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三個(gè)將造成IGBT損壞的低級(jí)操作錯(cuò)誤
熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對(duì)于靜電非常敏感，在使用過(guò)程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時(shí)，需要設(shè)計(jì)者注意哪些問(wèn)題
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避免IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動(dòng)7條經(jīng)驗(yàn)
IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場(chǎng)合，要在這些場(chǎng)合應(yīng)用，首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過(guò)載一類(lèi)的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上就需要相應(yīng)的設(shè)計(jì)技巧
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大功率電源IGBT損壞的問(wèn)題成因探討
隨著市場(chǎng)對(duì)大功率供電設(shè)備需求日益激增，IGBT不間斷電源開(kāi)始發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。IGBT設(shè)備性能的好壞直接影響大功率電源的供電效率。一般來(lái)說(shuō)，較為成熟的IGBT設(shè)計(jì)出現(xiàn)損
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通過(guò)對(duì)耦合電流路徑改造提升IGBT可靠性
隨著大功率與特種電源逐漸在市場(chǎng)上盛行，IGBT技術(shù)也隨著時(shí)間的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上決定的了大功率電源的性能，因此人們總是想通過(guò)各種方法來(lái)提高IGBT的效
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東芝面向車(chē)載逆變器推出光電隔離型IGBT柵極預(yù)驅(qū)動(dòng)IC
東芝公司(TOKYO：6502)旗下存儲(chǔ)與電子元器件解決方案公司今日宣布推出“TB9150FNG”，這是一款具有各種增強(qiáng)型保護(hù)功能的光電隔離型IGBT[1]柵極預(yù)驅(qū)動(dòng)IC，適用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車(chē)的車(chē)載逆變器。樣品發(fā)貨即
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如何依靠輸出邏輯提升IGBT的可靠性
隨著現(xiàn)代電科技設(shè)備的日趨復(fù)雜，原有的電源已經(jīng)無(wú)法再滿足人們的需要。大功率特種電源便應(yīng)運(yùn)而生，而其中較為重要的，就是IGBT技術(shù)。如果想要全面穩(wěn)妥的提高IGBT的可靠性，
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從連接器與電容入手提高IGBT可靠性
隨著不間斷電源等特殊電源的興起，IGBT在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域地位變得越來(lái)越重要，在之前的文章中小編為大家介紹有關(guān)IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度的問(wèn)題，在本文中，小
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基于高速I(mǎi)GBT的100kHz高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器
本文分析了一種基于高速I(mǎi)GBT的軟開(kāi)關(guān)移相全橋帶同步整流的DC/DC轉(zhuǎn)換器。移相全橋拓?fù)涞能涢_(kāi)關(guān)技術(shù)是混合動(dòng)力汽車(chē)和電動(dòng)汽車(chē)高壓-低壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的主流關(guān)鍵技術(shù)。
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分享：IGBT的檢測(cè)方法
IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門(mén)極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管的電極根據(jù)
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新型大功率模塊助你在日益火爆的充電樁搶占先機(jī)
新能源汽車(chē)隨著相關(guān)技術(shù)的日趨成熟而越來(lái)越受歡迎，同時(shí)其清潔環(huán)保的特點(diǎn)已經(jīng)越來(lái)越受到大眾的喜愛(ài)。只是受制于動(dòng)力系統(tǒng)(電池等)的限制，新能源汽車(chē)的續(xù)航與動(dòng)力艙的體積一
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如何通過(guò)器件選用與環(huán)境溫度提升IGBT性能
隨著不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)開(kāi)始走進(jìn)人們的生活。而對(duì)于新手來(lái)說(shuō)，對(duì)于IGBT的相關(guān)知識(shí)進(jìn)行學(xué)習(xí)并不困難，困難的是理解這種技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中的一些問(wèn)題。本文就將針對(duì)
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基于SPWM技術(shù)的逆變電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析
與常見(jiàn)的PWM技術(shù)相比，SPWM是一種更為成熟完善并且應(yīng)用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機(jī)領(lǐng)域中應(yīng)用的較多，本文就將為大家介紹在一種單片機(jī)SPWM逆變電路當(dāng)中，關(guān)鍵器件
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門(mén)
由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助。當(dāng)MOSFET作用在電路
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過(guò)流短路保護(hù)對(duì)逆變電源的重要性
由于逆變電源在電路中肩負(fù)著直流和交流之間的轉(zhuǎn)換，所以其安全性就顯得尤為重要。如果逆變電源出現(xiàn)短路的情況，那么就有可能出現(xiàn)燒毀的情況，想要有效避免短路情況的發(fā)生，
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IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度不足的分析
電源技術(shù)不斷進(jìn)步，這就使得傳統(tǒng)的一些單一電源方案不再適合于對(duì)現(xiàn)如今的產(chǎn)品。最典型的例子就是隨著應(yīng)急電源與不間斷電源的誕生，IGBT技術(shù)開(kāi)始走俏起來(lái)。
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IGBT可靠性分析 輸出電壓沿速率與開(kāi)關(guān)速率的關(guān)系
現(xiàn)如今科技飛速發(fā)展，傳統(tǒng)的電力轉(zhuǎn)化已經(jīng)無(wú)法滿足電力設(shè)備的需要。新型變頻設(shè)備崛起的同時(shí)，大功率IGBT的應(yīng)用也逐漸增多起來(lái)，IGBT的可靠性直接關(guān)系到變頻的效率與電力設(shè)備
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流程改進(jìn)提高效率IGBT為電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用
當(dāng)選擇的IGBT，設(shè)計(jì)者面臨著一些架構(gòu)選擇，可以有利于IGBT的一種形式中，如對(duì)稱與不對(duì)稱阻塞，在另一個(gè)的。本文將回顧由不同的IGBT架構(gòu)所提供的設(shè)計(jì)方案。該絕緣柵雙極晶體
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瑞薩推出650V/1250V耐圧IGBT新產(chǎn)品，性能提高30％
瑞薩電子近日發(fā)布了性能指數(shù)(FOM)較上代產(chǎn)品最高改善了30%的 IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)新產(chǎn)品“G8H系列”，已開(kāi)始供應(yīng)樣品。FOM是開(kāi)關(guān)損耗與集電極-發(fā)射極間飽和電壓(VCE(sat))的乘積，F(xiàn)OM越
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Diodes柵極驅(qū)動(dòng)器可在半橋或全橋配置下開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動(dòng)器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動(dòng)器，可在半橋或全橋配置下輕易開(kāi)關(guān)功率MOSFET與IGBT。目標(biāo)應(yīng)用包
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驅(qū)動(dòng)電路頻率不足導(dǎo)致的IGBT失效分析
在IGBT的使用過(guò)程中，存在電路失效的情況，而失效的原因通常多種多樣，其中一種就是當(dāng)驅(qū)動(dòng)電路工作頻率相對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)頻率不足時(shí)，導(dǎo)致的IGBT失效問(wèn)題。只有對(duì)IGBT失效原因進(jìn)
- 安富利3kW模擬電源供應(yīng)器（PSU）解決方案開(kāi)發(fā)板來(lái)襲，申請(qǐng)領(lǐng)好禮
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