什么是GaN功率放大器?它有什么作用?2019年6月20日 —— 移動應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與國防應(yīng)用中核心技術(shù)與 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達克代碼:QRVO)今日宣布,發(fā)布兩款全新的氮化鎵(GaN)功率放大器(PA)系列產(chǎn)品--- QPA2212和QPA1022,它們適合國際Ka頻段的衛(wèi)星通信應(yīng)用與X頻段的相控陣雷達應(yīng)用。這些解決方案提供的功率、線性度和效率可達到行業(yè)最高水平,且體積更小,因此這兩款器件既能提高系統(tǒng)性能,又能降低成本。
相信很多人都聽說過半導(dǎo)體,那么你知道碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在功率應(yīng)用方面(特別是在電源市場中)比硅半導(dǎo)體具有優(yōu)勢。但是,使用這些寬帶半導(dǎo)體(寬禁帶)的設(shè)計人員面臨著現(xiàn)實生活中的挑戰(zhàn)。
什么是SiC?它的作用是什么?SiC材料在能源解決方案中的應(yīng)用正在汽車和工業(yè)市場中加速發(fā)展。制作碳化硅(SiC)晶圓比制作硅晶圓要復(fù)雜得多,并且隨著對SiC器件需求的增加,制造碳化硅(SiC)器件的公司不得不確定SiC晶圓的來源。
此高速子板結(jié)合了GaN Systems的兩個650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820柵極驅(qū)動器,可為現(xiàn)有或新的離線電源轉(zhuǎn)換設(shè)計提供高性價比半橋解決方案。
2020年3月16日 – 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始備貨GaN Systems的GS-EVB-HB-66508B-ON1評估板。此高速子板結(jié)合了GaN Systems的兩個650 V氮化鎵 (GaN) E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820柵極驅(qū)動器,可為現(xiàn)有或新的離線電源轉(zhuǎn)換設(shè)計提供高性價比半橋解決方案。
在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。
GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每個晶片可以生產(chǎn)更多的器件,從而降低了每個晶片的成本。
Qorvo今天推出的這款功率放大器是專為通信應(yīng)用和測試儀表應(yīng)用而設(shè)計,擁有多項性能突破:它能夠在 2-20 GHz 的頻率范圍提供業(yè)界領(lǐng)先的 10 瓦 RF 功率以及 13dB 大信號增益和 20-35% 的功率附加效率。
EPC公司將于是次展覽會展出多個演示品,為工程師闡釋具備行業(yè)領(lǐng)先性能的氮化鎵器件如何推動多個行業(yè)的功率傳輸轉(zhuǎn)型,包括運算、通信及電動汽車等行業(yè)。
2月21日消息,臺積電昨日宣布,與意法半導(dǎo)體合作加速市場采用氮化鎵產(chǎn)品。意法半導(dǎo)體預(yù)計今年晚些時候?qū)⑹着鷺悠方唤o其主要客戶。 臺積電 臺積電與意法半導(dǎo)體將合作加速氮化鎵(Gallium Nitrid
GaN 技術(shù)助力通信系統(tǒng)實現(xiàn)了性能突破
領(lǐng)先的汽車咨詢公司在技術(shù)演示器中采用Nexperia已獲AEC-Q101認證的GaN FET器件
雷達,電子戰(zhàn)(EW)和通信系統(tǒng)越來越多地利用氮化鎵(GaN)技術(shù)來滿足對高性能,高功率和長壽命周期的嚴格要求。與此同時,產(chǎn)量上升會導(dǎo)致價格下降,也使GaN可以跨越多個市場。
進入2020年,將是移動通訊的巨大機遇期,移動通信領(lǐng)域正在發(fā)生巨大變化:第五代蜂窩網(wǎng)絡(luò)技術(shù)(也稱為5G)服務(wù)在陸續(xù)推出。消費者目前已經(jīng)開始體驗5G技術(shù)的優(yōu)勢,它不僅能夠憑
因此,可以明確地看到為什么5G對電力需求如此之高。一些5G網(wǎng)絡(luò)提供商在搭建網(wǎng)絡(luò)和提供服務(wù)時對于MIMO苦不堪言,甚至在討論是否可以將基站的收發(fā)器數(shù)量降低為32T32R以節(jié)省功率,但這樣會極大地限制網(wǎng)絡(luò)容量。
隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,LED技術(shù)也在不斷發(fā)展,為我們的生活帶來各種便利,為我們提供各種各樣生活信息,造福著我們?nèi)祟?。產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所和東北大學(xué)于2019年7月宣布,他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN(氮化鎵)Micro LED。他們試做的GaN Micro LED尺寸僅為6μm見方,如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話,就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。
繁華的城市離不開LED燈的裝飾,相信大家都見過LED,它的身影已經(jīng)出現(xiàn)在了我們的生活的各個地方,也照亮著我們的生活。只有想不到的,沒有做不到的,LED領(lǐng)域*近都有哪些新技術(shù)值得關(guān)注?GaN Micro LED年復(fù)合增長率將達43.5%。氮化鎵(GaN)化合物半導(dǎo)體曾經(jīng)被推廣到LED芯片當(dāng)作襯底,盡管LED已屬成熟市場,但這些技術(shù)在功率電子和LED照明仍具備很大增長空間。
隨著社會的不斷進步,技術(shù)的不斷發(fā)展,科技產(chǎn)品也日新月異,產(chǎn)品都需要功率器件,好的功率器件需要更好的設(shè)計者來設(shè)計,功率器件對電子產(chǎn)品是功不可沒的。分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商Nexperia,推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進入氮化鎵場效應(yīng)管(GaN)市場。
采用GaN Systems的650 V,30 A GaN E-HEMT和安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速柵極驅(qū)動器,共同組成了一套高速半橋GaN系統(tǒng)評估板。該套件采用25mm x 25mm的布局
現(xiàn)在大街上隨處可見的LED顯示屏,還有裝飾用的LED彩燈以及LED車燈,處處可見LED燈的身影,LED已經(jīng)融入到生活中的每一個角落。氮化鎵技術(shù)(GaN)在LED應(yīng)用中早已不是什么新鮮事兒,最早GaN的開發(fā)初衷就是為LED而生,之后的科研人員才開始基于GaN的高頻特性,陸續(xù)在射頻、功率等領(lǐng)域進行探索。