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GAA晶體管的物理極限，納米片結構FinFET的量子隧穿抑制策略
在半導體技術持續(xù)向納米尺度推進的過程中，晶體管結構的創(chuàng)新成為突破物理極限的關鍵。從FinFET到GAA(全環(huán)繞柵極)晶體管的技術迭代，本質上是對量子隧穿效應、短溝道效應等微觀物理現象的主動應對。GAA晶體管通過納米片或納米線結構實現柵極對溝道的四面包裹，而FinFET則依賴三維鰭片結構抑制漏電流。兩者在技術路徑上的差異，折射出半導體行業(yè)在追求更高集成度與更低功耗過程中面臨的深層挑戰(zhàn)。
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英特爾：重構FinFET
英特爾院士魯斯·布萊恩（Ruth Brain）稱SuperFin將重構FinFET工藝，并表示10納米SuperFin將是英特爾有史以來最大的單節(jié)點內性能提升。
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FinFETs + FD-SOI 方案：可以更節(jié)省電力
俄勒岡州波特蘭市——按照我們許多人認為的典型的非黑即白/非此即彼的方式，大多數半導體制造商做出的選擇是 FinFET(鰭式場效應晶體管)或 FD-SOI(完全耗盡的絕緣體上硅)。然而，由于臺積電 (TSMC)、GlobalFoundries Inc. (加利福尼亞州圣克拉拉市) 和三星 (韓國首爾) 等代工廠必須為其客戶提供這兩種能力，因此越來越多的半導體制造商正在考慮提供兩全其美。
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臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)：終于告別FinFET
臺媒稱，三星已決定在3nm率先導入GAA技術，并宣稱要到2030年超過臺積電，取得全球邏輯芯片代工龍頭地位，臺積電研發(fā)大軍一刻也不敢松懈，積極投入2nm研發(fā)，并獲得技術重大突破，成功找到切入GAA路徑。
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英特爾第三次專利無效申請失敗！中科院微電子所再度獲勝
近日，國家知識產權局發(fā)出第51731號復審決定，裁定由英特爾(中國)有限公司于2020年12月4日提出的，針對中國科學院微電子研究所的發(fā)明名稱為“半導體器件及其制作方法、及半導體鰭制作方法”(FinFET專利)的ZL201110240931.5號發(fā)明專利，維持專利權有效。這也意味著，在中科院微電子與英特爾的交鋒中，中科院微電子所再度獲勝。
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Nerissa Draeger博士：全包圍柵極結構將取代FinFET
FinFET在22nm節(jié)點的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內的微型開關——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成的通道更容易控制。但是，隨著3nm和5nm技術節(jié)點面臨的難題不斷累積，FinFET的效用已經趨于極限。
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車用SoC如何克服多重圖形與FinFET挑戰(zhàn)
在今年度的國際固態(tài)電路會議（ISSCC 2016）上，有兩款車用系統(tǒng)單芯片（SoC）成為數位處理器議程中最有趣、最大膽創(chuàng)新的芯片技術展示；它們比分別由聯(lián)發(fā)科（MediaTek）與AMD所發(fā)表
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物聯(lián)網應用帶動FD-SOI制程快速增長
物聯(lián)網（IoT）應用將帶動全耗盡型（Fully Detleted）制程技術加速成長。為滿足低功耗、低成本、高效能之設計需求，格羅方德（GlobalFoundries）除持續(xù)發(fā)展14納米及7納
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三星將加速推動5G商用化
5G時代即將拉開序幕。近日，雄安新區(qū)規(guī)劃綱要落地，與雄安新區(qū)創(chuàng)新驅動戰(zhàn)略息息相關的網絡通信基礎設施實施千兆光纖一步到位，率先規(guī)模商用實驗5G 。目前，中國移動已經完成在雄安新區(qū)首個5G-V2X自
