更高功率密度是目前電源IC廠商的一致目標,近日TI發(fā)布了全新的DC/DC降壓器和高壓GaN電源產品,將功率密度提升到新的高度。
目前,功率轉換器市場快速演進,將來也會快速發(fā)展,從簡單的高性價比設計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現,比如,生產能供小型伺服驅動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉換器中的更小、更高效的功率轉換器。這也意味著,要用更高的工作電壓來管理更高的功率,卻不能增加重量和尺寸,比如,太陽能串式逆變器和電動汽車牽引電機等應用場合。
0 引言半導體功率器件按材料劃分大體經歷了三個階段。第一代半導體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表,主要應用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖
1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經從硅雙極型晶體管、場效應管以及在移動通信領域被廣泛應用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、G
目前,功率轉換器市場快速演進,將來也會快速發(fā)展,從簡單的高性價比設計模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現,比如,生產能供小型伺服驅動使用或者能集成到分布式存能單元功率轉換器中的更小、更高效的功率轉換器。
第三代半導體材料主要包括氮化鎵(Gallium Nitride, GaN)、碳化硅(Silicon Carbide, SiC)、氧化鋅(Zinc Oxide, ZnO)、氮化鋁(Aluminum Nitride, AlN)和金剛石等
任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關,可以打開和關閉電源。它就像墻上的照明開關一樣,但是速度會數百萬倍地快,尺寸會數百萬倍地小。效率(低損耗)、可靠性、集成度和可負擔性是半導體電源開關的關鍵屬性。
此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級性能與羅姆的GaN功率器件技術優(yōu)勢及豐富的電子元器件設計/制造綜合實力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術,聯合開發(fā)最適合GaN器件的產品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外,雙方通過提供兼容產品,將能夠為雙方的客戶穩(wěn)定地供應GaN器件。
固態(tài)射頻能量應用正在逐漸興起,可預見這將成為功率晶體管的又一巨大市場。很多LDMOS晶體管廠商譬如NXP、英飛凌等等都已經開始發(fā)力。而MACOM一直以硅基GaN見長, GaN的性能優(yōu)勢也使得其能在固態(tài)射頻能量應用上獲得更
專注于新產品引入 (NPI) 并提供極豐富產品類型的業(yè)界頂級半導體和電子元件分銷商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評估平臺。
材料、信息、能源構筑的當代文明社會,缺一不可。半導體不僅具有極其豐富的物理內涵,而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下,可謂是“最有料”的材料。在不久的將來,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導體材料的應用,無論是在軍用領域還是在民用市場,都是世界各國爭奪的戰(zhàn)略陣地。
未來五年,通信產業(yè)向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業(yè)現狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應用RF通信基礎設施應用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
2022年,GaN RF器件的市場營收預計將達到11億美元,約占整個RF 功率市場的45%...
Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011,該晶體管系列可以提高性能、增強功能,并加快任務關鍵型戰(zhàn)術和公共安全電臺的開發(fā)速度。這些晶體管針對寬帶應用進行過輸入匹配處理,并且尺寸小巧,可以實現尺寸更小的新一代通信設備。
電力電子世界在1959年取得突破,當時Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實驗室發(fā)明了金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產,從那時起,幾代MOSFET晶體管使電源設計人員實現了雙極性早期產品不可能實現的性能和密度級別。
北京2017年6月6日電 /美通社/ -- Analog Devices, Inc. (ADI),全球領先的高性能信號處理解決方案供應商,近日推出一款寬帶氮化鎵(GaN)功率放大器HMC8205,其設計緊湊,在同類產品中性能最佳。
繼第一代元素半導體材料(si)和第二代化合物半導體材料后,第三代禁帶寬度半導體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經在獲得了眾多半導體廠商的認可。第三代半導體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場高、熱導率高、電子飽和速
這是一個數據的時代,每個人都身處在龐大的數據中,并且隨著物聯網和5G等技術的逐步實現,數據的吞吐量正在極速增長中。據Cisco預測,2016年數據中心的流量已達5.8ZB;據愛立信報告指明,到2022年全球超過90%數據流量
今年的GaN(氮化鎵)器件市場異?;钴S,GaN逐漸成為主流,開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場。
實現互聯世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.日前宣布,推出兩款全新的功率放大器(PA),包括可以在內部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S頻段PA。