Navitas納微半導(dǎo)體在亞洲高級(jí)電力電子會(huì)議上展示在GaN（氮化鎵）功率器件領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位

Navitas 納微半導(dǎo)體近日宣布將于2019年11月1日至4日在中國深圳舉行的中國電源學(xué)會(huì)(CPSSC)上展示20多款由GaNFast技術(shù)驅(qū)動(dòng)的手機(jī)快速充電器。

安森美半導(dǎo)體的NCP51820高速氮化鎵(GaN)門極驅(qū)動(dòng)器在中國獲2019年度“Top 10電源產(chǎn)品獎(jiǎng)”

行業(yè)認(rèn)可首款用于GaN功率開關(guān)的高性能、650V高壓半橋門極驅(qū)動(dòng)器

高性能GaN器件

隨著社會(huì)的不斷進(jìn)步，技術(shù)的不斷發(fā)展，科技產(chǎn)品也日新月異，產(chǎn)品都需要功率器件，好的功率器件需要更好的設(shè)計(jì)者來設(shè)計(jì)，功率器件對(duì)電子產(chǎn)品是功不可沒的。2015年3月20日，德國慕尼黑和日本大阪訊——英飛凌科技股份公司和松下電器公司宣布，兩家公司已達(dá)成協(xié)議，將聯(lián)合開發(fā)采用松下電器的常閉式(增強(qiáng)型)硅基板氮化鎵(GaN)晶體管結(jié)構(gòu)，與英飛凌的表貼(SMD)封裝的GaN器件。

安森美的SiC及GaN產(chǎn)品

在日常生活中，電子產(chǎn)品處處可見，大家都知道如何使用，但是都不會(huì)去了解電子產(chǎn)品里面有什么，其實(shí)里面很重要的是功率器件。更為嚴(yán)格的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級(jí)增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應(yīng)量(+ 400TWh)的3%，也占總溫室氣體排放量的2%，與航空業(yè)的碳排放量相同。

北大東莞光電研究院有望突破高質(zhì)量GaN單晶襯底制備難題

據(jù)報(bào)道，北京大學(xué)東莞光電研究院現(xiàn)有在孵企業(yè)32家，2018年度在孵企業(yè)營業(yè)總收入12.78億元。光電研究院成立于2012年8月，由北京大學(xué)與東莞市人民政府共同組建，是廣東省首批新型研發(fā)機(jī)構(gòu)。研究院擁有

5G冰山之下，潛藏著你未意識(shí)到的GaN應(yīng)用巨大機(jī)遇

在EDI CON2019上，21ic專訪了MACOM的無線產(chǎn)品中心資深總監(jiān)成鋼 (Echo Cheng)和射頻和微波解決方案銷售總監(jiān)孟愛國 (Michael Meng)。兩位對(duì)于5G產(chǎn)品形態(tài)、市場(chǎng)和更多GaN藍(lán)海機(jī)遇進(jìn)行了講解。

ANADIGICS推出新型GaN線路放大器

我們?nèi)绾卧O(shè)計(jì)一部以無線方式供電的電視機(jī)

作者：宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）Michael A. de Rooij博士及張遠(yuǎn)哲博士面向不同種類的家電，eGaN FET技術(shù)在推動(dòng)無線充電市場(chǎng)的發(fā)展扮演著重要的角色 這里展示出由無線充電推動(dòng)

Anker推出全球首款氮化鎵充電器：最大輸出功率達(dá)27W功率

氮化鎵(GaN)被業(yè)界稱為第三代半導(dǎo)體材料，應(yīng)用范圍非常廣，包括半導(dǎo)體照明、激光器、射頻等，而用在充電器上可在超小體積上實(shí)現(xiàn)大功率輸出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化鎵材料的充電器，型號(hào)“P

國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展，本月底試產(chǎn)，明年正式量產(chǎn)！

陳鈺林透露，國產(chǎn)GaN研發(fā)取得突破進(jìn)展，100V、150V、650V三個(gè)GaN新品將于2018年12月底試產(chǎn)，2019年正式量產(chǎn)。目前，英諾賽科已有5個(gè)產(chǎn)品(40V、60V、100V等)實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)并有接到訂單，這些產(chǎn)品均采用了目前行業(yè)領(lǐng)先的8寸Fab產(chǎn)線制造。

