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固態(tài)射頻能量市場(chǎng)規(guī)模將要比基站還大！——專訪MACOM高級(jí)副總裁Michael Ziehl

固態(tài)射頻能量應(yīng)用正在逐漸興起，可預(yù)見這將成為功率晶體管的又一巨大市場(chǎng)。很多LDMOS晶體管廠商譬如NXP、英飛凌等等都已經(jīng)開始發(fā)力。而MACOM一直以硅基GaN見長(zhǎng)， GaN的性能優(yōu)勢(shì)也使得其能在固態(tài)射頻能量應(yīng)用上獲得更

劉巖軒
2018-03-30

gan macom 工具包技術(shù)專訪固態(tài)射頻能量 michael ziehl
GaN Systems IMS評(píng)估平臺(tái)在貿(mào)澤開售

專注于新產(chǎn)品引入 (NPI) 并提供極豐富產(chǎn)品類型的業(yè)界頂級(jí)半導(dǎo)體和電子元件分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起開始供貨GaN Systems的GSP65RxxHB-EVB絕緣金屬基板 (IMS) 評(píng)估平臺(tái)。

半導(dǎo)體
2017-12-18

systems 貿(mào)澤電子 ims評(píng)估平臺(tái) gan
淺談第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

材料、信息、能源構(gòu)筑的當(dāng)代文明社會(huì)，缺一不可。半導(dǎo)體不僅具有極其豐富的物理內(nèi)涵，而且其性能可以置于不斷發(fā)展的精密工藝控制之下，可謂是“最有料”的材料。在不久的將來(lái)，以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材料的應(yīng)用，無(wú)論是在軍用領(lǐng)域還是在民用市場(chǎng)，都是世界各國(guó)爭(zhēng)奪的戰(zhàn)略陣地。

嵌入式動(dòng)態(tài)
2017-07-27

sic 第三代半導(dǎo)體行業(yè)資訊 gan
GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。

模擬
2017-07-17

射頻器件 gan
5G將改變RF產(chǎn)業(yè),GaN技術(shù)即將普及

2022年，GaN RF器件的市場(chǎng)營(yíng)收預(yù)計(jì)將達(dá)到11億美元，約占整個(gè)RF 功率市場(chǎng)的45%...

通信技術(shù)
2017-07-17

半導(dǎo)體 5G gan
QORVO新推GAN-ON-SIC晶體管，提高戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺(tái)的效率和帶寬

Qorvo, Inc.推出新的50V GaN-on-SiC 晶體管系列---QPD1004、QPD1014和QPD1011，該晶體管系列可以提高性能、增強(qiáng)功能，并加快任務(wù)關(guān)鍵型戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺(tái)的開發(fā)速度。這些晶體管針對(duì)寬帶應(yīng)用進(jìn)行過(guò)輸入匹配處理，并且尺寸小巧，可以實(shí)現(xiàn)尺寸更小的新一代通信設(shè)備。

通信技術(shù)
2017-07-06

sic gan-on-sic gan
用GaN重新考慮功率密度

電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。

通信技術(shù)
2017-06-08

功率密度 gan
ADI寬帶GaN MMIC放大器設(shè)計(jì)緊湊，提供高增益、高功率和高效率

北京2017年6月6日電 /美通社/ -- Analog Devices, Inc. (ADI)，全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，近日推出一款寬帶氮化鎵(GaN)功率放大器HMC8205，其設(shè)計(jì)緊湊，在同類產(chǎn)品中性能最佳。

模擬
2017-06-06

adi 放大器 mmic gan
新材料江湖博弈之局，第三代半導(dǎo)體材料大勢(shì)所趨

繼第一代元素半導(dǎo)體材料(si)和第二代化合物半導(dǎo)體材料后，第三代禁帶寬度半導(dǎo)體材料(SiC、GaN、C-BN、ZnSe等)已經(jīng)在獲得了眾多半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可。第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率高、電子飽和速

21ic專訪
2016-12-26

sic 半導(dǎo)體材料編輯視點(diǎn) gan
愈購(gòu)愈勇，MACOM實(shí)現(xiàn)射頻、光學(xué)和數(shù)字產(chǎn)品全面覆蓋

這是一個(gè)數(shù)據(jù)的時(shí)代，每個(gè)人都身處在龐大的數(shù)據(jù)中，并且隨著物聯(lián)網(wǎng)和5G等技術(shù)的逐步實(shí)現(xiàn)，數(shù)據(jù)的吞吐量正在極速增長(zhǎng)中。據(jù)Cisco預(yù)測(cè)，2016年數(shù)據(jù)中心的流量已達(dá)5.8ZB;據(jù)愛立信報(bào)告指明，到2022年全球超過(guò)90%數(shù)據(jù)流量

劉巖軒
2016-12-16

射頻光學(xué) 數(shù)據(jù)中心 amcc gan macom 技術(shù)專訪
解讀射頻GaN市場(chǎng)的機(jī)遇及未來(lái)發(fā)展

今年的GaN(氮化鎵)器件市場(chǎng)異?；钴S，GaN逐漸成為主流，開始滲透一些批量需求的商業(yè)市場(chǎng)。

充電吧
2016-12-13

真心話海威華芯三安光電 gan
Qorvo 發(fā)布用于高級(jí)雷達(dá)系統(tǒng)的緊湊型GaN功率放大器

實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.日前宣布，推出兩款全新的功率放大器(PA)，包括可以在內(nèi)部匹配50Ω的行業(yè)首款500W L頻段PA和一款450W S頻段PA。

