DRAM

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力成Q4毛利率持平 EPS 1.69元去年EPS 8.01元

DRAM封測(cè)廠力成(6239-TW)今(9)日舉行法說(shuō)會(huì)并公布去年財(cái)報(bào)，第 4 季單季毛利率走穩(wěn)在22.3%水準(zhǔn)，每股稅后盈余為1.69元，全年毛利率為23.4%，較2010年27.1%下滑3.7個(gè)百分點(diǎn)，每股稅后盈余為8.01元。力成第 4 季合

模擬
2012-02-10

DRAM EPS Flash
臺(tái)灣內(nèi)存模塊廠因新年業(yè)績(jī)下降

臺(tái)灣各大DRAM模組和NAND設(shè)備制造商的收入，在2012年1月錄得雙位數(shù)字的連續(xù)下跌，主因是由于農(nóng)歷新年假期造成工作天數(shù)下降。威剛科技已公布1月份業(yè)績(jī)?yōu)樾屡_(tái)幣21.1億元（7140萬(wàn)美元），同比下降23.8％。該公司預(yù)計(jì)其出

消費(fèi)電子
2012-02-08

內(nèi)存模塊 SSD NAND閃存 DRAM
Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

外電報(bào)導(dǎo)，全球第二大內(nèi)存制造商Hynix Semiconductor Inc. 日前公布2011年第4季(10-12月)合并財(cái)報(bào)：受內(nèi)存價(jià)格下滑、PC需求趨緩的影響，凈損達(dá)2,399億韓元(2.131億美元)，遜于去年同期的純益300億韓元，已連續(xù)第2

消費(fèi)電子
2012-02-07

內(nèi)存 NI NAND DRAM
內(nèi)存價(jià)格在一月下旬停止下跌

內(nèi)存行業(yè)調(diào)研機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新報(bào)告顯示，DDR3內(nèi)存條的合約報(bào)價(jià)在連續(xù)下跌的狀態(tài)下，終于在今年一月下旬穩(wěn)定下來(lái)，第一次不再下滑。據(jù)專業(yè)人士分析，單條4GB的需求量已經(jīng)超過(guò)了2GB。2GB DDR3內(nèi)存條在一月下半月

消費(fèi)電子
2012-02-03

內(nèi)存內(nèi)存條 GB DRAM
1月下旬合約價(jià)4GB率先起漲 DRAM廠虧損可望收斂

根據(jù)集邦科技（TrendForce）旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，雖然1月下旬DRAM合約價(jià)在2GB仍以持平價(jià)位開出，均價(jià)維持在9.25美元，但4GB最高成交價(jià)已超越上旬的17美元，成交價(jià)在17.25美元區(qū)間，由于內(nèi)存模塊需

消費(fèi)電子
2012-02-02

4G GB BSP DRAM
爾必達(dá)上季本業(yè)恐虧400億日?qǐng)A 全年恐大虧千億

爾必達(dá)(Elpida)2011年度前三季(2011年4-12月)的本業(yè)虧損額(營(yíng)損額)預(yù)估將達(dá)900億日?qǐng)A，全年度(2011年4月-2012年3月)營(yíng)損額則預(yù)估將達(dá)1,000億日?qǐng)A左右的規(guī)模。報(bào)導(dǎo)指出，因PC銷售不振導(dǎo)致DRAM需求下滑，拖累爾必達(dá)

消費(fèi)電子
2012-02-02

爾必達(dá) PID MICRON DRAM
增進(jìn)產(chǎn)能利用率　海力士接下大量晶圓代工訂單

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)為提升近期產(chǎn)能利用率較低的晶圓工廠的產(chǎn)能，近期已開始大量接受其他韓國(guó)業(yè)者的晶圓代工訂單，目前海力士的代工業(yè)者已達(dá)7~8家。根據(jù)韓國(guó)IT業(yè)者表示，海力士位在忠清北道清州的M8工

消費(fèi)電子
2012-02-02

晶圓代工 Silicon 海力士 DRAM
美光傳砸150億入股爾必達(dá)

美光(Micron)傳將斥資至少5億美元(約新臺(tái)幣150億元)入股爾必達(dá)(Elpida)，最快2月定案，成為此波DRAM市況不振下，首樁業(yè)界整合案例。美光、爾必達(dá)分別是南科、華亞科，以及力晶、瑞晶合作伙伴，兩強(qiáng)整并有助臺(tái)廠迎