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，功率半導(dǎo)體氧化鎵到底是什么

SiC和GaN并不是終點(diǎn)，最近，氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野，憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶，該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。因此，近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來。

尺寸減半、功率翻番！——氮化鎵（GaN）技術(shù)給機(jī)器人、可再生能源和電信等領(lǐng)域帶來革新

硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸，但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸規(guī)格下，硅材料無法在所需的頻率下輸出更高的功率。而對(duì)于即將推出的5G無線網(wǎng)絡(luò)，以及未來的機(jī)器人、可再生能源直至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率都是一個(gè)至關(guān)重要的因素。

TI發(fā)布新一代直流降壓器和GaN高壓產(chǎn)品，將功率密度提升到新高度

更高功率密度是目前電源IC廠商的一致目標(biāo)，近日TI發(fā)布了全新的DC/DC降壓器和高壓GaN電源產(chǎn)品，將功率密度提升到新的高度。

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn)，將來也會(huì)快速發(fā)展，從簡單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。這也意味著，要用更高的工作電壓來管理更高的功率，卻不能增加重量和尺寸，比如，太陽能串式逆變器和電動(dòng)汽車牽引電機(jī)等應(yīng)用場(chǎng)合。

一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

0 引言半導(dǎo)體功率器件按材料劃分大體經(jīng)歷了三個(gè)階段。第一代半導(dǎo)體功率器件以Si雙極型功率晶體管為主要代表，主要應(yīng)用在S波段及以下波段中。Si雙極型功率晶體管在L波段脈沖

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

1.GaN功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS管向以碳化硅(SiC)、氮鎵(GaN)為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、G

領(lǐng)先的SiC/GaN功率轉(zhuǎn)換器的驅(qū)動(dòng)

目前，功率轉(zhuǎn)換器市場(chǎng)快速演進(jìn)，將來也會(huì)快速發(fā)展，從簡單的高性價(jià)比設(shè)計(jì)模式走向更為廣泛、更具持續(xù)性的創(chuàng)新模式。新的挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)，比如，生產(chǎn)能供小型伺服驅(qū)動(dòng)使用或者能集成到分布式存能單元功率轉(zhuǎn)換器中的更小、更高效的功率轉(zhuǎn)換器。

趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒

第三代半導(dǎo)體材料主要包括氮化鎵（Gallium Nitride， GaN）、碳化硅（Silicon Carbide， SiC）、氧化鋅（Zinc Oxide， ZnO）、氮化鋁（Aluminum Nitride， AlN）和金剛石等

氮化鎵（GaN）技術(shù)推動(dòng)電源管理不斷革新

任何電源管理系統(tǒng)的核心是開關(guān)，可以打開和關(guān)閉電源。它就像墻上的照明開關(guān)一樣，但是速度會(huì)數(shù)百萬倍地快，尺寸會(huì)數(shù)百萬倍地小。效率(低損耗)、可靠性、集成度和可負(fù)擔(dān)性是半導(dǎo)體電源開關(guān)的關(guān)鍵屬性。

GaN Systems與羅姆聯(lián)手致力于GaN功率器件的普及

此次合作將充分發(fā)揮GaN Systems公司GaN功率晶體管的業(yè)界頂級(jí)性能與羅姆的GaN功率器件技術(shù)優(yōu)勢(shì)及豐富的電子元器件設(shè)計(jì)/制造綜合實(shí)力。雙方將利用GaN Systems公司的GaNPXTM封裝技術(shù)和羅姆的功率元器件傳統(tǒng)封裝技術(shù)，聯(lián)合開發(fā)最適合GaN器件的產(chǎn)品。這將能夠最大限度地挖掘并發(fā)揮GaN器件的潛力。另外，雙方通過提供兼容產(chǎn)品，將能夠?yàn)殡p方的客戶穩(wěn)定地供應(yīng)GaN器件。