 AI 等內(nèi)存密集型應用提供更出色的解決方案
海量數(shù)據(jù)的增長,來自各種創(chuàng)新應用的興起,都為世界帶來新的變化。從智能汽車、大語言模型、到AR/VR,數(shù)據(jù)從傳感器中被收集,然后經(jīng)過端側(cè)計算單元的處理,最終通過無線傳輸?shù)皆贫?,在世界各地的大型超算集群中進行深度價值挖掘。在整個數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)的過程中,離不開各種內(nèi)存和存儲系統(tǒng)的參與。數(shù)據(jù)的持續(xù)爆炸增長,導致數(shù)據(jù)存儲的需求也指數(shù)上升?!按媪Α北仨氁c“算力”同步升級,才能真正實現(xiàn)人類社會數(shù)字化可持續(xù)的未來。
Oct. 25, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預估將擴大至13~18%。NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%;由于Mobile DRAM一直以來獲利表現(xiàn)均較其他DRAM產(chǎn)品低,因此成為本次的領漲項目。
Oct. 13, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,自第四季起DRAM與NAND Flash均價開始全面上漲,以DRAM來看,預估第四季合約價季漲幅約3~8%,而此波漲勢能否延續(xù)需觀察供應商是否持續(xù)堅守減產(chǎn)策略,以及實際需求回溫的程度,其中最關(guān)鍵的是通用型服務器領域。
業(yè)內(nèi)消息,全球最大的存儲芯片和智能手機制造商三星電子本周表示,今年第三季度初步利潤下降了78%,降幅低于之前的預期,或?qū)⒈砻鬟^去遭受重創(chuàng)的存儲芯片市場顯示出從嚴重低迷中復蘇的早期跡象。
業(yè)內(nèi)最新消息,昨天韓國總統(tǒng)府辦公室正式宣布,允許三星電子和 SK 海力士無期限向其位于中國的工廠供應來自美國的芯片設備,無需美國單獨批準。
Sep. 11, 2023 ---- 近日,三星(Samsung)為應對需求持續(xù)減弱,宣布9月起擴大減產(chǎn)幅度至50%,減產(chǎn)仍集中在128層以下制程為主,據(jù)TrendForce集邦咨詢調(diào)查,其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產(chǎn)幅度,目的加速庫存去化速度,預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲,漲幅預估約0~5%。
(全球TMT2023年9月1日訊)2023年9月1日,三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術(shù),開發(fā)出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM(DDR5 DRAM:五代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器)。這是繼2023年5月三星開始量產(chǎn)12納米級16Gb DDR5 DRAM之后取得的...
在相同封裝尺寸下,容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍,功耗降低10%,且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組 此次新品為實現(xiàn)高達1TB容量的內(nèi)存模組奠定了基礎 隨著12納米級內(nèi)存產(chǎn)品陣容的擴展,三星將持續(xù)為AI,下一代計算等多行業(yè)的各種應用提供支持 深圳2023年...
Aug. 30, 2023 ---- TrendForce集邦咨詢表示,預期2024年存儲器原廠對于DRAM與NAND Flash的減產(chǎn)策略仍將延續(xù),尤其以虧損嚴重的NAND Flash更為明確。預估在2024上半年消費性電子市場需求能見度仍不明朗,通用型服務器的資本支出仍受到AI服務器排擠而顯得相對需求疲弱,有鑒于2023年基期已低,加上部分存儲器產(chǎn)品價格已來到相對低點,預估DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。不過,盡管需求位元有回升,明年若要有效去化庫存,并回到供需平衡狀態(tài),重點還是仰賴供應商對于產(chǎn)能有所節(jié)制,若供應商產(chǎn)能控制得宜,存儲器均價則有機會反彈。
Aug. 24, 2023 ---- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,受惠于AI服務器需求攀升,帶動HBM出貨成長,加上客戶端DDR5的備貨潮,使得三大原廠出貨量均有成長,第二季DRAM產(chǎn)業(yè)營收約114.3億美元,環(huán)比增長20.4%,終結(jié)連續(xù)三個季度的跌勢。其中,SK海力士(SK hynix)出貨量環(huán)比增長超過35%,且平均銷售單價(ASP)較高的DDR5、HBM出貨占比顯著增長,帶動SK海力士ASP逆勢成長7~9%,推升SK海力士第二季營收環(huán)比增長近5成,成長幅度居冠,達34.4億美元,回歸第二名。
DRAM(動態(tài)隨機存儲器)市場是一個具有規(guī)模經(jīng)濟效應的行業(yè),其在數(shù)據(jù)中心、智能手機、物聯(lián)網(wǎng)、車聯(lián)網(wǎng)等各行業(yè)的發(fā)展也受到關(guān)注。
三星在去年12月發(fā)布了全球首款傳輸速率高達7.2Gbps的12nm級DDR5 DRAM內(nèi)存芯片,今天,三星正式宣布已大規(guī)模量產(chǎn)12nmDDR5DRAM芯片。
即動態(tài)隨機存取存儲器,它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存,也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM。
DRAM(Dynamic Random Access Memory,動態(tài)隨機存取存儲器)是一種具有高帶寬、低延遲和低功耗的半導體存儲設備。它利用靜電場來存儲數(shù)據(jù)。
SDRAM 英文全稱“Synchronous Dynamic Random Access Memory”,譯為“同步動態(tài)隨機存取內(nèi)存”或“同步動態(tài)隨機存儲器”,是動態(tài)隨機存儲器(Dynamic Random Access Memory,簡稱 DRAM)家族的一份子。
SRAM : 靜態(tài)RAM,不用刷新,速度可以非???,像CPU內(nèi)部的cache,都是靜態(tài)RAM,缺點是一個內(nèi)存單元需要的晶體管數(shù)量多,因而價格昂貴,容量不大。
Jul. 4, 2023 ---- 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究指出,受惠于DRAM供應商陸續(xù)啟動減產(chǎn),整體DRAM供給位元逐季減少,加上季節(jié)性需求支撐,減輕供應商庫存壓力,預期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。不過,目前供應商全年庫存應仍處高水位,今年DRAM均價欲落底翻揚的壓力仍大,盡管供給端的減產(chǎn)有助季跌幅的收斂,然實際止跌反彈的時間恐需等到2024年。