功率器件
2016-10-21

功率放大器 qorvo 電源新品高級(jí)雷達(dá)系統(tǒng) gan
Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.(納斯達(dá)克代碼：QRVO)今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計(jì)用于優(yōu)

通信技術(shù)
2016-06-02

通信晶體管雷達(dá) gan
基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被構(gòu)造

功率器件
2016-05-13

電源技術(shù)解析 pfc 數(shù)字控制圖騰柱 gan
MACOM：GaN技術(shù)時(shí)機(jī)來(lái)臨了

提起GaN技術(shù)，就不得不說(shuō)起MACOM。近日北京召開的EDI CON上，MACOM展示了業(yè)界最頂尖的GaN技術(shù)。

劉巖軒
2016-05-12

光通信射頻放大器純硅襯底 gan macom 技術(shù)專訪
確定 GaN 產(chǎn)品可靠性的綜合方法

TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測(cè)試來(lái)提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵(GaN)的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管(HEMT)。HEMT是一種場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，會(huì)使導(dǎo)通電阻會(huì)低很多。它的開關(guān)頻率要比同等大小的硅功率晶體管要快。這些優(yōu)勢(shì)使得功率轉(zhuǎn)換的能效更高，并且能夠更加有效地使用空間。GaN可以安裝在硅基板上，這樣可充分利用硅制造能力，并實(shí)現(xiàn)更低的成本。然而，在使用新技術(shù)時(shí)，需要驗(yàn)證這項(xiàng)技術(shù)的可靠性。這份白皮書的主題恰恰是G

電源-能源動(dòng)力
2016-04-25

可靠性電源技術(shù)解析綜合方法 gan
GaN，能拯救電源工程師嗎？

作為電源工程師，我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級(jí)的場(chǎng)景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡(jiǎn)單(圖1)，以及平均電流的計(jì)算是多么地輕松，并且確定

功率器件
2016-04-11

電源電源技術(shù)解析升降壓 gan
SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值　2020年破10億美元

市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IHS最新統(tǒng)計(jì)報(bào)告指出，隨著愈來(lái)愈多供應(yīng)商推出產(chǎn)品，2015年碳化矽(SiC)功率半導(dǎo)體平均銷售價(jià)格已明顯下滑，有望刺激市場(chǎng)加速采用;與此同時(shí)，氮化鎵(GaN)功率半

嵌入式動(dòng)態(tài)
2016-03-24

功率半導(dǎo)體 sic 技術(shù)前沿 gan
海拉、氮化鎵系統(tǒng)及凱特琳大學(xué)聯(lián)合發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先電動(dòng)汽車

汽車電子專家海拉，聯(lián)合領(lǐng)先的氮化鎵功率晶體管制造商氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)，以及凱特琳大學(xué)先進(jìn)電力電子實(shí)驗(yàn)室充電技術(shù)領(lǐng)域?qū)W者成功研制了一臺(tái)兩電平電動(dòng)汽車充電

汽車電子
2016-03-23

充電器功率晶體管 gs66516t gan
原來(lái)是GaN 阻止了Lumileds出股權(quán)讓中資

我國(guó)正投入數(shù)十億美元，大力推動(dòng)研發(fā)自己的微芯片。這項(xiàng)行動(dòng)可能會(huì)增強(qiáng)該國(guó)的軍事實(shí)力及其本土科技產(chǎn)業(yè)。在華盛頓，這些行動(dòng)已經(jīng)開始引起注意。據(jù)美國(guó)《紐約時(shí)報(bào)》網(wǎng)站2月5日?qǐng)?bào)道，一名專家和另一名參與了交易討論的

顯示光電
2016-02-15

飛利浦發(fā)光二極管微芯片 gan

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GAN

固態(tài)射頻能量市場(chǎng)規(guī)模將要比基站還大！——專訪MACOM高級(jí)副總裁Michael Ziehl

GaN Systems IMS評(píng)估平臺(tái)在貿(mào)澤開售

淺談第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀

GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

5G將改變RF產(chǎn)業(yè),GaN技術(shù)即將普及

QORVO新推GAN-ON-SIC晶體管，提高戰(zhàn)術(shù)和公共安全電臺(tái)的效率和帶寬

用GaN重新考慮功率密度

ADI寬帶GaN MMIC放大器設(shè)計(jì)緊湊，提供高增益、高功率和高效率

新材料江湖博弈之局，第三代半導(dǎo)體材料大勢(shì)所趨

愈購(gòu)愈勇，MACOM實(shí)現(xiàn)射頻、光學(xué)和數(shù)字產(chǎn)品全面覆蓋

解讀射頻GaN市場(chǎng)的機(jī)遇及未來(lái)發(fā)展

Qorvo 發(fā)布用于高級(jí)雷達(dá)系統(tǒng)的緊湊型GaN功率放大器

Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能

基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC

MACOM：GaN技術(shù)時(shí)機(jī)來(lái)臨了

確定 GaN 產(chǎn)品可靠性的綜合方法

GaN，能拯救電源工程師嗎？

SiC/GaN功率半導(dǎo)體產(chǎn)值　2020年破10億美元

海拉、氮化鎵系統(tǒng)及凱特琳大學(xué)聯(lián)合發(fā)布業(yè)界領(lǐng)先電動(dòng)汽車

原來(lái)是GaN 阻止了Lumileds出股權(quán)讓中資

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