消費(fèi)電子
2012-02-02

美光爾必達(dá) 海力士 DRAM
2012-2015年全球Pseudo SRAM市場(chǎng)預(yù)測(cè)

根據(jù)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院，從Pseudo SRAM產(chǎn)品容量來(lái)看，2011年以64Mb的出貨量最大，約有2.3億顆，而32Mb與128Mb的市場(chǎng)量都約有8千萬(wàn)顆。預(yù)估2010年~2015年的主流容量仍為64Mb與128Mb?！?2010~2015全球Pseudo SRAM市場(chǎng)

消費(fèi)電子
2012-02-02

SRAM PSE DRAM
智慧機(jī)與平板出貨量增加利基型DRAM需求依然強(qiáng)勁

利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線的主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。Mobile DRAM最主要應(yīng)用為智慧型手機(jī)，功能手機(jī)與正進(jìn)入高速成長(zhǎng)期的平板裝置亦為Mobile DRAM重要

消費(fèi)電子
2012-02-01

平板 MOBILE GRAPHICS DRAM
報(bào)告稱今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收增幅將僅為3.3%

北京時(shí)間2月1日早間消息，根據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司IHS iSuppli發(fā)布的最新報(bào)告，今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到3128億美元，同比增長(zhǎng)3.3%。IHS iSuppli稱，今年半導(dǎo)體營(yíng)收預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)至3128億美元。相比去年的1.3%增幅，今年的

消費(fèi)電子
2012-02-01

半導(dǎo)體存儲(chǔ)芯片 ISUPPLI DRAM
增進(jìn)產(chǎn)能利用率　海力士接下大量晶圓代工訂單

韓國(guó)半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)為提升近期產(chǎn)能利用率較低的晶圓工廠的產(chǎn)能，近期已開始大量接受其他韓國(guó)業(yè)者的晶圓代工訂單，目前海力士的代工業(yè)者已達(dá)7~8家。根據(jù)韓國(guó)IT業(yè)者表示，海力士位在忠清北道清州的M8工廠，以

電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化
2012-02-01

晶圓代工 Silicon 海力士 DRAM
基于VHDL的DRAM控制器設(shè)計(jì)

基于VHDL的DRAM控制器設(shè)計(jì)

嵌入式教程
2012-02-01

狀態(tài)機(jī) VHDL 控制器設(shè)計(jì) DRAM
今年DRAM價(jià)格在二月后起漲可能性高

根據(jù)集邦科技（Trendforce）旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，1月上旬DRAM合約價(jià)仍以持平價(jià)位開出，DDR3 4GB均價(jià)固守16.5美元，DDR3 2GB均價(jià)則維持在9.25美元，但整體成交量已從低價(jià)區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價(jià)格移動(dòng)，除了減產(chǎn)

消費(fèi)電子
2012-01-30

內(nèi)存 GB DDR3 DRAM
傳爾必達(dá)將與美光科技展開資本合作

據(jù)日本《讀賣新聞》報(bào)道，日本芯片制造商爾必達(dá)將與美國(guó)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手美光科技展開資本合作，共同應(yīng)對(duì)市場(chǎng)惡化和韓國(guó)企業(yè)的激烈競(jìng)爭(zhēng)。爾必達(dá)是日本碩果僅存的DRAM廠商，但隨著消費(fèi)者正在轉(zhuǎn)向使用閃存的平板電腦，導(dǎo)

消費(fèi)電子
2012-01-30

三星爾必達(dá) 美光科技 DRAM
今年臺(tái)灣封測(cè)產(chǎn)值　年增逾6%

工研院IEK預(yù)估，今年臺(tái)灣IC封裝業(yè)產(chǎn)值為新臺(tái)幣2622億元，年增6.2%；IC測(cè)試產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值為1180億元，年增6.6%。工研院IEK表示，去年全球消費(fèi)需求疲軟，半導(dǎo)體庫(kù)存調(diào)整時(shí)間拉長(zhǎng)，上游客戶持續(xù)下修訂單，加上動(dòng)態(tài)隨機(jī)存

模擬
2012-01-29

半導(dǎo)體 IC測(cè)試 IC封裝 DRAM
封測(cè)業(yè)大者恒大趨勢(shì)確立并購(gòu)熱潮啟動(dòng)