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中芯國際披露第二代14nm：性能提升20％、功耗降低60％
2019年，中芯國際量產了國內最先進的14nm工藝制程，并已為華為麒麟710A處理器等進行代工。目前，中芯國際正在回歸A股上市，計劃募資200億元，主要就是投入14nm等先進工藝的開發(fā)。 6月7日晚間
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摩爾定律延壽數十年 FinFET晶體管發(fā)明人胡正明獲IEEE榮譽獎章
日前IEEE電子電器工程師協(xié)會宣布，FinFET晶體管發(fā)明人胡正明（Chenming Hu）獲得了2020年的IEEE 榮譽獎章，這是IEEE協(xié)會的最高獎勵，這一技術使得摩爾定律延壽了數十年。 自從1
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芯片制程之戰(zhàn) | 最燒錢的技術戰(zhàn)
2 020年伊始，全球半導體先進制程之戰(zhàn)已然火花四射。從華為和蘋果打響7nm旗艦手機芯片第一槍開始，7nm芯片產品已是百花齊放之勢，5nm芯片也將在下半年正式首秀。這些逐漸縮小的芯片 制程數字，正是全球電子產品整體性能不斷進化的核心驅動力。 通往更先進制程
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臺積電首次公布3nm工藝詳情：FinFET技術 2021年試產
盡管2020年全球半導體行業(yè)會因為疫情導致下滑，但臺積電的業(yè)績不降反升，掌握著7nm、5nm先進工藝的他們更受客戶青睞。今天的財報會上，臺積電也首次正式宣布3nm工藝詳情，預定在2022年下半年量產。
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重磅！中芯國際擬科創(chuàng)板上市
最新消息顯示，國內晶圓代工龍頭中芯國際公告稱，將謀求科創(chuàng)板上市。 5月5日，中芯國際宣布公司于2020年4月30日，董事會通過決議案批準建議進行人民幣股份發(fā)行、授出特別授權及相關事宜，但需取決并受限于市況、股東于股東特別大會批準以及必要的監(jiān)管批準。
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將入礦機行業(yè)？傳中芯國際將與“礦機大佬”合作
根據財聯(lián)社消息稱，中芯國際與嘉楠科技合作的14nm礦機芯片已完成測試，將于今年第二季度量產出貨。 知情人士表示，雙方合作始于2019年年底，但能否量產要看行情。據了解，中芯國際曾多次嘗試進入礦機行業(yè)，但均未有實質進展。 今年1月，中芯國際官方表示中芯
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中芯國際7nm工藝Q4季度問世：性能提升20% 功耗降低57%
臺積電、三星今年就要量產5nm工藝了，國內的先進工藝還在追趕，最大的晶圓代工廠中芯國際去年底量產了14nm工藝，帶來了1%的營收，收入769萬美元，不過該工藝技術已經可以滿足國內95%的需求了。 14
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Achronix推出突破性的FPGA系列產品，以面向高帶寬數據加速應用的靈活性而將性能提升到全新高度
Achronix半導體公司宣布：推出創(chuàng)新性的、全新的FPGA系列產品，以滿足人工智能/機器學習（AI/ML）和高帶寬數據加速應用日益增長的需求。
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國產半導體崛起！這家公司年底量產28nm HKC+，明年量產14nm FinFET
華力微電子今年年底將量產28nm HKC+工藝，明年年底則將量產14nm FinFET工藝。
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英特爾已準備好大批量生產eMRAM，基于FinFET工藝
不管是DRAM內存還是NAND閃存，最近都在跌價，今年初，集邦科技旗下的DRAMeXchange發(fā)布了2019年Q1季度DRAM內存價格趨勢報告。根據他們的報告Q1季度內存市場均價跌幅將達20%，Q2
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進度加快，中芯國際14nm量產時間將遠早于預期！
有臺灣媒體報道稱，中芯國際(SMIC)將于今年上半年開始應用其自主開發(fā)的14納米FinFET制造技術進行大規(guī)模生產。值得注意的是，這比最初預期至少提前了幾個季度，表明中芯國際的生產顯然比計劃提前了。