IC封測(cè)產(chǎn)業(yè)近年并購(gòu)動(dòng)作一波接一波，隨著電子裝置價(jià)格持續(xù)走跌，封測(cè)材料成本壓力增加，競(jìng)爭(zhēng)情況也加劇，可以預(yù)期去年一連串并購(gòu)事件將只是個(gè)開始，接下來(lái)封測(cè)業(yè)并購(gòu)案將持續(xù)發(fā)生下去，產(chǎn)業(yè)大者恒大的趨勢(shì)確定成形。

模擬
2012-01-29

半導(dǎo)體終端恒大 DRAM
面板廠驚傳要求貨款延期奇美電、友達(dá)尾盤接近跌停

面板景氣不佳，今市場(chǎng)傳出面板雙虎向上游供應(yīng)商要求能夠延期1個(gè)月支付貨款，應(yīng)付帳款由原先平均的120天，延長(zhǎng)至150天，面板雙虎要供應(yīng)商一起共體時(shí)艱，突顯面板廠資金運(yùn)用壓力，友達(dá)(2409-TW)、奇美電(3481-TW)盤中

顯示光電
2012-01-21

面板廠 IDC DRAM EPS
1月上旬DRAM合約價(jià)持平但成交價(jià)有往上趨勢(shì)

根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，1月上旬DRAM合約價(jià)仍以持平價(jià)位開出，DDR3 4GB均價(jià)固守16.5美元，DDR3 2GB均價(jià)則維持在9.25美元，但整體成交量已從低價(jià)區(qū)漸漸轉(zhuǎn)向平均價(jià)格移動(dòng)，除了減產(chǎn)效

消費(fèi)電子
2012-01-17

內(nèi)存 GB DDR3 DRAM
后DRAM時(shí)代核心技術(shù)/應(yīng)用是生存關(guān)鍵

標(biāo)準(zhǔn)型DRAM產(chǎn)業(yè)經(jīng)營(yíng)環(huán)境陷入困境，就連龍頭大廠三星電子擁有市占率與技術(shù)的優(yōu)勢(shì)下，也直喊很辛苦。研究機(jī)構(gòu)集邦科技認(rèn)為，今年DRAM市場(chǎng)的發(fā)展將出現(xiàn)重大變革，除核心技術(shù)仍將攸關(guān)獲利表現(xiàn)之外，產(chǎn)品應(yīng)用是否能搭上產(chǎn)

消費(fèi)電子
2012-01-17

核心技術(shù) ULTRA DDR3 DRAM

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DRAM

力成Q4毛利率持平 EPS 1.69元去年EPS 8.01元

臺(tái)灣內(nèi)存模塊廠因新年業(yè)績(jī)下降

Hynix今年資本支出將上升20% 半數(shù)投入NAND

內(nèi)存價(jià)格在一月下旬停止下跌

1月下旬合約價(jià)4GB率先起漲 DRAM廠虧損可望收斂

爾必達(dá)上季本業(yè)恐虧400億日?qǐng)A 全年恐大虧千億

增進(jìn)產(chǎn)能利用率　海力士接下大量晶圓代工訂單

美光傳砸150億入股爾必達(dá)

2012-2015年全球Pseudo SRAM市場(chǎng)預(yù)測(cè)

智慧機(jī)與平板出貨量增加利基型DRAM需求依然強(qiáng)勁

報(bào)告稱今年全球半導(dǎo)體營(yíng)收增幅將僅為3.3%

增進(jìn)產(chǎn)能利用率　海力士接下大量晶圓代工訂單

基于VHDL的DRAM控制器設(shè)計(jì)

今年DRAM價(jià)格在二月后起漲可能性高

傳爾必達(dá)將與美光科技展開資本合作

今年臺(tái)灣封測(cè)產(chǎn)值　年增逾6%

封測(cè)業(yè)大者恒大趨勢(shì)確立并購(gòu)熱潮啟動(dòng)

面板廠驚傳要求貨款延期奇美電、友達(dá)尾盤接近跌停

1月上旬DRAM合約價(jià)持平但成交價(jià)有往上趨勢(shì)

后DRAM時(shí)代核心技術(shù)/應(yīng)用是生存關(guān)鍵

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